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    类型: N沟道
    功率: 30W
    工作温度: 150℃
    栅极电荷: 9nC@10V
    行业应用: 工业
    漏源电压: 650V
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    TOSHIBA Mosfet场效应管 TK2A65D(STA4,Q,M) 起订5个装
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TK2A65D(STA4,Q,M) 起订5个装

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):TK2A65D(STA4,Q,M)

    工作温度:150℃

    功率:30W

    阈值电压:4.4V@1mA

    栅极电荷:9nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:380pF@25V

    连续漏极电流:2A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.26Ω@1A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

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