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    30W
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    类型: N沟道
    功率: 30W
    工作温度: 150℃
    包装方式: 卷带(TR)
    当前匹配商品:20+
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    GIGADEVICE Mosfet场效应管 TK380P60Y,RQ 起订2个装
    GIGADEVICE Mosfet场效应管 TK380P60Y,RQ 起订2个装

    品牌:GIGADEVICE

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TK380P60Y,RQ

    工作温度:150℃

    功率:30W

    阈值电压:4V@360µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:20nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:590pF@300V

    连续漏极电流:9.7A

    类型:N沟道

    导通电阻:380mΩ@4.9A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    GIGADEVICE Mosfet场效应管 TK380P60Y,RQ 起订100个装
    GIGADEVICE Mosfet场效应管 TK380P60Y,RQ 起订100个装

    品牌:GIGADEVICE

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TK380P60Y,RQ

    工作温度:150℃

    功率:30W

    阈值电压:4V@360µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:20nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:590pF@300V

    连续漏极电流:9.7A

    类型:N沟道

    导通电阻:380mΩ@4.9A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 ATP201-TL-H 起订500个装
    onsemi Mosfet场效应管 ATP201-TL-H 起订500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"10+":3000,"17+":12000}

    销售单位:

    规格型号(MPN):ATP201-TL-H

    工作温度:150℃

    功率:30W

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:17nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:985pF@10V

    连续漏极电流:35A

    类型:N沟道

    导通电阻:17mΩ@18A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    GIGADEVICE Mosfet场效应管 TK380P60Y,RQ 起订500个装
    GIGADEVICE Mosfet场效应管 TK380P60Y,RQ 起订500个装

    品牌:GIGADEVICE

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TK380P60Y,RQ

    工作温度:150℃

    功率:30W

    阈值电压:4V@360µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:20nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:590pF@300V

    连续漏极电流:9.7A

    类型:N沟道

    导通电阻:380mΩ@4.9A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 ATP201-TL-H 起订1034个装
    onsemi Mosfet场效应管 ATP201-TL-H 起订1034个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):ATP201-TL-H

    工作温度:150℃

    功率:30W

    栅极电荷:17nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:985pF@10V

    连续漏极电流:35A

    类型:N沟道

    导通电阻:17mΩ@18A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 ATP201-TL-H 起订5000个装
    onsemi Mosfet场效应管 ATP201-TL-H 起订5000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):ATP201-TL-H

    工作温度:150℃

    功率:30W

    栅极电荷:17nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:985pF@10V

    连续漏极电流:35A

    类型:N沟道

    导通电阻:17mΩ@18A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    GIGADEVICE Mosfet场效应管 TK380P60Y,RQ 起订2000个装
    GIGADEVICE Mosfet场效应管 TK380P60Y,RQ 起订2000个装

    品牌:GIGADEVICE

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TK380P60Y,RQ

    工作温度:150℃

    功率:30W

    阈值电压:4V@360µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:20nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:590pF@300V

    连续漏极电流:9.7A

    类型:N沟道

    导通电阻:380mΩ@4.9A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 ATP201-TL-H 起订435个装
    onsemi Mosfet场效应管 ATP201-TL-H 起订435个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"10+":3000,"17+":12000}

    销售单位:

    规格型号(MPN):ATP201-TL-H

    工作温度:150℃

    功率:30W

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:17nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:985pF@10V

    连续漏极电流:35A

    类型:N沟道

    导通电阻:17mΩ@18A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

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    GIGADEVICE Mosfet场效应管 TK380P60Y,RQ 起订2个装
    GIGADEVICE Mosfet场效应管 TK380P60Y,RQ 起订2个装

    品牌:GIGADEVICE

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TK380P60Y,RQ

    工作温度:150℃

    功率:30W

    阈值电压:4V@360µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:20nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:590pF@300V

    连续漏极电流:9.7A

    类型:N沟道

    导通电阻:380mΩ@4.9A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

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    GIGADEVICE Mosfet场效应管 TK380P60Y,RQ 起订10个装
    GIGADEVICE Mosfet场效应管 TK380P60Y,RQ 起订10个装

    品牌:GIGADEVICE

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TK380P60Y,RQ

    工作温度:150℃

    功率:30W

    阈值电压:4V@360µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:20nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:590pF@300V

    连续漏极电流:9.7A

    类型:N沟道

    导通电阻:380mΩ@4.9A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    GIGADEVICE Mosfet场效应管 TK380P60Y,RQ 起订100个装
    GIGADEVICE Mosfet场效应管 TK380P60Y,RQ 起订100个装

    品牌:GIGADEVICE

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TK380P60Y,RQ

    工作温度:150℃

    功率:30W

    阈值电压:4V@360µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:20nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:590pF@300V

    连续漏极电流:9.7A

    类型:N沟道

    导通电阻:380mΩ@4.9A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

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    GIGADEVICE Mosfet场效应管 TK380P60Y,RQ 起订10个装
    GIGADEVICE Mosfet场效应管 TK380P60Y,RQ 起订10个装

    品牌:GIGADEVICE

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TK380P60Y,RQ

    工作温度:150℃

    功率:30W

    阈值电压:4V@360µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:20nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:590pF@300V

    连续漏极电流:9.7A

    类型:N沟道

    导通电阻:380mΩ@4.9A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

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    GIGADEVICE Mosfet场效应管 TK380P60Y,RQ 起订500个装
    GIGADEVICE Mosfet场效应管 TK380P60Y,RQ 起订500个装

    品牌:GIGADEVICE

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TK380P60Y,RQ

    工作温度:150℃

    功率:30W

    阈值电压:4V@360µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:20nC@10V

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    输入电容:590pF@300V

    连续漏极电流:9.7A

    类型:N沟道

    导通电阻:380mΩ@4.9A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

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    RENESAS Mosfet场效应管 RJK6002DPH-E0#T2 起订1000个装
    RENESAS Mosfet场效应管 RJK6002DPH-E0#T2 起订1000个装

    品牌:RENESAS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"19+":3467}

    销售单位:

    规格型号(MPN):RJK6002DPH-E0#T2

    工作温度:150℃

    功率:30W

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:6.2nC@10V

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    输入电容:165pF@25V

    连续漏极电流:2A

    类型:N沟道

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    包装清单:商品主体 * 1

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    RENESAS Mosfet场效应管 RJK6002DPH-E0#T2 起订500个装
    RENESAS Mosfet场效应管 RJK6002DPH-E0#T2 起订500个装

    品牌:RENESAS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"19+":3467}

    销售单位:

    规格型号(MPN):RJK6002DPH-E0#T2

    工作温度:150℃

    功率:30W

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:6.2nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:165pF@25V

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    类型:N沟道

    导通电阻:6.8Ω@1A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

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    GIGADEVICE Mosfet场效应管 TK380P60Y,RQ 起订2000个装
    GIGADEVICE Mosfet场效应管 TK380P60Y,RQ 起订2000个装

    品牌:GIGADEVICE

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TK380P60Y,RQ

    连续漏极电流:9.7A

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:150℃

    类型:N沟道

    阈值电压:4V@360µA

    输入电容:590pF@300V

    功率:30W

    栅极电荷:20nC@10V

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    漏源电压:600V

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

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    RENESAS Mosfet场效应管 RJK6002DPH-E0#T2 起订500个装
    RENESAS Mosfet场效应管 RJK6002DPH-E0#T2 起订500个装

    品牌:RENESAS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    生产批次:{"19+":3467}

    规格型号(MPN):RJK6002DPH-E0#T2

    导通电阻:6.8Ω@1A,10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:165pF@25V

    工作温度:150℃

    类型:N沟道

    连续漏极电流:2A

    栅极电荷:6.2nC@10V

    功率:30W

    漏源电压:600V

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

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    onsemi Mosfet场效应管 ATP201-TL-H 起订500个装
    onsemi Mosfet场效应管 ATP201-TL-H 起订500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    生产批次:{"10+":3000,"17+":12000}

    规格型号(MPN):ATP201-TL-H

    输入电容:985pF@10V

    包装方式:卷带(TR)

    漏源电压:30V

    工作温度:150℃

    栅极电荷:17nC@10V

    类型:N沟道

    导通电阻:17mΩ@18A,10V

    功率:30W

    连续漏极电流:35A

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

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    GIGADEVICE Mosfet场效应管 TK380P60Y,RQ 起订1000个装
    GIGADEVICE Mosfet场效应管 TK380P60Y,RQ 起订1000个装

    品牌:GIGADEVICE

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TK380P60Y,RQ

    工作温度:150℃

    功率:30W

    阈值电压:4V@360µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:20nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:590pF@300V

    连续漏极电流:9.7A

    类型:N沟道

    导通电阻:380mΩ@4.9A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

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    RENESAS Mosfet场效应管 RJK6002DPH-E0#T2 起订5000个装
    RENESAS Mosfet场效应管 RJK6002DPH-E0#T2 起订5000个装

    品牌:RENESAS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"19+":3467}

    销售单位:

    规格型号(MPN):RJK6002DPH-E0#T2

    工作温度:150℃

    功率:30W

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:6.2nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:165pF@25V

    连续漏极电流:2A

    类型:N沟道

    导通电阻:6.8Ω@1A,10V

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    包装清单:商品主体 * 1

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