品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IPAN60R125PFD7SXKSA1
工作温度:-40℃~150℃
功率:32W
阈值电压:4.5V@390µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:36nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1503pF@400V
连续漏极电流:25A
类型:N沟道
导通电阻:125mΩ@7.8A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IPA60R280P6XKSA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:32W
阈值电压:4.5V@430µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:25.5nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1190pF@100V
连续漏极电流:13.8A
类型:N沟道
导通电阻:280mΩ@5.2A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD80R1K4P7ATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:32W
阈值电压:3.5V@700µA
栅极电荷:10nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:250pF@500V
连续漏极电流:4A
类型:N沟道
导通电阻:1.4Ω@1.4A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IPA60R280P6XKSA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:32W
阈值电压:4.5V@430µA
栅极电荷:25.5nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1190pF@100V
连续漏极电流:13.8A
类型:N沟道
导通电阻:280mΩ@5.2A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FCD3400N80Z
工作温度:-55℃~150℃
功率:32W
阈值电压:4.5V@200µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:9.6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:400pF@100V
连续漏极电流:2A
类型:N沟道
导通电阻:3.4Ω@1A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IPA60R125CFD7XKSA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:32W
阈值电压:4.5V@390µA
栅极电荷:36nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1503pF@400V
连续漏极电流:11A
类型:N沟道
导通电阻:125mΩ@7.8A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:SANKEN
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DKI04103
工作温度:150℃
功率:32W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:14.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:990pF@25V
连续漏极电流:29A
类型:N沟道
导通电阻:11.5mΩ@18.8A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"14+":2625,"15+":128500,"16+":4390,"18+":500,"MI+":17000}
包装规格(MPQ):500psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IPA50R350CPXKSA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:32W
阈值电压:3.5V@370µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:25nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1020pF@100V
连续漏极电流:10A
类型:N沟道
导通电阻:350mΩ@5.6A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHP21N80AE-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:32W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:72nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1388pF@100V
类型:N沟道
导通电阻:235mΩ@11A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FCD3400N80Z
工作温度:-55℃~150℃
功率:32W
阈值电压:4.5V@200µA
栅极电荷:9.6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:400pF@100V
连续漏极电流:2A
类型:N沟道
导通电阻:3.4Ω@1A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IPA50R190CEXKSA2
工作温度:-40℃~150℃
功率:32W
阈值电压:3.5V@510µA
栅极电荷:47.2nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1137pF@100V
连续漏极电流:18.5A
类型:N沟道
导通电阻:190mΩ@6.2A,13V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"16+":10,"17+":16500,"18+":79999,"9999":1430,"MI+":1500}
包装规格(MPQ):75psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IPU80R1K4P7AKMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:32W
阈值电压:3.5V@700µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:10.05nC@10V
包装方式:管件
输入电容:250pF@500V
连续漏极电流:4A
类型:N沟道
导通电阻:1.4Ω@1.4A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:SANKEN
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DKI04103
工作温度:150℃
功率:32W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:14.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:990pF@25V
连续漏极电流:29A
类型:N沟道
导通电阻:11.5mΩ@18.8A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IPP80R1K4P7XKSA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:32W
阈值电压:3.5V@70µA
栅极电荷:10nC@10V
包装方式:管件
输入电容:250pF@500V
连续漏极电流:4A
类型:N沟道
导通电阻:1.4Ω@1.4A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IPA60R280P6XKSA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:32W
阈值电压:4.5V@430µA
栅极电荷:25.5nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1190pF@100V
连续漏极电流:13.8A
类型:N沟道
导通电阻:280mΩ@5.2A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"17+":196,"20+":500}
包装规格(MPQ):500psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SPA07N60CFDXKSA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:32W
阈值电压:5V@300µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:47nC@10V
包装方式:管件
输入电容:790pF@25V
连续漏极电流:6.6A
类型:N沟道
导通电阻:700mΩ@4.6A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):25psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHG21N80AE-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:32W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:72nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1388pF@100V
类型:N沟道
导通电阻:235mΩ@11A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":5752}
销售单位:个
规格型号(MPN):FCD3400N80Z
工作温度:-55℃~150℃
功率:32W
阈值电压:4.5V@200µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:9.6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:400pF@100V
连续漏极电流:2A
类型:N沟道
导通电阻:3.4Ω@1A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IPAN60R125PFD7SXKSA1
工作温度:-40℃~150℃
功率:32W
阈值电压:4.5V@390µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:36nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1503pF@400V
连续漏极电流:25A
类型:N沟道
导通电阻:125mΩ@7.8A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"21+":150,"22+":2000,"23+":500}
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IPA60R280P6XKSA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:32W
阈值电压:4.5V@430µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:25.5nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1190pF@100V
连续漏极电流:13.8A
类型:N沟道
导通电阻:280mΩ@5.2A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":3600}
销售单位:个
规格型号(MPN):FCU3400N80Z
工作温度:-55℃~150℃
功率:32W
阈值电压:4.5V@200µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:9.6nC@10V
包装方式:管件
输入电容:400pF@100V
连续漏极电流:2A
类型:N沟道
导通电阻:3.4Ω@1A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IPA65R125C7XKSA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:32W
阈值电压:4V@440µA
栅极电荷:35nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1670pF@400V
连续漏极电流:10A
类型:N沟道
导通电阻:125mΩ@8.9A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:IXYS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IXTP8N70X2M
工作温度:-55℃~150℃
功率:32W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:12nC@10V
包装方式:管件
输入电容:800pF@10V
连续漏极电流:4A
类型:N沟道
导通电阻:550mΩ@500mA,10V
漏源电压:700V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"14+":2625,"15+":128500,"16+":4390,"18+":500,"MI+":17000}
包装规格(MPQ):500psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IPA50R350CPXKSA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:32W
阈值电压:3.5V@370µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:25nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1020pF@100V
连续漏极电流:10A
类型:N沟道
导通电阻:350mΩ@5.6A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IPA80R1K0CEXKSA2
工作温度:-40℃~150℃
功率:32W
阈值电压:3.9V@250µA
栅极电荷:31nC@10V
包装方式:管件
输入电容:785pF@100V
连续漏极电流:5.7A
类型:N沟道
导通电阻:950mΩ@3.6A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IPA60R280P6XKSA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:32W
阈值电压:4.5V@430µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:25.5nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1190pF@100V
连续漏极电流:13.8A
类型:N沟道
导通电阻:280mΩ@5.2A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IPA80R1K0CEXKSA2
工作温度:-40℃~150℃
功率:32W
阈值电压:3.9V@250µA
栅极电荷:31nC@10V
包装方式:管件
输入电容:785pF@100V
连续漏极电流:5.7A
类型:N沟道
导通电阻:950mΩ@3.6A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IPA50R190CEXKSA2
工作温度:-40℃~150℃
功率:32W
阈值电压:3.5V@510µA
栅极电荷:47.2nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1137pF@100V
连续漏极电流:18.5A
类型:N沟道
导通电阻:190mΩ@6.2A,13V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IPA60R125CFD7XKSA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:32W
阈值电压:4.5V@390µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:36nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1503pF@400V
连续漏极电流:11A
类型:N沟道
导通电阻:125mΩ@7.8A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FCD3400N80Z
工作温度:-55℃~150℃
功率:32W
阈值电压:4.5V@200µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:9.6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:400pF@100V
连续漏极电流:2A
类型:N沟道
导通电阻:3.4Ω@1A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存: