采购热线 400-661-9010
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STW33N60M2
工作温度：-55℃~150℃
功率：190W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：45.5nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1781pF@100V
连续漏极电流：26A
类型：N沟道
导通电阻：125mΩ@13A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STP33N60DM2
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功率：190W
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栅极电荷：43nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1870pF@100V
连续漏极电流：24A
类型：N沟道
导通电阻：130mΩ@12A，10V
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品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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分类：Mosfet场效应管
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行业应用：工业,汽车
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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行业应用：工业,汽车
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品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"19+"：16202}
销售单位：个
规格型号(MPN)：STB33N60M2
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功率：190W
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ECCN：EAR99
栅极电荷：45.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1781pF@100V
连续漏极电流：26A
类型：N沟道
导通电阻：125mΩ@13A，10V
漏源电压：600V
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库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STW33N60M2
工作温度：-55℃~150℃
类型：N沟道
包装方式：管件
输入电容：1781pF@100V
栅极电荷：45.5nC@10V
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功率：190W
连续漏极电流：26A
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库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：STP33N60DM6
工作温度：-55℃~150℃
功率：190W
阈值电压：4.75V@250µA
栅极电荷：35nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1500pF@100V
连续漏极电流：25A
类型：N沟道
导通电阻：128mΩ@12.5A，10V
漏源电压：600V
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品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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库存：
