品牌:FAIRCHILD
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDB070AN06A0
工作温度:-55℃~175℃
功率:175W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:66nC@10V
输入电容:3000pF@25V
连续漏极电流:15A€80A
类型:N沟道
导通电阻:7mΩ@80A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:GeneSiC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):G3R160MT17D
工作温度:-55℃~175℃
功率:175W
阈值电压:2.7V@5mA
栅极电荷:51nC@15V
包装方式:管件
输入电容:1272pF@1000V
连续漏极电流:21A
类型:N沟道
导通电阻:208mΩ@12A,15V
漏源电压:1700V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:FAIRCHILD
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDB070AN06A0
工作温度:-55℃~175℃
功率:175W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:66nC@10V
输入电容:3000pF@25V
连续漏极电流:15A€80A
类型:N沟道
导通电阻:7mΩ@80A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:GeneSiC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):G3R160MT17D
工作温度:-55℃~175℃
功率:175W
阈值电压:2.7V@5mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:51nC@15V
包装方式:管件
输入电容:1272pF@1000V
连续漏极电流:21A
类型:N沟道
导通电阻:208mΩ@12A,15V
漏源电压:1700V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SCT20N120
工作温度:-55℃~200℃
功率:175W
阈值电压:3.5V@1mA
栅极电荷:45nC@20V
包装方式:管件
输入电容:650pF@400V
连续漏极电流:20A
类型:N沟道
导通电阻:290mΩ@10A,20V
漏源电压:1200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:GeneSiC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):G3R160MT17D
工作温度:-55℃~175℃
功率:175W
阈值电压:2.7V@5mA
栅极电荷:51nC@15V
包装方式:管件
输入电容:1272pF@1000V
连续漏极电流:21A
类型:N沟道
导通电阻:208mΩ@12A,15V
漏源电压:1700V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:GeneSiC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):G3R160MT17D
工作温度:-55℃~175℃
功率:175W
阈值电压:2.7V@5mA
栅极电荷:51nC@15V
包装方式:管件
输入电容:1272pF@1000V
连续漏极电流:21A
类型:N沟道
导通电阻:208mΩ@12A,15V
漏源电压:1700V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:FAIRCHILD
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDB070AN06A0
工作温度:-55℃~175℃
功率:175W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:66nC@10V
输入电容:3000pF@25V
连续漏极电流:15A€80A
类型:N沟道
导通电阻:7mΩ@80A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":77000,"MI+":4000}
销售单位:个
规格型号(MPN):IPB47N10S33ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:175W
阈值电压:4V@2mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:105nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2500pF@25V
连续漏极电流:47A
类型:N沟道
导通电阻:33mΩ@33A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:GeneSiC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):G3R160MT17D
工作温度:-55℃~175℃
功率:175W
阈值电压:2.7V@5mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:51nC@15V
包装方式:管件
输入电容:1272pF@1000V
连续漏极电流:21A
类型:N沟道
导通电阻:208mΩ@12A,15V
漏源电压:1700V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SCT20N120
工作温度:-55℃~200℃
功率:175W
阈值电压:3.5V@1mA
栅极电荷:45nC@20V
包装方式:管件
输入电容:650pF@400V
连续漏极电流:20A
类型:N沟道
导通电阻:290mΩ@10A,20V
漏源电压:1200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:FAIRCHILD
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDB070AN06A0
工作温度:-55℃~175℃
功率:175W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:66nC@10V
输入电容:3000pF@25V
连续漏极电流:15A€80A
类型:N沟道
导通电阻:7mΩ@80A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SCT20N120
工作温度:-55℃~200℃
功率:175W
阈值电压:3.5V@1mA
栅极电荷:45nC@20V
包装方式:管件
输入电容:650pF@400V
连续漏极电流:20A
类型:N沟道
导通电阻:290mΩ@10A,20V
漏源电压:1200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDB070AN06A0
工作温度:-55℃~175℃
功率:175W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:66nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3000pF@25V
连续漏极电流:15A€80A
类型:N沟道
导通电阻:7mΩ@80A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:GeneSiC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):G3R160MT17D
工作温度:-55℃~175℃
功率:175W
阈值电压:2.7V@5mA
栅极电荷:51nC@15V
包装方式:管件
输入电容:1272pF@1000V
连续漏极电流:21A
类型:N沟道
导通电阻:208mΩ@12A,15V
漏源电压:1700V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:GeneSiC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):G3R160MT17D
工作温度:-55℃~175℃
功率:175W
阈值电压:2.7V@5mA
栅极电荷:51nC@15V
包装方式:管件
输入电容:1272pF@1000V
连续漏极电流:21A
类型:N沟道
导通电阻:208mΩ@12A,15V
漏源电压:1700V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SCT20N120H
工作温度:-55℃~200℃
功率:175W
阈值电压:3.5V@1mA
栅极电荷:45nC@20V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:650pF@400V
连续漏极电流:20A
类型:N沟道
导通电阻:290mΩ@10A,20V
漏源电压:1200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDP070AN06A0
工作温度:-55℃~175℃
功率:175W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:66nC@10V
包装方式:管件
输入电容:3000pF@25V
连续漏极电流:15A€80A
类型:N沟道
导通电阻:7mΩ@80A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:FAIRCHILD
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDB070AN06A0
工作温度:-55℃~175℃
功率:175W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:66nC@10V
输入电容:3000pF@25V
连续漏极电流:15A€80A
类型:N沟道
导通电阻:7mΩ@80A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:FAIRCHILD
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDB070AN06A0
工作温度:-55℃~175℃
功率:175W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:66nC@10V
输入电容:3000pF@25V
连续漏极电流:15A€80A
类型:N沟道
导通电阻:7mΩ@80A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:GeneSiC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):G3R160MT17D
工作温度:-55℃~175℃
功率:175W
阈值电压:2.7V@5mA
栅极电荷:51nC@15V
包装方式:管件
输入电容:1272pF@1000V
连续漏极电流:21A
类型:N沟道
导通电阻:208mΩ@12A,15V
漏源电压:1700V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDP070AN06A0
工作温度:-55℃~175℃
功率:175W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:66nC@10V
包装方式:管件
输入电容:3000pF@25V
连续漏极电流:15A€80A
类型:N沟道
导通电阻:7mΩ@80A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SCT20N120
工作温度:-55℃~200℃
功率:175W
阈值电压:3.5V@1mA
栅极电荷:45nC@20V
包装方式:管件
输入电容:650pF@400V
连续漏极电流:20A
类型:N沟道
导通电阻:290mΩ@10A,20V
漏源电压:1200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SCT20N120
工作温度:-55℃~200℃
功率:175W
阈值电压:3.5V@1mA
栅极电荷:45nC@20V
包装方式:管件
输入电容:650pF@400V
连续漏极电流:20A
类型:N沟道
导通电阻:290mΩ@10A,20V
漏源电压:1200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:GeneSiC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):G3R160MT17D
工作温度:-55℃~175℃
功率:175W
阈值电压:2.7V@5mA
栅极电荷:51nC@15V
包装方式:管件
输入电容:1272pF@1000V
连续漏极电流:21A
类型:N沟道
导通电阻:208mΩ@12A,15V
漏源电压:1700V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:FAIRCHILD
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDB070AN06A0
工作温度:-55℃~175℃
功率:175W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:66nC@10V
输入电容:3000pF@25V
连续漏极电流:15A€80A
类型:N沟道
导通电阻:7mΩ@80A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":77000,"MI+":4000}
销售单位:个
规格型号(MPN):IPB47N10S33ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:175W
阈值电压:4V@2mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:105nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2500pF@25V
连续漏极电流:47A
类型:N沟道
导通电阻:33mΩ@33A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SCTWA20N120
工作温度:-55℃~200℃
功率:175W
阈值电压:3.5V@1mA
栅极电荷:45nC@20V
包装方式:管件
输入电容:650pF@400V
连续漏极电流:20A
类型:N沟道
导通电阻:239mΩ@10A,20V
漏源电压:1200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDP070AN06A0
工作温度:-55℃~175℃
功率:175W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:66nC@10V
包装方式:管件
输入电容:3000pF@25V
连续漏极电流:15A€80A
类型:N沟道
导通电阻:7mΩ@80A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):APT4F120S
功率:175W
阈值电压:5V@500µA
栅极电荷:43nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1385pF@25V
连续漏极电流:4A
类型:N沟道
导通电阻:4.2Ω@2A,10V
漏源电压:1200V
包装清单:商品主体 * 1
库存: