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    VISHAY Mosfet场效应管 SQS660CENW-T1_GE3 起订3个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQS660CENW-T1_GE3 起订3个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQS660CENW-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:62.5W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:26nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1950pF@25V

    连续漏极电流:18A

    类型:N沟道

    导通电阻:11.2Ω@7A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQS484CENW-T1_GE3 起订3000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQS484CENW-T1_GE3 起订3000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQS484CENW-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:62.5W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:40nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2350pF@25V

    连续漏极电流:16A

    类型:N沟道

    导通电阻:9.5mΩ@10A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 BSZ900N20NS3GATMA1 起订2个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSZ900N20NS3GATMA1 起订2个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSZ900N20NS3GATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:62.5W

    阈值电压:4V@30µA

    栅极电荷:11.6nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:920pF@100V

    连续漏极电流:15.2A

    类型:N沟道

    导通电阻:90mΩ@7.6A,10V

    漏源电压:200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQSA12CENW-T1_GE3 起订3个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQSA12CENW-T1_GE3 起订3个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQSA12CENW-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:62.5W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:47nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2900pF@25V

    连续漏极电流:18A

    类型:N沟道

    导通电阻:22mΩ@7A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIRA24DP-T1-GE3 起订3个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIRA24DP-T1-GE3 起订3个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIRA24DP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:62.5W

    阈值电压:2.1V@250µA

    栅极电荷:26nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2650pF@10V

    连续漏极电流:60A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.4mΩ@15A,10V

    漏源电压:25V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC900N20NS3GATMA1 起订2个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC900N20NS3GATMA1 起订2个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSC900N20NS3GATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:62.5W

    阈值电压:4V@30µA

    栅极电荷:11.6nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:920pF@100V

    连续漏极电流:15.2A

    类型:N沟道

    导通电阻:90mΩ@7.6A,10V

    漏源电压:200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 BSZ300N15NS5ATMA1 起订5000个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSZ300N15NS5ATMA1 起订5000个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSZ300N15NS5ATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:62.5W

    阈值电压:4.6V@32µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:13nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:950pF@75V

    连续漏极电流:32A

    类型:N沟道

    导通电阻:30mΩ@16A,10V

    漏源电压:150V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD65R660CFDAATMA1 起订2个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD65R660CFDAATMA1 起订2个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPD65R660CFDAATMA1

    工作温度:-40℃~150℃

    功率:62.5W

    阈值电压:4.5V@214.55µA

    栅极电荷:20nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:543pF@100V

    连续漏极电流:6A

    类型:N沟道

    导通电阻:660mΩ@3.22A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC16DN25NS3GATMA1 起订1个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC16DN25NS3GATMA1 起订1个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSC16DN25NS3GATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:62.5W

    阈值电压:4V@32µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:11.4nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:920pF@100V

    连续漏极电流:10.9A

    类型:N沟道

    导通电阻:165mΩ@5.5A,10V

    漏源电压:250V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQSA12CENW-T1_GE3 起订3000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQSA12CENW-T1_GE3 起订3000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQSA12CENW-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:62.5W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:47nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2900pF@25V

    连续漏极电流:18A

    类型:N沟道

    导通电阻:22mΩ@7A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQS484CENW-T1_GE3 起订3个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQS484CENW-T1_GE3 起订3个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQS484CENW-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:62.5W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:40nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2350pF@25V

    连续漏极电流:16A

    类型:N沟道

    导通电阻:9.5mΩ@10A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQSA80ENW-T1_GE3 起订3000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQSA80ENW-T1_GE3 起订3000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQSA80ENW-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:62.5W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:21nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1358pF@40V

    连续漏极电流:18A

    类型:N沟道

    导通电阻:21mΩ@10A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHD2N80E-GE3 起订50个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHD2N80E-GE3 起订50个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIHD2N80E-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:62.5W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:19.6nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:315pF@100V

    连续漏极电流:2.8A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.75Ω@1A,10V

    漏源电压:800V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC900N20NS3GATMA1 起订2个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC900N20NS3GATMA1 起订2个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSC900N20NS3GATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:62.5W

    阈值电压:4V@30µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:11.6nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:920pF@100V

    连续漏极电流:15.2A

    类型:N沟道

    导通电阻:90mΩ@7.6A,10V

    漏源电压:200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC16DN25NS3GATMA1 起订5个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC16DN25NS3GATMA1 起订5个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSC16DN25NS3GATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:62.5W

    阈值电压:4V@32µA

    栅极电荷:11.4nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:920pF@100V

    连续漏极电流:10.9A

    类型:N沟道

    导通电阻:165mΩ@5.5A,10V

    漏源电压:250V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD65R660CFDATMA1 起订433个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD65R660CFDATMA1 起订433个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"12+":827}

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPD65R660CFDATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:62.5W

    阈值电压:4.5V@200µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:22nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:615pF@100V

    连续漏极电流:6A

    类型:N沟道

    导通电阻:660mΩ@2.1A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD65R660CFDAATMA1 起订2个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD65R660CFDAATMA1 起订2个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPD65R660CFDAATMA1

    工作温度:-40℃~150℃

    功率:62.5W

    阈值电压:4.5V@214.55µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:20nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:543pF@100V

    连续漏极电流:6A

    类型:N沟道

    导通电阻:660mΩ@3.22A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD65R660CFDAATMA1 起订2个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD65R660CFDAATMA1 起订2个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPD65R660CFDAATMA1

    工作温度:-40℃~150℃

    功率:62.5W

    阈值电压:4.5V@214.55µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:20nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:543pF@100V

    连续漏极电流:6A

    类型:N沟道

    导通电阻:660mΩ@3.22A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 BSZ900N20NS3GATMA1 起订2个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSZ900N20NS3GATMA1 起订2个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSZ900N20NS3GATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:62.5W

    阈值电压:4V@30µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:11.6nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:920pF@100V

    连续漏极电流:15.2A

    类型:N沟道

    导通电阻:90mΩ@7.6A,10V

    漏源电压:200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PH2525L,115 起订1527个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PH2525L,115 起订1527个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"17+":17518}

    销售单位:

    规格型号(MPN):PH2525L,115

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:62.5W

    阈值电压:2.15V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:34.7nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4470pF@12V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.5mΩ@25A,10V

    漏源电压:25V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 BSZ300N15NS5ATMA1 起订1000个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSZ300N15NS5ATMA1 起订1000个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"23+":6052,"24+":8148}

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSZ300N15NS5ATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:62.5W

    阈值电压:4.6V@32µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:13nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:950pF@75V

    连续漏极电流:32A

    类型:N沟道

    导通电阻:30mΩ@16A,10V

    漏源电压:150V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQS660CENW-T1_GE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQS660CENW-T1_GE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQS660CENW-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:62.5W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:26nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1950pF@25V

    连续漏极电流:18A

    类型:N沟道

    导通电阻:11.2Ω@7A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 BSZ300N15NS5ATMA1 起订5000个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSZ300N15NS5ATMA1 起订5000个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"23+":6052,"24+":8148}

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSZ300N15NS5ATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:62.5W

    阈值电压:4.6V@32µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:13nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:950pF@75V

    连续漏极电流:32A

    类型:N沟道

    导通电阻:30mΩ@16A,10V

    漏源电压:150V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQS484ENW-T1_GE3 起订1000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQS484ENW-T1_GE3 起订1000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQS484ENW-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:62.5W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:35nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1800pF@25V

    连续漏极电流:16A

    类型:N沟道

    导通电阻:8mΩ@10A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQSA12CENW-T1_GE3 起订1000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQSA12CENW-T1_GE3 起订1000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQSA12CENW-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:62.5W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:47nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2900pF@25V

    连续漏极电流:18A

    类型:N沟道

    导通电阻:22mΩ@7A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC900N20NS3GATMA1 起订500个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC900N20NS3GATMA1 起订500个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSC900N20NS3GATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:62.5W

    阈值电压:4V@30µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:11.6nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:920pF@100V

    连续漏极电流:15.2A

    类型:N沟道

    导通电阻:90mΩ@7.6A,10V

    漏源电压:200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQS660CENW-T1_GE3 起订500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQS660CENW-T1_GE3 起订500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQS660CENW-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:62.5W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:26nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1950pF@25V

    连续漏极电流:18A

    类型:N沟道

    导通电阻:11.2Ω@7A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD65R660CFDAATMA1 起订2500个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD65R660CFDAATMA1 起订2500个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPD65R660CFDAATMA1

    工作温度:-40℃~150℃

    功率:62.5W

    阈值电压:4.5V@214.55µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:20nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:543pF@100V

    连续漏极电流:6A

    类型:N沟道

    导通电阻:660mΩ@3.22A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQSA80ENW-T1_GE3 起订500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQSA80ENW-T1_GE3 起订500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQSA80ENW-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:62.5W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:21nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1358pF@40V

    连续漏极电流:18A

    类型:N沟道

    导通电阻:21mΩ@10A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQS660CENW-T1_GE3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQS660CENW-T1_GE3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQS660CENW-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:62.5W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:26nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1950pF@25V

    连续漏极电流:18A

    类型:N沟道

    导通电阻:11.2Ω@7A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

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