采购热线 400-661-9010
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IAUA220N08S5N021AUMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：211W
阈值电压：3.8V@120µA
栅极电荷：105nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7219pF@40V
连续漏极电流：220A
类型：N沟道
导通电阻：2.1mΩ@100A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IAUA220N08S5N021AUMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：211W
阈值电压：3.8V@120µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：105nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7219pF@40V
连续漏极电流：220A
类型：N沟道
导通电阻：2.1mΩ@100A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RJ1U330AAFRGTL
工作温度：150℃
功率：211W
阈值电压：5V@1mA
栅极电荷：80nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4500pF@25V
连续漏极电流：33A
类型：N沟道
导通电阻：105mΩ@16.5A，10V
漏源电压：250V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN4R6-60BS，118
工作温度：-55℃~175℃
功率：211W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：70.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4426pF@30V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：4.4mΩ@25A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN4R6-60BS，118
工作温度：-55℃~175℃
功率：211W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：70.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4426pF@30V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：4.4mΩ@25A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NXP
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"12+"：1600}
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUK9609-55A，118
工作温度：-55℃~175℃
功率：211W
阈值电压：2V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：60nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4633pF@25V
连续漏极电流：75A
类型：N沟道
导通电阻：8mΩ@25A，10V
漏源电压：55V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN4R6-60BS，118
工作温度：-55℃~175℃
功率：211W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：70.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4426pF@30V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：4.4mΩ@25A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN4R6-60BS，118
工作温度：-55℃~175℃
功率：211W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：70.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4426pF@30V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：4.4mΩ@25A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"21+"：289}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IMBG65R039M1HXTMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：211W
阈值电压：5.7V@7.5mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：41nC@18V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1393pF@400V
连续漏极电流：54A
类型：N沟道
导通电阻：51mΩ@25A，18V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN4R6-60BS，118
工作温度：-55℃~175℃
功率：211W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：70.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4426pF@30V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：4.4mΩ@25A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IAUA220N08S5N021AUMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：211W
阈值电压：3.8V@120µA
栅极电荷：105nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7219pF@40V
连续漏极电流：220A
类型：N沟道
导通电阻：2.1mΩ@100A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN4R6-60BS，118
工作温度：-55℃~175℃
功率：211W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：70.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4426pF@30V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：4.4mΩ@25A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"17+"：2125}
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN2R8-40BS，118
工作温度：-55℃~175℃
功率：211W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：71nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4491pF@20V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：2.9mΩ@10A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN9R5-100BS，118
工作温度：-55℃~175℃
功率：211W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：82nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4454pF@50V
连续漏极电流：89A
类型：N沟道
导通电阻：9.6mΩ@15A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN9R5-100BS，118
工作温度：-55℃~175℃
功率：211W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：82nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4454pF@50V
连续漏极电流：89A
类型：N沟道
导通电阻：9.6mΩ@15A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：14055，"23+"：1928}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IAUA220N08S5N021AUMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：211W
阈值电压：3.8V@120µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：105nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7219pF@40V
连续漏极电流：220A
类型：N沟道
导通电阻：2.1mΩ@100A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RJ1U330AAFRGTL
工作温度：150℃
功率：211W
阈值电压：5V@1mA
栅极电荷：80nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4500pF@25V
连续漏极电流：33A
类型：N沟道
导通电阻：105mΩ@16.5A，10V
漏源电压：250V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：14055，"23+"：1928}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IAUA220N08S5N021AUMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：211W
阈值电压：3.8V@120µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：105nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7219pF@40V
连续漏极电流：220A
类型：N沟道
导通电阻：2.1mΩ@100A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN4R6-60BS，118
工作温度：-55℃~175℃
功率：211W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：70.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4426pF@30V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：4.4mΩ@25A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IMBG65R039M1HXTMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：211W
阈值电压：5.7V@7.5mA
栅极电荷：41nC@18V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1393pF@400V
连续漏极电流：54A
类型：N沟道
导通电阻：51mΩ@25A，18V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RJ1U330AAFRGTL
工作温度：150℃
功率：211W
阈值电压：5V@1mA
栅极电荷：80nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4500pF@25V
连续漏极电流：33A
类型：N沟道
导通电阻：105mΩ@16.5A，10V
漏源电压：250V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"21+"：289}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IMBG65R039M1HXTMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：211W
阈值电压：5.7V@7.5mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：41nC@18V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1393pF@400V
连续漏极电流：54A
类型：N沟道
导通电阻：51mΩ@25A，18V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"17+"：2125}
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN2R8-40BS，118
工作温度：-55℃~175℃
功率：211W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：71nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4491pF@20V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：2.9mΩ@10A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN4R6-60BS，118
工作温度：-55℃~175℃
功率：211W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：70.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4426pF@30V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：4.4mΩ@25A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN4R6-60BS，118
工作温度：-55℃~175℃
功率：211W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：70.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4426pF@30V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：4.4mΩ@25A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN4R6-60BS，118
工作温度：-55℃~175℃
功率：211W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：70.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4426pF@30V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：4.4mΩ@25A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NXP
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"12+"：1600}
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUK9609-55A，118
工作温度：-55℃~175℃
功率：211W
阈值电压：2V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：60nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4633pF@25V
连续漏极电流：75A
类型：N沟道
导通电阻：8mΩ@25A，10V
漏源电压：55V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN4R6-60BS，118
工作温度：-55℃~175℃
功率：211W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：70.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4426pF@30V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：4.4mΩ@25A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IAUA220N08S5N021AUMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：211W
阈值电压：3.8V@120µA
栅极电荷：105nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7219pF@40V
连续漏极电流：220A
类型：N沟道
导通电阻：2.1mΩ@100A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN4R6-60BS，118
工作温度：-55℃~175℃
功率：211W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：70.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4426pF@30V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：4.4mΩ@25A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
