采购热线 400-661-9010
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM60NB1R4CH C5G
工作温度：-55℃~150℃
功率：28.4W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：7.12nC@10V
包装方式：管件
输入电容：257.3pF@100V
连续漏极电流：3A
类型：N沟道
导通电阻：1.4Ω@900mA，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"13+"：2370，"16+"：15000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPU60R1K4C6AKMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：28.4W
阈值电压：3.5V@90µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9.4nC@10V
包装方式：管件
输入电容：200pF@100V
连续漏极电流：3.2A
类型：N沟道
导通电阻：1.4Ω@1.1A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"16+"：12345，"9999"：428}
包装规格(MPQ)：500psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPP60R1K4C6XKSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：28.4W
阈值电压：3.5V@90µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：1.1nC@10V
包装方式：管件
输入电容：200pF@100V
连续漏极电流：3.2A
类型：N沟道
导通电阻：1.4Ω@1.1A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"16+"：12345，"9999"：428}
包装规格(MPQ)：500psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPP60R1K4C6XKSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：28.4W
阈值电压：3.5V@90µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：1.1nC@10V
包装方式：管件
输入电容：200pF@100V
连续漏极电流：3.2A
类型：N沟道
导通电阻：1.4Ω@1.1A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"13+"：2370，"16+"：15000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPU60R1K4C6AKMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：28.4W
阈值电压：3.5V@90µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9.4nC@10V
包装方式：管件
输入电容：200pF@100V
连续漏极电流：3.2A
类型：N沟道
导通电阻：1.4Ω@1.1A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM60NB1R4CH C5G
工作温度：-55℃~150℃
功率：28.4W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：7.12nC@10V
包装方式：管件
输入电容：257.3pF@100V
连续漏极电流：3A
类型：N沟道
导通电阻：1.4Ω@900mA，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
