品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SPW35N60C3FKSA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:313W
阈值电压:3.9V@1.9mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:200nC@10V
包装方式:管件
输入电容:4500pF@25V
连续漏极电流:34.6A
类型:N沟道
导通电阻:100mΩ@21.9A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MCC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):MCTL295N06Y-TP
工作温度:-55℃~150℃
功率:313W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:108nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:8350pF@30V
连续漏极电流:295A
类型:N沟道
导通电阻:2mΩ@20A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPB048N15N5LFATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:313W
阈值电压:4.9V@255µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:84nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:380pF@75V
连续漏极电流:120A
类型:N沟道
导通电阻:4.8mΩ@100A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):450psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NTHL082N65S3F
工作温度:-55℃~150℃
功率:313W
阈值电压:5V@4mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:81nC@10V
包装方式:管件
输入电容:3410pF@400V
连续漏极电流:40A
类型:N沟道
导通电阻:82mΩ@20A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NTB082N65S3F
工作温度:-55℃~150℃
功率:313W
阈值电压:5V@4mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:81nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3410pF@400V
连续漏极电流:40A
类型:N沟道
导通电阻:82mΩ@20A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPW60R075CPFKSA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:313W
阈值电压:3.5V@1.7mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:116nC@10V
包装方式:管件
输入电容:4000pF@100V
连续漏极电流:39A
类型:N沟道
导通电阻:75mΩ@26A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):25psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF200P223
工作温度:-55℃~175℃
功率:313W
阈值电压:4V@270µA
栅极电荷:102nC@10V
包装方式:管件
输入电容:5094pF@50V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:11.5mΩ@60A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPB048N15N5LFATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:313W
阈值电压:4.9V@255µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:84nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:380pF@75V
连续漏极电流:120A
类型:N沟道
导通电阻:4.8mΩ@100A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NTB082N65S3F
工作温度:-55℃~150℃
功率:313W
阈值电压:5V@4mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:81nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3410pF@400V
连续漏极电流:40A
类型:N沟道
导通电阻:82mΩ@20A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SPW35N60CFDFKSA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:313W
阈值电压:5V@1.9mA
栅极电荷:212nC@10V
包装方式:管件
输入电容:5060pF@25V
连续漏极电流:34.1A
类型:N沟道
导通电阻:118mΩ@21.6A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTP082N65S3F
工作温度:-55℃~150℃
功率:313W
阈值电压:5V@4mA
栅极电荷:81nC@10V
包装方式:管件
输入电容:3410pF@400V
连续漏极电流:40A
类型:N沟道
导通电阻:82mΩ@20A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STW26NM50
工作温度:150℃
功率:313W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:106nC@10V
包装方式:管件
输入电容:3000pF@25V
连续漏极电流:30A
类型:N沟道
导通电阻:120mΩ@13A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):25psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF300P227
工作温度:-55℃~175℃
功率:313W
阈值电压:4V@270µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:107nC@10V
包装方式:管件
输入电容:4893pF@50V
连续漏极电流:50A
类型:N沟道
导通电阻:40mΩ@30A,10V
漏源电压:300V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STW26NM50
工作温度:150℃
功率:313W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:106nC@10V
包装方式:管件
输入电容:3000pF@25V
连续漏极电流:30A
类型:N沟道
导通电阻:120mΩ@13A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):450psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NTHL082N65S3F
工作温度:-55℃~150℃
功率:313W
阈值电压:5V@4mA
栅极电荷:81nC@10V
包装方式:管件
输入电容:3410pF@400V
连续漏极电流:40A
类型:N沟道
导通电阻:82mΩ@20A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTP082N65S3F
工作温度:-55℃~150℃
功率:313W
阈值电压:5V@4mA
栅极电荷:81nC@10V
包装方式:管件
输入电容:3410pF@400V
连续漏极电流:40A
类型:N沟道
导通电阻:82mΩ@20A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"21+":75}
销售单位:个
规格型号(MPN):IPW60R075CPAFKSA1
工作温度:-40℃~150℃
功率:313W
阈值电压:3.5V@1.74mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:116nC@10V
包装方式:管件
输入电容:4000pF@100V
连续漏极电流:39A
类型:N沟道
导通电阻:75mΩ@26A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDB38N30U
工作温度:-55℃~150℃
功率:313W
阈值电压:5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:73nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3340pF@25V
连续漏极电流:38A
类型:N沟道
导通电阻:120mΩ@19A,10V
漏源电压:300V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):25psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF250P224
工作温度:-55℃~175℃
功率:313W
阈值电压:4V@270µA
栅极电荷:203nC@10V
包装方式:管件
输入电容:9915pF@50V
连续漏极电流:96A
类型:N沟道
导通电阻:12mΩ@58A,10V
漏源电压:250V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPB020N10N5LFATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:313W
阈值电压:4.1V@270µA
栅极电荷:195nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:840pF@50V
连续漏极电流:120A
类型:N沟道
导通电阻:2mΩ@100A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTP082N65S3F
工作温度:-55℃~150℃
功率:313W
阈值电压:5V@4mA
栅极电荷:81nC@10V
包装方式:管件
输入电容:3410pF@400V
连续漏极电流:40A
类型:N沟道
导通电阻:82mΩ@20A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPB020N10N5LFATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:313W
阈值电压:4.1V@270µA
栅极电荷:195nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:840pF@50V
连续漏极电流:120A
类型:N沟道
导通电阻:2mΩ@100A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPB020N10N5LFATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:313W
阈值电压:4.1V@270µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:195nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:840pF@50V
连续漏极电流:120A
类型:N沟道
导通电阻:2mΩ@100A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":1116,"MI+":1000}
销售单位:个
规格型号(MPN):IPB017N10N5LFATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:313W
阈值电压:4.1V@270µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:195nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:840pF@50V
连续漏极电流:180A
类型:N沟道
导通电阻:1.7mΩ@100A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):450psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NTHL082N65S3F
工作温度:-55℃~150℃
功率:313W
阈值电压:5V@4mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:81nC@10V
包装方式:管件
输入电容:3410pF@400V
连续漏极电流:40A
类型:N沟道
导通电阻:82mΩ@20A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTHL082N65S3HF
工作温度:-55℃~150℃
功率:313W
阈值电压:5V@1mA
栅极电荷:79nC@10V
包装方式:管件
输入电容:3330pF@400V
连续漏极电流:40A
类型:N沟道
导通电阻:82mΩ@20A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MCC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):MCTL295N06Y-TP
工作温度:-55℃~150℃
功率:313W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:108nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:8350pF@30V
连续漏极电流:295A
类型:N沟道
导通电阻:2mΩ@20A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):25psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF250P224
工作温度:-55℃~175℃
功率:313W
阈值电压:4V@270µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:203nC@10V
包装方式:管件
输入电容:9915pF@50V
连续漏极电流:96A
类型:N沟道
导通电阻:12mΩ@58A,10V
漏源电压:250V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPW60R075CPFKSA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:313W
阈值电压:3.5V@1.7mA
栅极电荷:116nC@10V
包装方式:管件
输入电容:4000pF@100V
连续漏极电流:39A
类型:N沟道
导通电阻:75mΩ@26A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTHL082N65S3HF
工作温度:-55℃~150℃
功率:313W
阈值电压:5V@1mA
栅极电荷:79nC@10V
包装方式:管件
输入电容:3330pF@400V
连续漏极电流:40A
类型:N沟道
导通电阻:82mΩ@20A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存: