采购热线 400-661-9010
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPC100N04S5L1R9ATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：100W
阈值电压：2V@50µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：81nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4310pF@25V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：1.9mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPC100N04S5L1R9ATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：100W
阈值电压：2V@50µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：81nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4310pF@25V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：1.9mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQB5N60CTM-WS
功率：100W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：19nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：670pF@25V
连续漏极电流：4.5A
类型：N沟道
导通电阻：2.5Ω@2.25A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：GIGADEVICE
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK290P60Y，RQ
工作温度：150℃
功率：100W
阈值电压：4V@450µA
栅极电荷：25nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：730pF@300V
连续漏极电流：11.5A
类型：N沟道
导通电阻：290mΩ@5.8A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD25NF10T4
工作温度：-55℃~175℃
功率：100W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：55nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1550pF@25V
连续漏极电流：25A
类型：N沟道
导通电阻：38mΩ@12.5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK12P60W，RVQ(S
工作温度：150℃
功率：100W
阈值电压：3.7V@600µA
栅极电荷：25nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：890pF@300V
连续漏极电流：11.5A
类型：N沟道
导通电阻：340mΩ@5.8A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD50N10S3L16ATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：100W
阈值电压：2.4V@60µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：64nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4180pF@25V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：15mΩ@50A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STB12NM50ND
工作温度：150℃
功率：100W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：30nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：850pF@50V
连续漏极电流：11A
类型：N沟道
导通电阻：380mΩ@5.5A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK7P50D(T6RSS-Q)
工作温度：150℃
功率：100W
阈值电压：4.4V@1mA
栅极电荷：12nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：600pF@25V
连续漏极电流：7A
类型：N沟道
导通电阻：1.22Ω@3.5A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFB4020PBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：100W
阈值电压：4.9V@100µA
栅极电荷：29nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1200pF@50V
连续漏极电流：18A
类型：N沟道
导通电阻：100mΩ@11A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK12P60W，RVQ
工作温度：150℃
功率：100W
阈值电压：3.7V@600µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：25nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：890pF@300V
连续漏极电流：11.5A
类型：N沟道
导通电阻：340mΩ@5.8A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD5NM50T4
工作温度：-55℃~150℃
功率：100W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：13nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：415pF@25V
连续漏极电流：7.5A
类型：N沟道
导通电阻：800mΩ@2.5A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMT32M5LPS-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：100W
阈值电压：3V@1mA
栅极电荷：68nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3944pF@25V
连续漏极电流：150A
类型：N沟道
导通电阻：2mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFB4020PBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：100W
阈值电压：4.9V@100µA
栅极电荷：29nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1200pF@50V
连续漏极电流：18A
类型：N沟道
导通电阻：100mΩ@11A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STB8NM60T4
工作温度：-55℃~150℃
功率：100W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：18nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：400pF@25V
连续漏极电流：8A
类型：N沟道
导通电阻：1Ω@2.5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFB4020PBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：100W
阈值电压：4.9V@100µA
栅极电荷：29nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1200pF@50V
连续漏极电流：18A
类型：N沟道
导通电阻：100mΩ@11A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD26NF10
工作温度：-55℃~175℃
功率：100W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：55nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1550pF@25V
连续漏极电流：25A
类型：N沟道
导通电阻：38mΩ@12.5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD30N06S223ATMA2
工作温度：-55℃~175℃
功率：100W
阈值电压：4V@50µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：32nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：901pF@25V
连续漏极电流：30A
类型：N沟道
导通电阻：23mΩ@21A，10V
漏源电压：55V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPB50N10S3L16ATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：100W
阈值电压：2.4V@60µA
栅极电荷：64nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4180pF@25V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：15.4mΩ@50A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"18+"：6，"22+"：2004}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD30N06S2L23ATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：100W
阈值电压：2V@50µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：42nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1091pF@25V
连续漏极电流：30A
类型：N沟道
导通电阻：23mΩ@22A，10V
漏源电压：55V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD26NF10
工作温度：-55℃~175℃
功率：100W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：55nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1550pF@25V
连续漏极电流：25A
类型：N沟道
导通电阻：38mΩ@12.5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD26NF10
工作温度：-55℃~175℃
功率：100W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：55nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1550pF@25V
连续漏极电流：25A
类型：N沟道
导通电阻：38mΩ@12.5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD25NF10T4
工作温度：-55℃~175℃
功率：100W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：55nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1550pF@25V
连续漏极电流：25A
类型：N沟道
导通电阻：38mΩ@12.5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD60NF55LT4
工作温度：-55℃~175℃
功率：100W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：56nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1950pF@25V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：15mΩ@30A，10V
漏源电压：55V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IAUC100N04S6L014ATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：100W
阈值电压：2V@50µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：65nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3935pF@25V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：1.4mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IAUC100N04S6L014ATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：100W
阈值电压：2V@50µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：65nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3935pF@25V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：1.4mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD16NF25
工作温度：-55℃~150℃
功率：100W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：18nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：680pF@25V
连续漏极电流：14A
类型：N沟道
导通电阻：235mΩ@6.5A，10V
漏源电压：250V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"18+"：2120，"23+"：4592，"MI+"：5875}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD30N06S223ATMA2
工作温度：-55℃~175℃
功率：100W
阈值电压：4V@50µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：32nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：901pF@25V
连续漏极电流：30A
类型：N沟道
导通电阻：23mΩ@21A，10V
漏源电压：55V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：19566，"MI+"：1000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPB50N12S3L15ATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：100W
阈值电压：2.4V@60µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：57nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4180pF@25V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：15.7mΩ@50A，10V
漏源电压：120V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFS4020TRLPBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：100W
阈值电压：4.9V@100µA
栅极电荷：29nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1200pF@50V
连续漏极电流：18A
类型：N沟道
导通电阻：105mΩ@11A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
