品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIRA64DP-T1-RE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:27.8W
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:65nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3420pF@15V
连续漏极电流:60A
类型:N沟道
导通电阻:2.1mΩ@10A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"23+":400}
销售单位:个
规格型号(MPN):IPA65R660CFDXKSA2
工作温度:-55℃~150℃
功率:27.8W
阈值电压:4.5V@200µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:22nC@10V
包装方式:管件
输入电容:615pF@100V
连续漏极电流:6A
类型:N沟道
导通电阻:660mΩ@2.1A,10V
漏源电压:700V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":1800,"MI+":1800}
销售单位:个
规格型号(MPN):FCU4300N80Z
工作温度:-55℃~150℃
功率:27.8W
阈值电压:4.5V@160µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:8.8nC@10V
包装方式:管件
输入电容:355pF@100V
连续漏极电流:1.6A
类型:N沟道
导通电阻:4.3Ω@800mA,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:AOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AOTF15S60L
工作温度:-55℃~150℃
功率:27.8W
阈值电压:3.8V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:15.6nC@10V
包装方式:管件
输入电容:717pF@100V
连续漏极电流:15A
类型:N沟道
导通电阻:290mΩ@7.5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIRA64DP-T1-RE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:27.8W
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:65nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3420pF@15V
连续漏极电流:60A
类型:N沟道
导通电阻:2.1mΩ@10A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMT3006LFG-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:27.8W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:22.6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1320pF@15V
连续漏极电流:16A€55.6A
类型:N沟道
导通电阻:6mΩ@12A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMT3006LFG-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:27.8W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:22.6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1320pF@15V
连续漏极电流:16A€55.6A
类型:N沟道
导通电阻:6mΩ@12A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMT3006LFG-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:27.8W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:22.6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1320pF@15V
连续漏极电流:16A€55.6A
类型:N沟道
导通电阻:6mΩ@12A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMT3006LFG-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:27.8W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:22.6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1320pF@15V
连续漏极电流:16A€55.6A
类型:N沟道
导通电阻:6mΩ@12A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FCU4300N80Z
工作温度:-55℃~150℃
功率:27.8W
阈值电压:4.5V@160µA
栅极电荷:8.8nC@10V
包装方式:管件
输入电容:355pF@100V
连续漏极电流:1.6A
类型:N沟道
导通电阻:4.3Ω@800mA,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIRA64DP-T1-RE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:27.8W
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:65nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3420pF@15V
连续漏极电流:60A
类型:N沟道
导通电阻:2.1mΩ@10A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIRA64DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:27.8W
阈值电压:2.2V@250µA
栅极电荷:65nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3420pF@15V
连续漏极电流:60A
类型:N沟道
导通电阻:2.1mΩ@10A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIRA64DP-T1-RE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:27.8W
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:65nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3420pF@15V
连续漏极电流:60A
类型:N沟道
导通电阻:2.1mΩ@10A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIRA64DP-T1-RE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:27.8W
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:65nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3420pF@15V
连续漏极电流:60A
类型:N沟道
导通电阻:2.1mΩ@10A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIRA64DP-T1-RE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:27.8W
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:65nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3420pF@15V
连续漏极电流:60A
类型:N沟道
导通电阻:2.1mΩ@10A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":1800,"MI+":1800}
销售单位:个
规格型号(MPN):FCU4300N80Z
工作温度:-55℃~150℃
功率:27.8W
阈值电压:4.5V@160µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:8.8nC@10V
包装方式:管件
输入电容:355pF@100V
连续漏极电流:1.6A
类型:N沟道
导通电阻:4.3Ω@800mA,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIRA64DP-T1-RE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:27.8W
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:65nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3420pF@15V
连续漏极电流:60A
类型:N沟道
导通电阻:2.1mΩ@10A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:AOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AOTF15S60L
工作温度:-55℃~150℃
功率:27.8W
阈值电压:3.8V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:15.6nC@10V
包装方式:管件
输入电容:717pF@100V
连续漏极电流:15A
类型:N沟道
导通电阻:290mΩ@7.5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIRA64DP-T1-RE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:27.8W
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:65nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3420pF@15V
连续漏极电流:60A
类型:N沟道
导通电阻:2.1mΩ@10A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIRA64DP-T1-RE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:27.8W
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:65nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3420pF@15V
连续漏极电流:60A
类型:N沟道
导通电阻:2.1mΩ@10A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):AOWF11N60
工作温度:-55℃~150℃
功率:27.8W
阈值电压:4.5V@250µA
栅极电荷:37nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1990pF@25V
连续漏极电流:11A
类型:N沟道
导通电阻:650mΩ@5.5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMT3006LFG-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:27.8W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:22.6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1320pF@15V
连续漏极电流:16A€55.6A
类型:N沟道
导通电阻:6mΩ@12A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIRA64DP-T1-RE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:27.8W
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:65nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3420pF@15V
连续漏极电流:60A
类型:N沟道
导通电阻:2.1mΩ@10A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMT3006LFG-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:27.8W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:22.6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1320pF@15V
连续漏极电流:16A€55.6A
类型:N沟道
导通电阻:6mΩ@12A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMT3006LFG-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:27.8W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:22.6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1320pF@15V
连续漏极电流:16A€55.6A
类型:N沟道
导通电阻:6mΩ@12A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMT3006LFG-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:27.8W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:22.6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1320pF@15V
连续漏极电流:16A€55.6A
类型:N沟道
导通电阻:6mΩ@12A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
生产批次:{"23+":400}
规格型号(MPN):IPA65R660CFDXKSA2
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
阈值电压:4.5V@200µA
输入电容:615pF@100V
导通电阻:660mΩ@2.1A,10V
漏源电压:700V
包装方式:管件
功率:27.8W
栅极电荷:22nC@10V
连续漏极电流:6A
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:AOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AOTF15S60L
工作温度:-55℃~150℃
功率:27.8W
阈值电压:3.8V@250µA
栅极电荷:15.6nC@10V
包装方式:管件
输入电容:717pF@100V
连续漏极电流:15A
类型:N沟道
导通电阻:290mΩ@7.5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIRA64DP-T1-RE3
栅极电荷:65nC@10V
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
输入电容:3420pF@15V
类型:N沟道
导通电阻:2.1mΩ@10A,10V
连续漏极电流:60A
阈值电压:2.2V@250µA
功率:27.8W
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMT3006LFG-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:27.8W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:22.6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1320pF@15V
连续漏极电流:16A€55.6A
类型:N沟道
导通电阻:6mΩ@12A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存: