品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD50N06S214ATMA2
工作温度:-55℃~175℃
功率:136W
阈值电压:4V@80µA
栅极电荷:52nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1485pF@25V
连续漏极电流:50A
类型:N沟道
导通电阻:14.4mΩ@32A,10V
漏源电压:55V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"18+":1615,"20+":2451,"23+":9336,"MI+":2417}
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD50N03S207ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:136W
阈值电压:4V@85µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:68nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2000pF@25V
连续漏极电流:50A
类型:N沟道
导通电阻:7.3mΩ@50A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD50N06S214ATMA2
工作温度:-55℃~175℃
功率:136W
阈值电压:4V@80µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:52nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1485pF@25V
连续漏极电流:50A
类型:N沟道
导通电阻:14.4mΩ@32A,10V
漏源电压:55V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD50N06S2L13ATMA2
工作温度:-55℃~175℃
功率:136W
阈值电压:2V@80µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:69nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1800pF@25V
连续漏极电流:50A
类型:N沟道
导通电阻:12.7mΩ@34A,10V
漏源电压:55V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD50N06S214ATMA2
工作温度:-55℃~175℃
功率:136W
阈值电压:4V@80µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:52nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1485pF@25V
连续漏极电流:50A
类型:N沟道
导通电阻:14.4mΩ@32A,10V
漏源电压:55V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQD50N10-8M9L_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:136W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:70nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2950pF@25V
连续漏极电流:50A
类型:N沟道
导通电阻:8.9mΩ@15A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQD50N10-8M9L_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:136W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:70nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2950pF@25V
连续漏极电流:50A
类型:N沟道
导通电阻:8.9mΩ@15A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"23+":19172,"MI+":10374}
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD50N03S2L06ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:136W
阈值电压:2V@85µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:68nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1900pF@25V
连续漏极电流:50A
类型:N沟道
导通电阻:6.4mΩ@50A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"23+":19172,"MI+":10374}
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD50N03S2L06ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:136W
阈值电压:2V@85µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:68nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1900pF@25V
连续漏极电流:50A
类型:N沟道
导通电阻:6.4mΩ@50A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD50N06S214ATMA2
工作温度:-55℃~175℃
功率:136W
阈值电压:4V@80µA
栅极电荷:52nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1485pF@25V
连续漏极电流:50A
类型:N沟道
导通电阻:14.4mΩ@32A,10V
漏源电压:55V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD50N03S2L06ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:136W
阈值电压:2V@85µA
栅极电荷:68nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1900pF@25V
连续漏极电流:50A
类型:N沟道
导通电阻:6.4mΩ@50A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD50N03S2L06ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:136W
阈值电压:2V@85µA
栅极电荷:68nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1900pF@25V
连续漏极电流:50A
类型:N沟道
导通电阻:6.4mΩ@50A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQD50N04-4M5L_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:136W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:130nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5860pF@25V
连续漏极电流:50A
类型:N沟道
导通电阻:3.5mΩ@20A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD50N06S2L13ATMA2
工作温度:-55℃~175℃
功率:136W
阈值电压:2V@80µA
栅极电荷:69nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1800pF@25V
连续漏极电流:50A
类型:N沟道
导通电阻:12.7mΩ@34A,10V
漏源电压:55V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD50N03S2L06ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:136W
阈值电压:2V@85µA
栅极电荷:68nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1900pF@25V
连续漏极电流:50A
类型:N沟道
导通电阻:6.4mΩ@50A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD50N06S2L13ATMA2
工作温度:-55℃~175℃
功率:136W
阈值电压:2V@80µA
栅极电荷:69nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1800pF@25V
连续漏极电流:50A
类型:N沟道
导通电阻:12.7mΩ@34A,10V
漏源电压:55V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQD50N04-4M5L_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:136W
阈值电压:2.5V@250µA
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包装方式:卷带(TR)
输入电容:5860pF@25V
连续漏极电流:50A
类型:N沟道
导通电阻:3.5mΩ@20A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQD50N04-4M5L_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:136W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:130nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5860pF@25V
连续漏极电流:50A
类型:N沟道
导通电阻:3.5mΩ@20A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"18+":1615,"20+":2451,"23+":9336,"MI+":2417}
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD50N03S207ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:136W
阈值电压:4V@85µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:68nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2000pF@25V
连续漏极电流:50A
类型:N沟道
导通电阻:7.3mΩ@50A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD50N06S2L13ATMA2
工作温度:-55℃~175℃
功率:136W
阈值电压:2V@80µA
栅极电荷:69nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1800pF@25V
连续漏极电流:50A
类型:N沟道
导通电阻:12.7mΩ@34A,10V
漏源电压:55V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"17+":2480}
销售单位:个
规格型号(MPN):SPD50N03S207GBTMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:136W
阈值电压:4V@85µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:46.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2170pF@25V
连续漏极电流:50A
类型:N沟道
导通电阻:7.3mΩ@50A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"23+":19172,"MI+":10374}
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD50N03S2L06ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:136W
阈值电压:2V@85µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:68nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1900pF@25V
连续漏极电流:50A
类型:N沟道
导通电阻:6.4mΩ@50A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD50N06S214ATMA2
工作温度:-55℃~175℃
功率:136W
阈值电压:4V@80µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:52nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1485pF@25V
连续漏极电流:50A
类型:N沟道
导通电阻:14.4mΩ@32A,10V
漏源电压:55V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQD50N10-8M9L_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:136W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:70nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2950pF@25V
连续漏极电流:50A
类型:N沟道
导通电阻:8.9mΩ@15A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD50N03S2L06ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:136W
阈值电压:2V@85µA
栅极电荷:68nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1900pF@25V
连续漏极电流:50A
类型:N沟道
导通电阻:6.4mΩ@50A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"18+":1615,"20+":2451,"23+":9336,"MI+":2417}
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD50N03S207ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:136W
阈值电压:4V@85µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:68nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2000pF@25V
连续漏极电流:50A
类型:N沟道
导通电阻:7.3mΩ@50A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQD50N04-4M5L_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:136W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:130nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5860pF@25V
连续漏极电流:50A
类型:N沟道
导通电阻:3.5mΩ@20A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD50N06S2L13ATMA2
工作温度:-55℃~175℃
功率:136W
阈值电压:2V@80µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:69nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1800pF@25V
连续漏极电流:50A
类型:N沟道
导通电阻:12.7mΩ@34A,10V
漏源电压:55V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD50N06S214ATMA2
工作温度:-55℃~175℃
功率:136W
阈值电压:4V@80µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:52nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1485pF@25V
连续漏极电流:50A
类型:N沟道
导通电阻:14.4mΩ@32A,10V
漏源电压:55V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQD50N10-8M9L_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:136W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:70nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2950pF@25V
连续漏极电流:50A
类型:N沟道
导通电阻:8.9mΩ@15A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存: