品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPL60R125P7AUMA1
工作温度:-40℃~150℃
功率:111W
阈值电压:4V@410µA
栅极电荷:36nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1544pF@400V
连续漏极电流:27A
类型:N沟道
导通电阻:125mΩ@8.2A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):34psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NVH4L160N120SC1
工作温度:-55℃~175℃
功率:111W
栅极电荷:34nC@20V
包装方式:管件
输入电容:665pF@800V
连续漏极电流:17.3A
类型:N沟道
导通电阻:224mΩ@12A,20V
漏源电压:1200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPL60R125P7AUMA1
工作温度:-40℃~150℃
功率:111W
阈值电压:4V@410µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:36nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1544pF@400V
连续漏极电流:27A
类型:N沟道
导通电阻:125mΩ@8.2A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NTH4L160N120SC1
工作温度:-55℃~175℃
功率:111W
ECCN:EAR99
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包装方式:管件
输入电容:665pF@800V
连续漏极电流:17.3A
类型:N沟道
导通电阻:224mΩ@12A,20V
漏源电压:1200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):34psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NVH4L160N120SC1
工作温度:-55℃~175℃
功率:111W
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包装方式:管件
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连续漏极电流:17.3A
类型:N沟道
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漏源电压:1200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):34psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NVH4L160N120SC1
工作温度:-55℃~175℃
功率:111W
栅极电荷:34nC@20V
包装方式:管件
输入电容:665pF@800V
连续漏极电流:17.3A
类型:N沟道
导通电阻:224mΩ@12A,20V
漏源电压:1200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):34psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NVH4L160N120SC1
工作温度:-55℃~175℃
功率:111W
栅极电荷:34nC@20V
包装方式:管件
输入电容:665pF@800V
连续漏极电流:17.3A
类型:N沟道
导通电阻:224mΩ@12A,20V
漏源电压:1200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):34psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NVH4L160N120SC1
工作温度:-55℃~175℃
功率:111W
栅极电荷:34nC@20V
包装方式:管件
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连续漏极电流:17.3A
类型:N沟道
导通电阻:224mΩ@12A,20V
漏源电压:1200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPL60R125P7AUMA1
工作温度:-40℃~150℃
功率:111W
阈值电压:4V@410µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:36nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1544pF@400V
连续漏极电流:27A
类型:N沟道
导通电阻:125mΩ@8.2A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NTH4L160N120SC1
工作温度:-55℃~175℃
功率:111W
ECCN:EAR99
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包装方式:管件
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连续漏极电流:17.3A
类型:N沟道
导通电阻:224mΩ@12A,20V
漏源电压:1200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPL60R125P7AUMA1
工作温度:-40℃~150℃
功率:111W
阈值电压:4V@410µA
ECCN:EAR99
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连续漏极电流:27A
类型:N沟道
导通电阻:125mΩ@8.2A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):34psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NVH4L160N120SC1
工作温度:-55℃~175℃
功率:111W
栅极电荷:34nC@20V
包装方式:管件
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连续漏极电流:17.3A
类型:N沟道
导通电阻:224mΩ@12A,20V
漏源电压:1200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NTH4L160N120SC1
工作温度:-55℃~175℃
功率:111W
ECCN:EAR99
栅极电荷:34nC@20V
包装方式:管件
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连续漏极电流:17.3A
类型:N沟道
导通电阻:224mΩ@12A,20V
漏源电压:1200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPL60R125P7AUMA1
工作温度:-40℃~150℃
功率:111W
阈值电压:4V@410µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:36nC@10V
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连续漏极电流:27A
类型:N沟道
导通电阻:125mΩ@8.2A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPL60R125P7AUMA1
工作温度:-40℃~150℃
功率:111W
阈值电压:4V@410µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:36nC@10V
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连续漏极电流:27A
类型:N沟道
导通电阻:125mΩ@8.2A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPL60R125P7AUMA1
工作温度:-40℃~150℃
功率:111W
阈值电压:4V@410µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:36nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1544pF@400V
连续漏极电流:27A
类型:N沟道
导通电阻:125mΩ@8.2A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPL60R125P7AUMA1
工作温度:-40℃~150℃
功率:111W
阈值电压:4V@410µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:36nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1544pF@400V
连续漏极电流:27A
类型:N沟道
导通电阻:125mΩ@8.2A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPL60R125P7AUMA1
工作温度:-40℃~150℃
功率:111W
阈值电压:4V@410µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:36nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1544pF@400V
连续漏极电流:27A
类型:N沟道
导通电阻:125mΩ@8.2A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):34psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NVH4L160N120SC1
工作温度:-55℃~175℃
功率:111W
栅极电荷:34nC@20V
包装方式:管件
输入电容:665pF@800V
连续漏极电流:17.3A
类型:N沟道
导通电阻:224mΩ@12A,20V
漏源电压:1200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):34psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NVH4L160N120SC1
工作温度:-55℃~175℃
功率:111W
栅极电荷:34nC@20V
包装方式:管件
输入电容:665pF@800V
连续漏极电流:17.3A
类型:N沟道
导通电阻:224mΩ@12A,20V
漏源电压:1200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):34psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NVH4L160N120SC1
工作温度:-55℃~175℃
功率:111W
栅极电荷:34nC@20V
包装方式:管件
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连续漏极电流:17.3A
类型:N沟道
导通电阻:224mΩ@12A,20V
漏源电压:1200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):34psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NVH4L160N120SC1
工作温度:-55℃~175℃
功率:111W
栅极电荷:34nC@20V
包装方式:管件
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连续漏极电流:17.3A
类型:N沟道
导通电阻:224mΩ@12A,20V
漏源电压:1200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPL60R125P7AUMA1
工作温度:-40℃~150℃
功率:111W
阈值电压:4V@410µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:36nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1544pF@400V
连续漏极电流:27A
类型:N沟道
导通电阻:125mΩ@8.2A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):34psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NVH4L160N120SC1
工作温度:-55℃~175℃
功率:111W
栅极电荷:34nC@20V
包装方式:管件
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连续漏极电流:17.3A
类型:N沟道
导通电阻:224mΩ@12A,20V
漏源电压:1200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPL60R125P7AUMA1
包装方式:卷带(TR)
导通电阻:125mΩ@8.2A,10V
输入电容:1544pF@400V
类型:N沟道
栅极电荷:36nC@10V
漏源电压:600V
工作温度:-40℃~150℃
连续漏极电流:27A
ECCN:EAR99
阈值电压:4V@410µA
功率:111W
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NTH4L160N120SC1
工作温度:-55℃~175℃
功率:111W
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包装方式:管件
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类型:N沟道
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漏源电压:1200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NTH4L160N120SC1
栅极电荷:34nC@20V
连续漏极电流:17.3A
输入电容:665pF@800V
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类型:N沟道
漏源电压:1200V
工作温度:-55℃~175℃
包装方式:管件
ECCN:EAR99
功率:111W
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NTH4L160N120SC1
栅极电荷:34nC@20V
连续漏极电流:17.3A
输入电容:665pF@800V
导通电阻:224mΩ@12A,20V
类型:N沟道
漏源电压:1200V
工作温度:-55℃~175℃
包装方式:管件
ECCN:EAR99
功率:111W
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NTH4L160N120SC1
工作温度:-55℃~175℃
功率:111W
ECCN:EAR99
栅极电荷:34nC@20V
包装方式:管件
输入电容:665pF@800V
连续漏极电流:17.3A
类型:N沟道
导通电阻:224mΩ@12A,20V
漏源电压:1200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NTH4L160N120SC1
工作温度:-55℃~175℃
功率:111W
ECCN:EAR99
栅极电荷:34nC@20V
包装方式:管件
输入电容:665pF@800V
连续漏极电流:17.3A
类型:N沟道
导通电阻:224mΩ@12A,20V
漏源电压:1200V
包装清单:商品主体 * 1
库存: