采购热线 400-661-9010
品牌：FAIRCHILD
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQD13N10LTM
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€40W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：12nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：520pF@25V
连续漏极电流：10A
类型：N沟道
导通电阻：180mΩ@5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：FAIRCHILD
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQD13N10LTM
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€40W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：12nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：520pF@25V
连续漏极电流：10A
类型：N沟道
导通电阻：180mΩ@5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQD13N10TM
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€40W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：16nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：450pF@25V
连续漏极电流：10A
类型：N沟道
导通电阻：180mΩ@5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：FAIRCHILD
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQD13N10LTM
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€40W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：12nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：520pF@25V
连续漏极电流：10A
类型：N沟道
导通电阻：180mΩ@5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：FAIRCHILD
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQD13N10LTM
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€40W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：12nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：520pF@25V
连续漏极电流：10A
类型：N沟道
导通电阻：180mΩ@5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：FAIRCHILD
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQD13N10LTM
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€40W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：12nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：520pF@25V
连续漏极电流：10A
类型：N沟道
导通电阻：180mΩ@5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQD13N10TM
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€40W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：16nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：450pF@25V
连续漏极电流：10A
类型：N沟道
导通电阻：180mΩ@5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQD13N10TM
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€40W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：16nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：450pF@25V
连续漏极电流：10A
类型：N沟道
导通电阻：180mΩ@5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：FAIRCHILD
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQD13N10LTM
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€40W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：12nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：520pF@25V
连续漏极电流：10A
类型：N沟道
导通电阻：180mΩ@5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQD13N10TM
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€40W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：16nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：450pF@25V
连续漏极电流：10A
类型：N沟道
导通电阻：180mΩ@5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：FAIRCHILD
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQD13N10LTM
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€40W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：12nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：520pF@25V
连续漏极电流：10A
类型：N沟道
导通电阻：180mΩ@5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQD13N10TM
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€40W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：16nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：450pF@25V
连续漏极电流：10A
类型：N沟道
导通电阻：180mΩ@5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQD13N10TM
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€40W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：16nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：450pF@25V
连续漏极电流：10A
类型：N沟道
导通电阻：180mΩ@5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：松下（Panasonic）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SK8603140L
工作温度：150℃
功率：2.5W€40W
阈值电压：3V@5.85mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：37nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6860pF@10V
连续漏极电流：25A€103A
类型：N沟道
导通电阻：2.2mΩ@23A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：FAIRCHILD
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQD13N10LTM
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€40W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：12nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：520pF@25V
连续漏极电流：10A
类型：N沟道
导通电阻：180mΩ@5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQD13N10TM
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€40W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：16nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：450pF@25V
连续漏极电流：10A
类型：N沟道
导通电阻：180mΩ@5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQD13N10TM
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€40W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：16nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：450pF@25V
连续漏极电流：10A
类型：N沟道
导通电阻：180mΩ@5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：FAIRCHILD
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQD13N10LTM
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€40W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：12nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：520pF@25V
连续漏极电流：10A
类型：N沟道
导通电阻：180mΩ@5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQD13N10TM
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€40W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：16nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：450pF@25V
连续漏极电流：10A
类型：N沟道
导通电阻：180mΩ@5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：FAIRCHILD
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQD13N10LTM
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€40W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：12nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：520pF@25V
连续漏极电流：10A
类型：N沟道
导通电阻：180mΩ@5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：FAIRCHILD
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQD13N10LTM
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€40W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：12nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：520pF@25V
连续漏极电流：10A
类型：N沟道
导通电阻：180mΩ@5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"MI+"：5040}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFU220BTU-AM002
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€40W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：16nC@10V
包装方式：管件
输入电容：390pF@25V
连续漏极电流：4.6A
类型：N沟道
导通电阻：800mΩ@2.3A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQD13N10TM
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€40W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：16nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：450pF@25V
连续漏极电流：10A
类型：N沟道
导通电阻：180mΩ@5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：FAIRCHILD
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQD13N10LTM
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€40W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：12nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：520pF@25V
连续漏极电流：10A
类型：N沟道
导通电阻：180mΩ@5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQD13N10TM
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€40W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：16nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：450pF@25V
连续漏极电流：10A
类型：N沟道
导通电阻：180mΩ@5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFU220BTU-AM002
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€40W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：16nC@10V
包装方式：管件
输入电容：390pF@25V
连续漏极电流：4.6A
类型：N沟道
导通电阻：800mΩ@2.3A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：松下（Panasonic）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SK8603140L
工作温度：150℃
功率：2.5W€40W
阈值电压：3V@5.85mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：37nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6860pF@10V
连续漏极电流：25A€103A
类型：N沟道
导通电阻：2.2mΩ@23A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：FAIRCHILD
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQD13N10LTM
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€40W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：12nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：520pF@25V
连续漏极电流：10A
类型：N沟道
导通电阻：180mΩ@5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
生产批次：{"MI+"：5040}
规格型号(MPN)：IRFU220BTU-AM002
输入电容：390pF@25V
导通电阻：800mΩ@2.3A，10V
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€40W
类型：N沟道
连续漏极电流：4.6A
包装方式：管件
栅极电荷：16nC@10V
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：FAIRCHILD
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQD13N10LTM
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：10A
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€40W
类型：N沟道
导通电阻：180mΩ@5A，10V
输入电容：520pF@25V
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：12nC@5V
ECCN：EAR99
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
