品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"17+":10697,"MI+":800}
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDP047N08-F102
工作温度:-55℃~175℃
功率:268W
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ECCN:EAR99
栅极电荷:152nC@10V
包装方式:管件
输入电容:9415pF@25V
连续漏极电流:164A
类型:N沟道
导通电阻:4.7mΩ@80A,10V
漏源电压:75V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):AOT430
工作温度:-55℃~175℃
功率:268W
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包装方式:管件
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连续漏极电流:80A
类型:N沟道
导通电阻:11.5mΩ@30A,10V
漏源电压:75V
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库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDP047N08-F102
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功率:268W
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类型:N沟道
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库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
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销售单位:个
规格型号(MPN):FDP047N08-F102
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品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
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类型:N沟道
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库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
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销售单位:个
规格型号(MPN):FDP047N08-F102
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库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDP047N08-F102
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类型:N沟道
导通电阻:4.7mΩ@80A,10V
漏源电压:75V
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销售单位:个
规格型号(MPN):AOT430
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品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
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类型:N沟道
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包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMNR60-25YLHX
工作温度:-55℃~175℃
功率:268W
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栅极电荷:147nC@10V
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连续漏极电流:300A
类型:N沟道
导通电阻:700mΩ@25A,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDP047N08-F102
工作温度:-55℃~175℃
功率:268W
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ECCN:EAR99
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类型:N沟道
导通电阻:4.7mΩ@80A,10V
漏源电压:75V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMNR60-25YLHX
工作温度:-55℃~175℃
功率:268W
阈值电压:2.2V@2mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:147nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:8117pF@12V
连续漏极电流:300A
类型:N沟道
导通电阻:700mΩ@25A,10V
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库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"17+":10697,"MI+":800}
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDP047N08-F102
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功率:268W
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类型:N沟道
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品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDP047N08-F102
工作温度:-55℃~175℃
功率:268W
阈值电压:4.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:152nC@10V
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类型:N沟道
导通电阻:4.7mΩ@80A,10V
漏源电压:75V
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库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"17+":10697,"MI+":800}
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDP047N08-F102
工作温度:-55℃~175℃
功率:268W
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栅极电荷:152nC@10V
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连续漏极电流:164A
类型:N沟道
导通电阻:4.7mΩ@80A,10V
漏源电压:75V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"17+":10697,"MI+":800}
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDP047N08-F102
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功率:268W
阈值电压:4.5V@250µA
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栅极电荷:152nC@10V
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连续漏极电流:164A
类型:N沟道
导通电阻:4.7mΩ@80A,10V
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包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDP047N08-F102
工作温度:-55℃~175℃
功率:268W
阈值电压:4.5V@250µA
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包装方式:管件
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连续漏极电流:164A
类型:N沟道
导通电阻:4.7mΩ@80A,10V
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库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDP047N08-F102
工作温度:-55℃~175℃
功率:268W
阈值电压:4.5V@250µA
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输入电容:9415pF@25V
连续漏极电流:164A
类型:N沟道
导通电阻:4.7mΩ@80A,10V
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包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"17+":10697,"MI+":800}
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDP047N08-F102
工作温度:-55℃~175℃
功率:268W
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ECCN:EAR99
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连续漏极电流:164A
类型:N沟道
导通电阻:4.7mΩ@80A,10V
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库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
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类型:N沟道
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包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDP047N08-F102
工作温度:-55℃~175℃
功率:268W
阈值电压:4.5V@250µA
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输入电容:9415pF@25V
连续漏极电流:164A
类型:N沟道
导通电阻:4.7mΩ@80A,10V
漏源电压:75V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):800psc
规格型号(MPN):FDP047N08-F102
阈值电压:4.5V@250µA
栅极电荷:152nC@10V
漏源电压:75V
连续漏极电流:164A
类型:N沟道
导通电阻:4.7mΩ@80A,10V
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功率:268W
包装方式:管件
ECCN:EAR99
输入电容:9415pF@25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMNR60-25YLHX
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:300A
输入电容:8117pF@12V
类型:N沟道
阈值电压:2.2V@2mA
导通电阻:700mΩ@25A,10V
栅极电荷:147nC@10V
工作温度:-55℃~175℃
功率:268W
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMNR60-25YLHX
工作温度:-55℃~175℃
功率:268W
阈值电压:2.2V@2mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:147nC@10V
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输入电容:8117pF@12V
连续漏极电流:300A
类型:N沟道
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包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):AOT430
工作温度:-55℃~175℃
功率:268W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:114nC@10V
包装方式:管件
输入电容:4700pF@30V
连续漏极电流:80A
类型:N沟道
导通电阻:11.5mΩ@30A,10V
漏源电压:75V
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库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):AOT430
工作温度:-55℃~175℃
功率:268W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:114nC@10V
包装方式:管件
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连续漏极电流:80A
类型:N沟道
导通电阻:11.5mΩ@30A,10V
漏源电压:75V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):AOT430
工作温度:-55℃~175℃
功率:268W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:114nC@10V
包装方式:管件
输入电容:4700pF@30V
连续漏极电流:80A
类型:N沟道
导通电阻:11.5mΩ@30A,10V
漏源电压:75V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDP047N08-F102
工作温度:-55℃~175℃
功率:268W
阈值电压:4.5V@250µA
栅极电荷:152nC@10V
包装方式:管件
输入电容:9415pF@25V
连续漏极电流:164A
类型:N沟道
导通电阻:4.7mΩ@80A,10V
漏源电压:75V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDP047N08-F102
工作温度:-55℃~175℃
功率:268W
阈值电压:4.5V@250µA
栅极电荷:152nC@10V
包装方式:管件
输入电容:9415pF@25V
连续漏极电流:164A
类型:N沟道
导通电阻:4.7mΩ@80A,10V
漏源电压:75V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"23+":1500}
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMNR70-30YLHX
工作温度:-55℃~175℃
功率:268W
阈值电压:2.2V@2mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:157nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4852pF@15V
连续漏极电流:300A
类型:N沟道
导通电阻:0.82mΩ@25A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存: