采购热线 400-661-9010
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IMZA120R014M1HXKSA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：455W
阈值电压：5.2V@23.4mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：110nC@18V
包装方式：管件
输入电容：4580nF@25V
连续漏极电流：127A
类型：N沟道
导通电阻：18.4mΩ@54.3A，18V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：MSC015SMA070B4
工作温度：-55℃~175℃
功率：455W
阈值电压：2.4V@4mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：215nC@20V
包装方式：管件
输入电容：4500pF@700V
连续漏极电流：140A
类型：N沟道
导通电阻：19mΩ@40A，20V
漏源电压：700V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：MSC017SMA120B4
工作温度：-55℃~175℃
功率：455W
阈值电压：2.7V@4.5mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：249nC@20V
包装方式：散装
输入电容：5280pF@1000V
连续漏极电流：113A
类型：N沟道
导通电阻：22mΩ@40A，20V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IMW120R014M1HXKSA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：455W
阈值电压：5.2V@23.4mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：110nC@18V
包装方式：管件
输入电容：4580nF@25V
连续漏极电流：127A
类型：N沟道
导通电阻：18.4mΩ@54.3A，18V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IMW120R014M1HXKSA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：455W
阈值电压：5.2V@23.4mA
栅极电荷：110nC@18V
包装方式：管件
输入电容：4580nF@25V
连续漏极电流：127A
类型：N沟道
导通电阻：18.4mΩ@54.3A，18V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MSC017SMA120B
工作温度：-55℃~175℃
功率：455W
阈值电压：2.7V@4.5mA
栅极电荷：249nC@20V
包装方式：散装
输入电容：5280pF@1000V
连续漏极电流：113A
类型：N沟道
导通电阻：22mΩ@40A，20V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IMZA120R014M1HXKSA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：455W
阈值电压：5.2V@23.4mA
栅极电荷：110nC@18V
包装方式：管件
输入电容：4580nF@25V
连续漏极电流：127A
类型：N沟道
导通电阻：18.4mΩ@54.3A，18V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：IXYS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IXTA102N15T
工作温度：-55℃~175℃
功率：455W
阈值电压：5V@1mA
栅极电荷：87nC@10V
包装方式：管件
输入电容：5220pF@25V
连续漏极电流：102A
类型：N沟道
导通电阻：18mΩ@500mA，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IMW120R014M1HXKSA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：455W
阈值电压：5.2V@23.4mA
栅极电荷：110nC@18V
包装方式：管件
输入电容：4580nF@25V
连续漏极电流：127A
类型：N沟道
导通电阻：18.4mΩ@54.3A，18V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IMW120R014M1HXKSA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：455W
阈值电压：5.2V@23.4mA
栅极电荷：110nC@18V
包装方式：管件
输入电容：4580nF@25V
连续漏极电流：127A
类型：N沟道
导通电阻：18.4mΩ@54.3A，18V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IMW120R014M1HXKSA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：455W
阈值电压：5.2V@23.4mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：110nC@18V
包装方式：管件
输入电容：4580nF@25V
连续漏极电流：127A
类型：N沟道
导通电阻：18.4mΩ@54.3A，18V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：MSC015SMA070B4
工作温度：-55℃~175℃
功率：455W
阈值电压：2.4V@4mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：215nC@20V
包装方式：管件
输入电容：4500pF@700V
连续漏极电流：140A
类型：N沟道
导通电阻：19mΩ@40A，20V
漏源电压：700V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IMZA120R014M1HXKSA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：455W
阈值电压：5.2V@23.4mA
栅极电荷：110nC@18V
包装方式：管件
输入电容：4580nF@25V
连续漏极电流：127A
类型：N沟道
导通电阻：18.4mΩ@54.3A，18V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IMW120R014M1HXKSA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：455W
阈值电压：5.2V@23.4mA
栅极电荷：110nC@18V
包装方式：管件
输入电容：4580nF@25V
连续漏极电流：127A
类型：N沟道
导通电阻：18.4mΩ@54.3A，18V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：IXYS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IXTP90N15T
工作温度：-55℃~175℃
功率：455W
阈值电压：4.5V@1mA
栅极电荷：80nC@10V
包装方式：管件
输入电容：4100pF@25V
连续漏极电流：90A
类型：N沟道
导通电阻：20mΩ@45A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：IXYS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IXTA102N15T
工作温度：-55℃~175℃
功率：455W
阈值电压：5V@1mA
栅极电荷：87nC@10V
包装方式：管件
输入电容：5220pF@25V
连续漏极电流：102A
类型：N沟道
导通电阻：18mΩ@500mA，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IMW120R014M1HXKSA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：455W
阈值电压：5.2V@23.4mA
栅极电荷：110nC@18V
包装方式：管件
输入电容：4580nF@25V
连续漏极电流：127A
类型：N沟道
导通电阻：18.4mΩ@54.3A，18V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：MSC015SMA070B4
工作温度：-55℃~175℃
功率：455W
阈值电压：2.4V@4mA
栅极电荷：215nC@20V
包装方式：管件
输入电容：4500pF@700V
连续漏极电流：140A
类型：N沟道
导通电阻：19mΩ@40A，20V
漏源电压：700V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IMZA120R014M1HXKSA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：455W
阈值电压：5.2V@23.4mA
栅极电荷：110nC@18V
包装方式：管件
输入电容：4580nF@25V
连续漏极电流：127A
类型：N沟道
导通电阻：18.4mΩ@54.3A，18V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：MSC015SMA070B4
工作温度：-55℃~175℃
功率：455W
阈值电压：2.4V@4mA
栅极电荷：215nC@20V
包装方式：管件
输入电容：4500pF@700V
连续漏极电流：140A
类型：N沟道
导通电阻：19mΩ@40A，20V
漏源电压：700V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IMW120R014M1HXKSA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：455W
阈值电压：5.2V@23.4mA
栅极电荷：110nC@18V
包装方式：管件
输入电容：4580nF@25V
连续漏极电流：127A
类型：N沟道
导通电阻：18.4mΩ@54.3A，18V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：IXYS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IXTA102N15T
工作温度：-55℃~175℃
功率：455W
阈值电压：5V@1mA
栅极电荷：87nC@10V
包装方式：管件
输入电容：5220pF@25V
连续漏极电流：102A
类型：N沟道
导通电阻：18mΩ@500mA，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IMW120R014M1HXKSA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：455W
阈值电压：5.2V@23.4mA
栅极电荷：110nC@18V
包装方式：管件
输入电容：4580nF@25V
连续漏极电流：127A
类型：N沟道
导通电阻：18.4mΩ@54.3A，18V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：IXYS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IXTA102N15T
工作温度：-55℃~175℃
功率：455W
阈值电压：5V@1mA
栅极电荷：87nC@10V
包装方式：管件
输入电容：5220pF@25V
连续漏极电流：102A
类型：N沟道
导通电阻：18mΩ@500mA，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IMW120R014M1HXKSA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：455W
阈值电压：5.2V@23.4mA
栅极电荷：110nC@18V
包装方式：管件
输入电容：4580nF@25V
连续漏极电流：127A
类型：N沟道
导通电阻：18.4mΩ@54.3A，18V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：MSC015SMA070B4
工作温度：-55℃~175℃
功率：455W
阈值电压：2.4V@4mA
栅极电荷：215nC@20V
包装方式：管件
输入电容：4500pF@700V
连续漏极电流：140A
类型：N沟道
导通电阻：19mΩ@40A，20V
漏源电压：700V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IMW120R014M1HXKSA1
栅极电荷：110nC@18V
输入电容：4580nF@25V
类型：N沟道
漏源电压：1200V
工作温度：-55℃~175℃
导通电阻：18.4mΩ@54.3A，18V
包装方式：管件
阈值电压：5.2V@23.4mA
功率：455W
连续漏极电流：127A
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IMW120R014M1HXKSA1
栅极电荷：110nC@18V
输入电容：4580nF@25V
类型：N沟道
漏源电压：1200V
工作温度：-55℃~175℃
导通电阻：18.4mΩ@54.3A，18V
包装方式：管件
阈值电压：5.2V@23.4mA
ECCN：EAR99
功率：455W
连续漏极电流：127A
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IMW120R014M1HXKSA1
栅极电荷：110nC@18V
输入电容：4580nF@25V
类型：N沟道
漏源电压：1200V
工作温度：-55℃~175℃
导通电阻：18.4mΩ@54.3A，18V
包装方式：管件
阈值电压：5.2V@23.4mA
功率：455W
连续漏极电流：127A
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：MSC017SMA120B4
栅极电荷：249nC@20V
类型：N沟道
连续漏极电流：113A
漏源电压：1200V
输入电容：5280pF@1000V
阈值电压：2.7V@4.5mA
工作温度：-55℃~175℃
导通电阻：22mΩ@40A，20V
ECCN：EAR99
包装方式：散装
功率：455W
包装清单：商品主体 * 1
库存：
