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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS4852NT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：900mW€86.2W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：71.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4970pF@12V
连续漏极电流：16A€155A
类型：N沟道
导通电阻：2.1mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS4854NST3G
工作温度：-55℃~150℃
功率：900mW€86.2W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：85nC@11.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4830pF@12V
连续漏极电流：15.2A€149A
类型：N沟道
导通电阻：2.5mΩ@15A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"11+"：14828}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS4854NST3G
工作温度：-55℃~150℃
功率：900mW€86.2W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：85nC@11.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4830pF@12V
连续漏极电流：15.2A€149A
类型：N沟道
导通电阻：2.5mΩ@15A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS4852NT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：900mW€86.2W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：71.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4970pF@12V
连续漏极电流：16A€155A
类型：N沟道
导通电阻：2.1mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"10+"：1324，"12+"：225，"13+"：500}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS4852NT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：900mW€86.2W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：71.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4970pF@12V
连续漏极电流：16A€155A
类型：N沟道
导通电阻：2.1mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"11+"：14828}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS4854NST3G
工作温度：-55℃~150℃
功率：900mW€86.2W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：85nC@11.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4830pF@12V
连续漏极电流：15.2A€149A
类型：N沟道
导通电阻：2.5mΩ@15A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"11+"：14828}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS4854NST3G
工作温度：-55℃~150℃
功率：900mW€86.2W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：85nC@11.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4830pF@12V
连续漏极电流：15.2A€149A
类型：N沟道
导通电阻：2.5mΩ@15A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：NTMFS4852NT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：900mW€86.2W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：71.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4970pF@12V
连续漏极电流：16A€155A
类型：N沟道
导通电阻：2.1mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
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行业应用：工业,汽车
生产批次：{"11+"：14828}
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规格型号(MPN)：NTMFS4854NST3G
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功率：900mW€86.2W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：85nC@11.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4830pF@12V
连续漏极电流：15.2A€149A
类型：N沟道
导通电阻：2.5mΩ@15A，10V
漏源电压：25V
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品牌：ON SEMI
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工作温度：-55℃~150℃
功率：900mW€86.2W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：85nC@11.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4830pF@12V
连续漏极电流：15.2A€149A
类型：N沟道
导通电阻：2.5mΩ@15A，10V
漏源电压：25V
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工作温度：-55℃~150℃
功率：900mW€86.2W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：71.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4970pF@12V
连续漏极电流：16A€155A
类型：N沟道
导通电阻：2.1mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS4852NT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：900mW€86.2W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：71.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4970pF@12V
连续漏极电流：16A€155A
类型：N沟道
导通电阻：2.1mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
生产批次：{"11+"：14828}
规格型号(MPN)：NTMFS4854NST3G
输入电容：4830pF@12V
包装方式：卷带（TR）
功率：900mW€86.2W
工作温度：-55℃~150℃
阈值电压：2.5V@250µA
类型：N沟道
栅极电荷：85nC@11.5V
漏源电压：25V
连续漏极电流：15.2A€149A
导通电阻：2.5mΩ@15A，10V
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"10+"：1324，"12+"：225，"13+"：500}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS4852NT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：900mW€86.2W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：71.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4970pF@12V
连续漏极电流：16A€155A
类型：N沟道
导通电阻：2.1mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"10+"：1324，"12+"：225，"13+"：500}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS4852NT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：900mW€86.2W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：71.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4970pF@12V
连续漏极电流：16A€155A
类型：N沟道
导通电阻：2.1mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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