采购热线 400-661-9010
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVD5C446NT4G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.1W€66W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：34.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2300pF@25V
连续漏极电流：22A€105A
类型：N沟道
导通电阻：3.5mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVD5C446NT4G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.1W€66W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：34.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2300pF@25V
连续漏极电流：22A€105A
类型：N沟道
导通电阻：3.5mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVD5C446NT4G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.1W€66W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：34.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2300pF@25V
连续漏极电流：22A€105A
类型：N沟道
导通电阻：3.5mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"24+"：43500}
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN011-100YSFX
工作温度：-55℃~175℃
功率：152W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：34.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2258pF@50V
连续漏极电流：79.5A
类型：N沟道
导通电阻：10.9mΩ@20A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"24+"：43500}
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN011-100YSFX
工作温度：-55℃~175℃
功率：152W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：34.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2258pF@50V
连续漏极电流：79.5A
类型：N沟道
导通电阻：10.9mΩ@20A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：202psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD5C446NT4G
工作温度：-55℃~175℃
功率：66W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：34.3nC@10V
包装方式：散装
输入电容：2300pF@20V
连续漏极电流：110A
类型：N沟道
导通电阻：3.5mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVD5C446NT4G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.1W€66W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：34.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2300pF@25V
连续漏极电流：22A€105A
类型：N沟道
导通电阻：3.5mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVD5C446NT4G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.1W€66W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：34.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2300pF@25V
连续漏极电流：22A€105A
类型：N沟道
导通电阻：3.5mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：202psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD5C446NT4G
工作温度：-55℃~175℃
功率：66W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：34.3nC@10V
包装方式：散装
输入电容：2300pF@20V
连续漏极电流：110A
类型：N沟道
导通电阻：3.5mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"24+"：43500}
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN011-100YSFX
工作温度：-55℃~175℃
功率：152W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：34.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2258pF@50V
连续漏极电流：79.5A
类型：N沟道
导通电阻：10.9mΩ@20A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：202psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD5C446NT4G
工作温度：-55℃~175℃
功率：66W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：34.3nC@10V
包装方式：散装
输入电容：2300pF@20V
连续漏极电流：110A
类型：N沟道
导通电阻：3.5mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVD5C446NT4G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.1W€66W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：34.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2300pF@25V
连续漏极电流：22A€105A
类型：N沟道
导通电阻：3.5mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
生产批次：{"24+"：43500}
规格型号(MPN)：PSMN011-100YSFX
栅极电荷：34.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
功率：152W
类型：N沟道
工作温度：-55℃~175℃
连续漏极电流：79.5A
导通电阻：10.9mΩ@20A，10V
阈值电压：4V@1mA
输入电容：2258pF@50V
ECCN：EAR99
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：202psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD5C446NT4G
工作温度：-55℃~175℃
功率：66W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：34.3nC@10V
包装方式：散装
输入电容：2300pF@20V
连续漏极电流：110A
类型：N沟道
导通电阻：3.5mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：202psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD5C446NT4G
工作温度：-55℃~175℃
功率：66W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：34.3nC@10V
包装方式：散装
输入电容：2300pF@20V
连续漏极电流：110A
类型：N沟道
导通电阻：3.5mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：202psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD5C446NT4G
工作温度：-55℃~175℃
功率：66W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：34.3nC@10V
包装方式：散装
输入电容：2300pF@20V
连续漏极电流：110A
类型：N沟道
导通电阻：3.5mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVD5C446NT4G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.1W€66W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：34.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2300pF@25V
连续漏极电流：22A€105A
类型：N沟道
导通电阻：3.5mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVD5C446NT4G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.1W€66W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：34.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2300pF@25V
连续漏极电流：22A€105A
类型：N沟道
导通电阻：3.5mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVD5C446NT4G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.1W€66W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：34.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2300pF@25V
连续漏极电流：22A€105A
类型：N沟道
导通电阻：3.5mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVD5C446NT4G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.1W€66W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：34.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2300pF@25V
连续漏极电流：22A€105A
类型：N沟道
导通电阻：3.5mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
