品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{}
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD600N25N3GATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:136W
阈值电压:4V@90µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:29nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2350pF@100V
连续漏极电流:25A
类型:N沟道
导通电阻:60mΩ@25A,10V
漏源电压:250V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFB4620PBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:144W
阈值电压:5V@100µA
栅极电荷:38nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1710pF@50V
连续漏极电流:25A
类型:N沟道
导通电阻:72.5mΩ@15A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BUK9Y29-40E,115
工作温度:-55℃~175℃
功率:37W
阈值电压:2.1V@1mA
栅极电荷:5nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:664pF@25V
连续漏极电流:25A
类型:N沟道
导通电阻:25mΩ@5A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"21+":866}
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFB5620PBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:144W
阈值电压:5V@100µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:38nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1710pF@50V
连续漏极电流:25A
类型:N沟道
导通电阻:72.5mΩ@15A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRLR3105TRPBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:57W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:20nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:710pF@25V
连续漏极电流:25A
类型:N沟道
导通电阻:37mΩ@15A,10V
漏源电压:55V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STP25N10F7
工作温度:-55℃~175℃
功率:50W
阈值电压:4.5V@250µA
栅极电荷:14nC@10V
包装方式:管件
输入电容:920pF@50V
连续漏极电流:25A
类型:N沟道
导通电阻:35mΩ@12.5A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):STD25NF10T4
工作温度:-55℃~175℃
功率:100W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:55nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1550pF@25V
连续漏极电流:25A
类型:N沟道
导通电阻:38mΩ@12.5A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"18+":7500,"21+":1315}
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD9411L-F085
工作温度:-55℃~175℃
功率:48.4W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:27nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1210pF@20V
连续漏极电流:25A
类型:N沟道
导通电阻:7mΩ@20A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):STD25N10F7
工作温度:-55℃~175℃
功率:40W
阈值电压:4.5V@250µA
栅极电荷:14nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:920pF@50V
连续漏极电流:25A
类型:N沟道
导通电阻:35mΩ@12.5A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):STD20NF10T4
工作温度:-55℃~175℃
功率:85W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:55nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1200pF@25V
连续漏极电流:25A
类型:N沟道
导通电阻:45mΩ@15A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQD25N15-52_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:107W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:51nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2200pF@25V
连续漏极电流:25A
类型:N沟道
导通电阻:52mΩ@15A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):AOD480
工作温度:-55℃~175℃
功率:2.5W€21W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:14nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:820pF@15V
连续漏极电流:25A
类型:N沟道
导通电阻:23mΩ@20A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SUD25N15-52-E3
工作温度:-55℃~175℃
功率:3W€136W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:40nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1725pF@25V
连续漏极电流:25A
类型:N沟道
导通电阻:52mΩ@5A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SUD25N15-52-E3
工作温度:-55℃~175℃
功率:3W€136W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:40nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1725pF@25V
连续漏极电流:25A
类型:N沟道
导通电阻:52mΩ@5A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRLR3105TRPBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:57W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:20nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:710pF@25V
连续漏极电流:25A
类型:N沟道
导通电阻:37mΩ@15A,10V
漏源电压:55V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFB5620PBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:144W
阈值电压:5V@100µA
栅极电荷:38nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1710pF@50V
连续漏极电流:25A
类型:N沟道
导通电阻:72.5mΩ@15A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRLR3105TRPBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:57W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:20nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:710pF@25V
连续漏极电流:25A
类型:N沟道
导通电阻:37mΩ@15A,10V
漏源电压:55V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN041-80YLX
工作温度:-55℃~175℃
功率:64W
阈值电压:2.1V@1mA
栅极电荷:21.9nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1108pF@25V
连续漏极电流:25A
类型:N沟道
导通电阻:41mΩ@5A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):STD26NF10
工作温度:-55℃~175℃
功率:100W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:55nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1550pF@25V
连续漏极电流:25A
类型:N沟道
导通电阻:38mΩ@12.5A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD600N25N3GATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:136W
阈值电压:4V@90µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:29nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2350pF@100V
连续漏极电流:25A
类型:N沟道
导通电阻:60mΩ@25A,10V
漏源电压:250V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMNH6042SK3-13
工作温度:-55℃~175℃
功率:2W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:8.8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:492pF@25V
连续漏极电流:25A
类型:N沟道
导通电阻:50mΩ@6A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":2323,"23+":91736,"24+":29717,"MI+":70416}
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD25N06S4L30ATMA2
工作温度:-55℃~175℃
功率:29W
阈值电压:2.2V@8µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:16.3nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1220pF@25V
连续漏极电流:25A
类型:N沟道
导通电阻:30mΩ@25A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFB4620PBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:144W
阈值电压:5V@100µA
栅极电荷:38nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1710pF@50V
连续漏极电流:25A
类型:N沟道
导通电阻:72.5mΩ@15A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQD25N15-52_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:107W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:51nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2200pF@25V
连续漏极电流:25A
类型:N沟道
导通电阻:52mΩ@15A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFB5620PBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:144W
阈值电压:5V@100µA
栅极电荷:38nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1710pF@50V
连续漏极电流:25A
类型:N沟道
导通电阻:72.5mΩ@15A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQD25N15-52_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:107W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:51nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2200pF@25V
连续漏极电流:25A
类型:N沟道
导通电阻:52mΩ@15A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):STD26NF10
工作温度:-55℃~175℃
功率:100W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:55nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1550pF@25V
连续漏极电流:25A
类型:N沟道
导通电阻:38mΩ@12.5A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):STD26NF10
工作温度:-55℃~175℃
功率:100W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:55nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1550pF@25V
连续漏极电流:25A
类型:N沟道
导通电阻:38mΩ@12.5A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRLR3105TRPBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:57W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:20nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:710pF@25V
连续漏极电流:25A
类型:N沟道
导通电阻:37mΩ@15A,10V
漏源电压:55V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STD25NF10T4
工作温度:-55℃~175℃
功率:100W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:55nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1550pF@25V
连续漏极电流:25A
类型:N沟道
导通电阻:38mΩ@12.5A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存: