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    类型: N沟道
    工作温度: -55℃~175℃
    行业应用: 汽车
    功率: 33W
    当前匹配商品:100+
    商品信息
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    VISHAY Mosfet场效应管 SQS840CENW-T1_GE3 起订3个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQS840CENW-T1_GE3 起订3个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQS840CENW-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:33W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:22.5nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1031pF@20V

    连续漏极电流:12A

    类型:N沟道

    导通电阻:20mΩ@7.5A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPA093N06N3GXKSA1 起订2个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPA093N06N3GXKSA1 起订2个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPA093N06N3GXKSA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:33W

    阈值电压:4V@34µA

    栅极电荷:48nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:3900pF@30V

    连续漏极电流:43A

    类型:N沟道

    导通电阻:9.3mΩ@40A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN020-30MLCX 起订2778个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN020-30MLCX 起订2778个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"20+":6000}

    销售单位:

    规格型号(MPN):PSMN020-30MLCX

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:33W

    阈值电压:1.95V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:9.5nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:430pF@15V

    连续漏极电流:31.8A

    类型:N沟道

    导通电阻:18.1mΩ@5A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPA060N06NM5SXKSA1 起订500个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPA060N06NM5SXKSA1 起订500个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"20+":2500,"22+":500}

    包装规格(MPQ):500psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPA060N06NM5SXKSA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:33W

    阈值电压:3.3V@36µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:36nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:2600pF@30V

    连续漏极电流:56A

    类型:N沟道

    导通电阻:6mΩ@56A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IAUZ30N06S5L140ATMA1 起订10个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IAUZ30N06S5L140ATMA1 起订10个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IAUZ30N06S5L140ATMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:33W

    阈值电压:2.2V@10µA

    栅极电荷:12.2nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:888pF@30V

    连续漏极电流:30A

    类型:N沟道

    导通电阻:14mΩ@15A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IAUZ30N06S5L140ATMA1 起订100个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IAUZ30N06S5L140ATMA1 起订100个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IAUZ30N06S5L140ATMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:33W

    阈值电压:2.2V@10µA

    栅极电荷:12.2nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:888pF@30V

    连续漏极电流:30A

    类型:N沟道

    导通电阻:14mΩ@15A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQS840CENW-T1_GE3 起订1000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQS840CENW-T1_GE3 起订1000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQS840CENW-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:33W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:22.5nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1031pF@20V

    连续漏极电流:12A

    类型:N沟道

    导通电阻:20mΩ@7.5A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPA060N06NM5SXKSA1 起订2个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPA060N06NM5SXKSA1 起订2个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):500psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPA060N06NM5SXKSA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:33W

    阈值电压:3.3V@36µA

    栅极电荷:36nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:2600pF@30V

    连续漏极电流:56A

    类型:N沟道

    导通电阻:6mΩ@56A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IAUZ30N06S5L140ATMA1 起订2000个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IAUZ30N06S5L140ATMA1 起订2000个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IAUZ30N06S5L140ATMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:33W

    阈值电压:2.2V@10µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:12.2nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:888pF@30V

    连续漏极电流:30A

    类型:N沟道

    导通电阻:14mΩ@15A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQS462EN-T1_GE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQS462EN-T1_GE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQS462EN-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:33W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:12nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:470pF@25V

    连续漏极电流:8A

    类型:N沟道

    导通电阻:63mΩ@4.3A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQS840EN-T1_GE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQS840EN-T1_GE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQS840EN-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:33W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:22.5nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1031pF@20V

    连续漏极电流:12A

    类型:N沟道

    导通电阻:20mΩ@7.5A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPA060N06NM5SXKSA1 起订446个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPA060N06NM5SXKSA1 起订446个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"20+":2500,"22+":500}

    包装规格(MPQ):500psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPA060N06NM5SXKSA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:33W

    阈值电压:3.3V@36µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:36nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:2600pF@30V

    连续漏极电流:56A

    类型:N沟道

    导通电阻:6mΩ@56A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN020-30MLCX 起订100个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN020-30MLCX 起订100个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PSMN020-30MLCX

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:33W

    阈值电压:1.95V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:9.5nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:430pF@15V

    连续漏极电流:31.8A

    类型:N沟道

    导通电阻:18.1mΩ@5A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQS840CENW-T1_GE3 起订500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQS840CENW-T1_GE3 起订500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQS840CENW-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:33W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:22.5nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1031pF@20V

    连续漏极电流:12A

    类型:N沟道

    导通电阻:20mΩ@7.5A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPA060N06NM5SXKSA1 起订10个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPA060N06NM5SXKSA1 起订10个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):500psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPA060N06NM5SXKSA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:33W

    阈值电压:3.3V@36µA

    栅极电荷:36nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:2600pF@30V

    连续漏极电流:56A

    类型:N沟道

    导通电阻:6mΩ@56A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPA060N06NM5SXKSA1 起订1000个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPA060N06NM5SXKSA1 起订1000个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"20+":2500,"22+":500}

    包装规格(MPQ):500psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPA060N06NM5SXKSA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:33W

    阈值电压:3.3V@36µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:36nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:2600pF@30V

    连续漏极电流:56A

    类型:N沟道

    导通电阻:6mΩ@56A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPA093N06N3GXKSA1 起订1000个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPA093N06N3GXKSA1 起订1000个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPA093N06N3GXKSA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:33W

    阈值电压:4V@34µA

    栅极电荷:48nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:3900pF@30V

    连续漏极电流:43A

    类型:N沟道

    导通电阻:9.3mΩ@40A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQS462EN-T1_BE3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQS462EN-T1_BE3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQS462EN-T1_BE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:33W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:12nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:470pF@25V

    连续漏极电流:8A

    类型:N沟道

    导通电阻:63mΩ@4.3A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQS840EN-T1_GE3 起订1000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQS840EN-T1_GE3 起订1000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQS840EN-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:33W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:22.5nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1031pF@20V

    连续漏极电流:12A

    类型:N沟道

    导通电阻:20mΩ@7.5A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN020-30MLCX 起订10个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN020-30MLCX 起订10个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PSMN020-30MLCX

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:33W

    阈值电压:1.95V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:9.5nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:430pF@15V

    连续漏极电流:31.8A

    类型:N沟道

    导通电阻:18.1mΩ@5A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQS462EN-T1_BE3 起订500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQS462EN-T1_BE3 起订500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQS462EN-T1_BE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:33W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:12nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:470pF@25V

    连续漏极电流:8A

    类型:N沟道

    导通电阻:63mΩ@4.3A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQS462EN-T1_GE3 起订1500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQS462EN-T1_GE3 起订1500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQS462EN-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:33W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:12nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:470pF@25V

    连续漏极电流:8A

    类型:N沟道

    导通电阻:63mΩ@4.3A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQS840EN-T1_GE3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQS840EN-T1_GE3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQS840EN-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:33W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:22.5nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1031pF@20V

    连续漏极电流:12A

    类型:N沟道

    导通电阻:20mΩ@7.5A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPA060N06NXKSA1 起订500个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPA060N06NXKSA1 起订500个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPA060N06NXKSA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:33W

    阈值电压:3.3V@36µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:32nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:2500pF@30V

    连续漏极电流:45A

    类型:N沟道

    导通电阻:6mΩ@45A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQS462EN-T1_GE3 起订750个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQS462EN-T1_GE3 起订750个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQS462EN-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:33W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:12nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:470pF@25V

    连续漏极电流:8A

    类型:N沟道

    导通电阻:63mΩ@4.3A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPA060N06NXKSA1 起订100个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPA060N06NXKSA1 起订100个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPA060N06NXKSA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:33W

    阈值电压:3.3V@36µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:32nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:2500pF@30V

    连续漏极电流:45A

    类型:N沟道

    导通电阻:6mΩ@45A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQS462EN-T1_GE3 起订1000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQS462EN-T1_GE3 起订1000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQS462EN-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:33W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:12nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:470pF@25V

    连续漏极电流:8A

    类型:N沟道

    导通电阻:63mΩ@4.3A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQS840EN-T1_GE3 起订500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQS840EN-T1_GE3 起订500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQS840EN-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:33W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:22.5nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1031pF@20V

    连续漏极电流:12A

    类型:N沟道

    导通电阻:20mΩ@7.5A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQS850EN-T1_GE3 起订5个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQS850EN-T1_GE3 起订5个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQS850EN-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:33W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:41nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2021pF@30V

    连续漏极电流:12A

    类型:N沟道

    导通电阻:21.5mΩ@6.1A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQS850EN-T1_GE3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQS850EN-T1_GE3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQS850EN-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:33W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:41nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2021pF@30V

    连续漏极电流:12A

    类型:N沟道

    导通电阻:21.5mΩ@6.1A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
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