采购热线 400-661-9010
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"18+"：665，"19+"：926，"MI+"：615}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDPF8D5N10C
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.4W€35W
阈值电压：4V@130µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：34nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2475pF@50V
连续漏极电流：76A
类型：N沟道
导通电阻：8.5mΩ@76A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVTFS6H850NLTAG
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.9W€73W
阈值电压：2V@70µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：26nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1450pF@40V
连续漏极电流：14.8A€64A
类型：N沟道
导通电阻：8.6mΩ@10A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS5C612NT1G-TE
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.8W€170W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：60.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4830pF@25V
连续漏极电流：35A€230A
类型：N沟道
导通电阻：1.6mΩ@50A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDBL86363-F085
工作温度：-55℃~175℃
功率：357W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：169nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：10000pF@40V
连续漏极电流：240A
类型：N沟道
导通电阻：2mΩ@80A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVTFS6H888NTAG
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.9W€18W
阈值电压：4V@15µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：4.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：220pF@40V
连续漏极电流：4.7A€12A
类型：N沟道
导通电阻：55mΩ@5A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMFS6H801NLT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.8W€167W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：90nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5126pF@40V
连续漏极电流：24A€160A
类型：N沟道
导通电阻：2.7mΩ@50A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"08+"：2974，"10+"：202，"12+"：199，"13+"：564，"14+"：63445，"16+"：7500，"18+"：39000，"19+"：22914，"21+"：27500，"22+"：3872}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD4858NT4G
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.3W€54.5W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：19.2nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1563pF@12V
连续漏极电流：11.2A€73A
类型：N沟道
导通电阻：6.2mΩ@30A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTBG020N090SC1
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.7W€477W
阈值电压：4.3V@20mA
栅极电荷：200nC@15V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4415pF@450V
连续漏极电流：9.8A€112A
类型：N沟道
导通电阻：28mΩ@60A，15V
漏源电压：900V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：1890}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVTYS010N04CLTWG
工作温度：-55℃~175℃
功率：3W€32W
阈值电压：2.2V@20µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：12nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：710pF@25V
连续漏极电流：13A€43A
类型：N沟道
导通电阻：9.5mΩ@10A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMFS5C670NLAFT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：61W
阈值电压：2V@53µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：20nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1400pF@25V
连续漏极电流：17A
类型：N沟道
导通电阻：6.1mΩ@35A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMFS6H824NLT1G
工作温度：-55℃~175℃
阈值电压：2V@140µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：52nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2900pF@40V
连续漏极电流：20A€110A
类型：N沟道
导通电阻：4mΩ@20A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS5C468NLT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.5W€28W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：7.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：570pF@20V
连续漏极电流：37A
类型：N沟道
导通电阻：10.3mΩ@20A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMTS1D6N10MCTXG
工作温度：-55℃~175℃
功率：5W€291W
阈值电压：4V@650µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：106nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7630pF@50V
连续漏极电流：36A€273A
类型：N沟道
导通电阻：1.7mΩ@90A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"19+"：2000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMYS1D2N04CLTWG
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.9W€134W
阈值电压：2V@180µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：109nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6330pF@20V
连续漏极电流：44A€258A
类型：N沟道
导通电阻：1.2mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTBG045N065SC1
工作温度：-55℃~175℃
功率：242W
阈值电压：4.3V@8mA
栅极电荷：105nC@18V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1890pF@325V
连续漏极电流：62A
类型：N沟道
导通电阻：50mΩ@25A，18V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTHL080N120SC1A
工作温度：-55℃~175℃
功率：178W
阈值电压：4.3V@5mA
栅极电荷：56nC@20V
包装方式：管件
输入电容：1670pF@800V
连续漏极电流：31A
类型：N沟道
导通电阻：110mΩ@20A，20V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTB6413ANT4G
工作温度：-55℃~175℃
功率：136W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：51nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1800pF@25V
连续漏极电流：42A
类型：N沟道
导通电阻：28mΩ@42A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB86566-F085
工作温度：-55℃~175℃
功率：176W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：110nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6655pF@30V
连续漏极电流：110A
类型：N沟道
导通电阻：2.7mΩ@80A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTBG045N065SC1
工作温度：-55℃~175℃
功率：242W
阈值电压：4.3V@8mA
栅极电荷：105nC@18V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1890pF@325V
连续漏极电流：62A
类型：N沟道
导通电阻：50mΩ@25A，18V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS5C426NT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.8W€128W
阈值电压：3.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：65nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4300pF@25V
连续漏极电流：41A€235A
类型：N沟道
导通电阻：1.3mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：HUF75545S3ST
工作温度：-55℃~175℃
功率：270W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：235nC@20V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3750pF@25V
连续漏极电流：75A
类型：N沟道
导通电阻：10mΩ@75A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMFS5C404NWFET1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.9W€200W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：128nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：8400pF@25V
连续漏极电流：53A€378A
类型：N沟道
导通电阻：0.70mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTTFS002N04CTAG
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.2W€85W
阈值电压：3.5V@90µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：34nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2250pF@25V
连续漏极电流：27A€136A
类型：N沟道
导通电阻：2.4mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMFS5C423NLWFAFT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.7W€83W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：50nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3100pF@20V
连续漏极电流：31A€150A
类型：N沟道
导通电阻：2mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB024N08BL7
工作温度：-55℃~175℃
功率：246W
阈值电压：4.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：178nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：13530pF@40V
连续漏极电流：120A
类型：N沟道
导通电阻：2.4mΩ@100A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMFS5C670NT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.6W€61W
阈值电压：4V@53µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：14.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1035pF@30V
连续漏极电流：17A€71A
类型：N沟道
导通电阻：7mΩ@11A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMJS0D8N04CLTWG
工作温度：-55℃~175℃
功率：4.2W€180W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：162nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：9600pF@25V
连续漏极电流：56A€368A
类型：N沟道
导通电阻：0.72mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"08+"：59025}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD3808NT4G
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.3W€52W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：21nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1660pF@12V
连续漏极电流：12A€76A
类型：N沟道
导通电阻：5.8mΩ@15A，10V
漏源电压：16V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"23+"：3000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVTYS004N04CLTWG
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.2W€55W
阈值电压：2V@50µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：25nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1600pF@25V
连续漏极电流：20A€84A
类型：N沟道
导通电阻：4.3mΩ@20A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMFS6H864NT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.5W€33W
阈值电压：4V@20µA
栅极电荷：6.9nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：370pF@40V
连续漏极电流：6.7A€21A
类型：N沟道
导通电阻：32mΩ@5A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
