采购热线 400-661-9010
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD90N04S404ATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：71W
阈值电压：4V@35µA
栅极电荷：43nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3440pF@25V
连续漏极电流：90A
类型：N沟道
导通电阻：4.1mΩ@90A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVD5C454NLT4G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.1W€56W
阈值电压：2.2V@70µA
栅极电荷：43nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2600pF@25V
连续漏极电流：20A€84A
类型：N沟道
导通电阻：3.9mΩ@40A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVD5C454NLT4G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.1W€56W
阈值电压：2.2V@70µA
栅极电荷：43nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2600pF@25V
连续漏极电流：20A€84A
类型：N沟道
导通电阻：3.9mΩ@40A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"23+"：2865}
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFZ44ZSTRRPBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：80W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：43nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1420pF@25V
连续漏极电流：51A
类型：N沟道
导通电阻：13.9mΩ@31A，10V
漏源电压：55V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPB80N04S404ATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：71W
阈值电压：4V@35µA
栅极电荷：43nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3440pF@25V
连续漏极电流：80A
类型：N沟道
导通电阻：4.2mΩ@80A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVD5C454NLT4G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.1W€56W
阈值电压：2.2V@70µA
栅极电荷：43nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2600pF@25V
连续漏极电流：20A€84A
类型：N沟道
导通电阻：3.9mΩ@40A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOD424
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.5W€100W
阈值电压：1.6V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：43nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4630pF@10V
连续漏极电流：18A€45A
类型：N沟道
导通电阻：4.4mΩ@20A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN012-80BS，118
工作温度：-55℃~175℃
功率：148W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：43nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2782pF@12V
连续漏极电流：74A
类型：N沟道
导通电阻：11mΩ@15A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC220N20NSFDATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：214W
阈值电压：4V@137µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：43nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3680pF@100V
连续漏极电流：52A
类型：N沟道
导通电阻：22mΩ@52A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC220N20NSFDATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：214W
阈值电压：4V@137µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：43nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3680pF@100V
连续漏极电流：52A
类型：N沟道
导通电阻：22mΩ@52A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"23+"：2865}
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFZ44ZSTRRPBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：80W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：43nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1420pF@25V
连续漏极电流：51A
类型：N沟道
导通电阻：13.9mΩ@31A，10V
漏源电压：55V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVD5C454NLT4G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.1W€56W
阈值电压：2.2V@70µA
栅极电荷：43nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2600pF@25V
连续漏极电流：20A€84A
类型：N沟道
导通电阻：3.9mΩ@40A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN4R3-40MLHX
工作温度：-55℃~175℃
功率：90W
阈值电压：2.15V@1mA
栅极电荷：43nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3007pF@20V
连续漏极电流：95A
类型：N沟道
导通电阻：4.3mΩ@25A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC220N20NSFDATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：214W
阈值电压：4V@137µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：43nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3680pF@100V
连续漏极电流：52A
类型：N沟道
导通电阻：22mΩ@52A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD90N04S404ATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：71W
阈值电压：4V@35µA
栅极电荷：43nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3440pF@25V
连续漏极电流：90A
类型：N沟道
导通电阻：4.1mΩ@90A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD90N04S404ATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：71W
阈值电压：4V@35µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：43nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3440pF@25V
连续漏极电流：90A
类型：N沟道
导通电阻：4.1mΩ@90A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD90N04S404ATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：71W
阈值电压：4V@35µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：43nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3440pF@25V
连续漏极电流：90A
类型：N沟道
导通电阻：4.1mΩ@90A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOD424
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.5W€100W
阈值电压：1.6V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：43nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4630pF@10V
连续漏极电流：18A€45A
类型：N沟道
导通电阻：4.4mΩ@20A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD90N04S404ATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：71W
阈值电压：4V@35µA
栅极电荷：43nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3440pF@25V
连续漏极电流：90A
类型：N沟道
导通电阻：4.1mΩ@90A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQ4064EY-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：6.8W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：43nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2096pF@25V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：19.8mΩ@6.1A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD90N04S404ATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：71W
阈值电压：4V@35µA
栅极电荷：43nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3440pF@25V
连续漏极电流：90A
类型：N沟道
导通电阻：4.1mΩ@90A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD90N04S404ATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：71W
阈值电压：4V@35µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：43nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3440pF@25V
连续漏极电流：90A
类型：N沟道
导通电阻：4.1mΩ@90A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC220N20NSFDATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：214W
阈值电压：4V@137µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：43nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3680pF@100V
连续漏极电流：52A
类型：N沟道
导通电阻：22mΩ@52A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQ4064EY-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：6.8W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：43nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2096pF@25V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：19.8mΩ@6.1A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN4R3-40MLHX
工作温度：-55℃~175℃
功率：90W
阈值电压：2.15V@1mA
栅极电荷：43nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3007pF@20V
连续漏极电流：95A
类型：N沟道
导通电阻：4.3mΩ@25A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFZ44ZSTRRPBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：80W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：43nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1420pF@25V
连续漏极电流：51A
类型：N沟道
导通电阻：13.9mΩ@31A，10V
漏源电压：55V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN4R3-40MLHX
工作温度：-55℃~175℃
功率：90W
阈值电压：2.15V@1mA
栅极电荷：43nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3007pF@20V
连续漏极电流：95A
类型：N沟道
导通电阻：4.3mΩ@25A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD90N04S404ATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：71W
阈值电压：4V@35µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：43nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3440pF@25V
连续漏极电流：90A
类型：N沟道
导通电阻：4.1mΩ@90A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVD5C454NLT4G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.1W€56W
阈值电压：2.2V@70µA
栅极电荷：43nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2600pF@25V
连续漏极电流：20A€84A
类型：N沟道
导通电阻：3.9mΩ@40A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STL210N4F7AG
工作温度：-55℃~175℃
功率：150W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：43nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3600pF@25V
连续漏极电流：120A
类型：N沟道
导通电阻：1.6mΩ@16A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
