采购热线 400-661-9010
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD200N15N3GATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：150W
阈值电压：4V@90µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：31nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1820pF@75V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：20mΩ@50A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD200N15N3GATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：150W
阈值电压：4V@90µA
栅极电荷：31nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1820pF@75V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：20mΩ@50A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD50N03S4L06ATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：56W
阈值电压：2.2V@20µA
栅极电荷：31nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2330pF@25V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：5.5mΩ@50A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：17200}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD200N15N3GATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：150W
阈值电压：4V@90µA
栅极电荷：31nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1820pF@75V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：20mΩ@50A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN6R7-40MLDX
工作温度：-55℃~175℃
功率：65W
阈值电压：2.15V@1mA
栅极电荷：31nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2071pF@20V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：6.7mΩ@20A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"23+"：1500，"MI+"：1500}
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUK9M6R7-40HX
工作温度：-55℃~175℃
功率：65W
阈值电压：2.15V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：31nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2054pF@25V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：6.7mΩ@20A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN6R7-40MLDX
工作温度：-55℃~175℃
功率：65W
阈值电压：2.15V@1mA
栅极电荷：31nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2071pF@20V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：6.7mΩ@20A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUK9M6R7-40HX
工作温度：-55℃~175℃
功率：65W
阈值电压：2.15V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：31nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2054pF@25V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：6.7mΩ@20A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD200N15N3GATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：150W
阈值电压：4V@90µA
栅极电荷：31nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1820pF@75V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：20mΩ@50A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPB200N15N3GATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：150W
阈值电压：4V@90µA
栅极电荷：31nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1820pF@75V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：20mΩ@50A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPB200N15N3GATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：150W
阈值电压：4V@90µA
栅极电荷：31nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1820pF@75V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：20mΩ@50A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：17200}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD200N15N3GATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：150W
阈值电压：4V@90µA
栅极电荷：31nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1820pF@75V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：20mΩ@50A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD50N03S4L06ATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：56W
阈值电压：2.2V@20µA
栅极电荷：31nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2330pF@25V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：5.5mΩ@50A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD050N03LGATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：68W
阈值电压：2.2V@250µA
栅极电荷：31nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3200pF@15V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：5mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD050N03LGATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：68W
阈值电压：2.2V@250µA
栅极电荷：31nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3200pF@15V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：5mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：17200}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD200N15N3GATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：150W
阈值电压：4V@90µA
栅极电荷：31nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1820pF@75V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：20mΩ@50A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"MI+"：865}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD200N15N3GATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：150W
阈值电压：4V@90µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：31nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1820pF@75V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：20mΩ@50A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD200N15N3GATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：150W
阈值电压：4V@90µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：31nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1820pF@75V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：20mΩ@50A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN6R7-40MLDX
工作温度：-55℃~175℃
功率：65W
阈值电压：2.15V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：31nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2071pF@20V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：6.7mΩ@20A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"23+"：568}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPB200N15N3GATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：150W
阈值电压：4V@90µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：31nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1820pF@75V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：20mΩ@50A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD050N03LGATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：68W
阈值电压：2.2V@250µA
栅极电荷：31nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3200pF@15V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：5mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"23+"：568}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPB200N15N3GATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：150W
阈值电压：4V@90µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：31nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1820pF@75V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：20mΩ@50A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN6R7-40MLDX
工作温度：-55℃~175℃
功率：65W
阈值电压：2.15V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：31nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2071pF@20V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：6.7mΩ@20A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUK9M6R7-40HX
工作温度：-55℃~175℃
功率：65W
阈值电压：2.15V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：31nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2054pF@25V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：6.7mΩ@20A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN6R7-40MLDX
工作温度：-55℃~175℃
功率：65W
阈值电压：2.15V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：31nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2071pF@20V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：6.7mΩ@20A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD200N15N3GATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：150W
阈值电压：4V@90µA
栅极电荷：31nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1820pF@75V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：20mΩ@50A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD050N03LGATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：68W
阈值电压：2.2V@250µA
栅极电荷：31nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3200pF@15V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：5mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD200N15N3GATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：150W
阈值电压：4V@90µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：31nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1820pF@75V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：20mΩ@50A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD200N15N3GATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：150W
阈值电压：4V@90µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：31nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1820pF@75V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：20mΩ@50A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPB200N15N3GATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：150W
阈值电压：4V@90µA
栅极电荷：31nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1820pF@75V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：20mΩ@50A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
