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    类型: N沟道
    工作温度: -55℃~175℃
    行业应用: 工业
    包装方式: 卷带(TR)
    连续漏极电流: 50A
    漏源电压: 40V
    当前匹配商品:200+
    商品信息
    参数
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    操作
    VISHAY Mosfet场效应管 SQD50N04-5M6_GE3 起订4个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQD50N04-5M6_GE3 起订4个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQD50N04-5M6_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:71W

    阈值电压:3.5V@250µA

    栅极电荷:85nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4000pF@25V

    连续漏极电流:50A

    类型:N沟道

    导通电阻:5.6mΩ@20A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD50N04S410ATMA1 起订2个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD50N04S410ATMA1 起订2个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPD50N04S410ATMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:41W

    阈值电压:4V@15µA

    栅极电荷:18.2nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1430pF@25V

    连续漏极电流:50A

    类型:N沟道

    导通电阻:9.3mΩ@50A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMNH4011SK3Q-13 起订2个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMNH4011SK3Q-13 起订2个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMNH4011SK3Q-13

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:2.6W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:25.5nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1405pF@20V

    连续漏极电流:50A

    类型:N沟道

    导通电阻:10mΩ@50A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQD50N04-5M6_T4GE3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQD50N04-5M6_T4GE3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQD50N04-5M6_T4GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:71W

    阈值电压:3.5V@250µA

    栅极电荷:85nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4000pF@25V

    连续漏极电流:50A

    类型:N沟道

    导通电阻:5.6mΩ@20A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD50N04S408ATMA1 起订3个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD50N04S408ATMA1 起订3个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPD50N04S408ATMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:46W

    阈值电压:4V@17µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:22.4nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1780pF@6V

    连续漏极电流:50A

    类型:N沟道

    导通电阻:7.9mΩ@50A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDD8453LZ-F085 起订2个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDD8453LZ-F085 起订2个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDD8453LZ-F085

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:118W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:64nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3515pF@20V

    连续漏极电流:50A

    类型:N沟道

    导通电阻:6.7mΩ@15A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD50N04S408ATMA1 起订3个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD50N04S408ATMA1 起订3个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPD50N04S408ATMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:46W

    阈值电压:4V@17µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:22.4nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1780pF@6V

    连续漏极电流:50A

    类型:N沟道

    导通电阻:7.9mΩ@50A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD50N04S4L08ATMA1 起订3个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD50N04S4L08ATMA1 起订3个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPD50N04S4L08ATMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:46W

    阈值电压:2.2V@17µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:30nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2340pF@25V

    连续漏极电流:50A

    类型:N沟道

    导通电阻:7.3mΩ@50A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD50N04S408ATMA1 起订2500个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD50N04S408ATMA1 起订2500个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPD50N04S408ATMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:46W

    阈值电压:4V@17µA

    栅极电荷:22.4nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1780pF@6V

    连续漏极电流:50A

    类型:N沟道

    导通电阻:7.9mΩ@50A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK6212-40C,118 起订1106个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK6212-40C,118 起订1106个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"11+":438,"16+":54000}

    销售单位:

    规格型号(MPN):BUK6212-40C,118

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:80W

    阈值电压:2.8V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:33.9nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1900pF@25V

    连续漏极电流:50A

    类型:N沟道

    导通电阻:11.2mΩ@12A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPC50N04S5L5R5ATMA1 起订5个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPC50N04S5L5R5ATMA1 起订5个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPC50N04S5L5R5ATMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:42W

    阈值电压:2V@13µA

    栅极电荷:23nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1209pF@25V

    连续漏极电流:50A

    类型:N沟道

    导通电阻:5.5mΩ@25A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN6R7-40MLDX 起订10个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN6R7-40MLDX 起订10个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PSMN6R7-40MLDX

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:65W

    阈值电压:2.15V@1mA

    栅极电荷:31nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2071pF@20V

    连续漏极电流:50A

    类型:N沟道

    导通电阻:6.7mΩ@20A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD50N04S4L08ATMA1 起订5个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD50N04S4L08ATMA1 起订5个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPD50N04S4L08ATMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:46W

    阈值电压:2.2V@17µA

    栅极电荷:30nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2340pF@25V

    连续漏极电流:50A

    类型:N沟道

    导通电阻:7.3mΩ@50A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK9M6R7-40HX 起订5000个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK9M6R7-40HX 起订5000个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"23+":1500,"MI+":1500}

    销售单位:

    规格型号(MPN):BUK9M6R7-40HX

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:65W

    阈值电压:2.15V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:31nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2054pF@25V

    连续漏极电流:50A

    类型:N沟道

    导通电阻:6.7mΩ@20A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN6R7-40MLDX 起订1000个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN6R7-40MLDX 起订1000个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PSMN6R7-40MLDX

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:65W

    阈值电压:2.15V@1mA

    栅极电荷:31nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2071pF@20V

    连续漏极电流:50A

    类型:N沟道

    导通电阻:6.7mΩ@20A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD50N04S309ATMA1 起订560个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD50N04S309ATMA1 起订560个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"18+":2451,"21+":909,"22+":2338,"23+":65354,"MI+":4847}

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPD50N04S309ATMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:63W

    阈值电压:4V@28µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:26nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1750pF@25V

    连续漏极电流:50A

    类型:N沟道

    导通电阻:9mΩ@50A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK9M6R7-40HX 起订10个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK9M6R7-40HX 起订10个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BUK9M6R7-40HX

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:65W

    阈值电压:2.15V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:31nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2054pF@25V

    连续漏极电流:50A

    类型:N沟道

    导通电阻:6.7mΩ@20A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQD50N04-4M5L_GE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQD50N04-4M5L_GE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQD50N04-4M5L_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:136W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:130nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5860pF@25V

    连续漏极电流:50A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.5mΩ@20A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD50N04S410ATMA1 起订100个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD50N04S410ATMA1 起订100个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPD50N04S410ATMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:41W

    阈值电压:4V@15µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:18.2nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1430pF@25V

    连续漏极电流:50A

    类型:N沟道

    导通电阻:9.3mΩ@50A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQD50N04-5M6_T4GE3 起订500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQD50N04-5M6_T4GE3 起订500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQD50N04-5M6_T4GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:71W

    阈值电压:3.5V@250µA

    栅极电荷:85nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4000pF@25V

    连续漏极电流:50A

    类型:N沟道

    导通电阻:5.6mΩ@20A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD50N04S410ATMA1 起订100个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD50N04S410ATMA1 起订100个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPD50N04S410ATMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:41W

    阈值电压:4V@15µA

    栅极电荷:18.2nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1430pF@25V

    连续漏极电流:50A

    类型:N沟道

    导通电阻:9.3mΩ@50A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK6212-40C,118 起订5000个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK6212-40C,118 起订5000个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"11+":438,"16+":54000}

    销售单位:

    规格型号(MPN):BUK6212-40C,118

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:80W

    阈值电压:2.8V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:33.9nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1900pF@25V

    连续漏极电流:50A

    类型:N沟道

    导通电阻:11.2mΩ@12A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQD50N04-5M6_T4GE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQD50N04-5M6_T4GE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQD50N04-5M6_T4GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:71W

    阈值电压:3.5V@250µA

    栅极电荷:85nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4000pF@25V

    连续漏极电流:50A

    类型:N沟道

    导通电阻:5.6mΩ@20A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQD50N04-5M6_T4GE3 起订1000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQD50N04-5M6_T4GE3 起订1000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQD50N04-5M6_T4GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:71W

    阈值电压:3.5V@250µA

    栅极电荷:85nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4000pF@25V

    连续漏极电流:50A

    类型:N沟道

    导通电阻:5.6mΩ@20A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPC50N04S55R8ATMA1 起订500个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPC50N04S55R8ATMA1 起订500个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPC50N04S55R8ATMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:42W

    阈值电压:3.4V@13µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:18nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1090pF@25V

    连续漏极电流:50A

    类型:N沟道

    导通电阻:5.8mΩ@25A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQD50N04-4M5L_GE3 起订5000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQD50N04-4M5L_GE3 起订5000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQD50N04-4M5L_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:136W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:130nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5860pF@25V

    连续漏极电流:50A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.5mΩ@20A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQD50N04-4M5L_GE3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQD50N04-4M5L_GE3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQD50N04-4M5L_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:136W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:130nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5860pF@25V

    连续漏极电流:50A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.5mΩ@20A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK7M6R0-40HX 起订100个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK7M6R0-40HX 起订100个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BUK7M6R0-40HX

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:70W

    阈值电压:3.6V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:28nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1875pF@25V

    连续漏极电流:50A

    类型:N沟道

    导通电阻:6mΩ@20A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQD50N04-5M6_T4GE3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQD50N04-5M6_T4GE3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQD50N04-5M6_T4GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:71W

    阈值电压:3.5V@250µA

    栅极电荷:85nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4000pF@25V

    连续漏极电流:50A

    类型:N沟道

    导通电阻:5.6mΩ@20A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD50N04S410ATMA1 起订500个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD50N04S410ATMA1 起订500个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPD50N04S410ATMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:41W

    阈值电压:4V@15µA

    栅极电荷:18.2nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1430pF@25V

    连续漏极电流:50A

    类型:N沟道

    导通电阻:9.3mΩ@50A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
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