采购热线 400-661-9010
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN015-60BS，118
工作温度：-55℃~175℃
功率：86W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：20.9nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1220pF@30V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：14.8mΩ@15A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"23+"：2104}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD079N06L3GATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：79W
阈值电压：2.2V@34µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：29nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4900pF@30V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：7.9mΩ@50A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRLR3636TRPBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：143W
阈值电压：2.5V@100µA
栅极电荷：49nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3779pF@50V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：6.8mΩ@50A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN015-60BS，118
工作温度：-55℃~175℃
功率：86W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：20.9nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1220pF@30V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：14.8mΩ@15A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFZ44STRLPBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.7W€150W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：67nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1900pF@25V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：28mΩ@31A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS5C673NLT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.6W€46W
阈值电压：2V@35µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：880pF@25V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：9.2mΩ@25A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMFS5C673NLWFAFT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：46W
阈值电压：2V@35µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：880pF@25V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：9.2mΩ@25A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPB081N06L3GATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：79W
阈值电压：2.2V@34µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：29nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4900pF@30V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：8.1mΩ@50A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD50N06S4L08ATMA2
工作温度：-55℃~175℃
功率：71W
阈值电压：2.2V@35µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：64nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4780pF@25V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：7.8mΩ@50A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFZ44STRLPBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.7W€150W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：67nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1900pF@25V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：28mΩ@31A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD50N06S4L12ATMA2
工作温度：-55℃~175℃
功率：50W
阈值电压：2.2V@20µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：40nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2890pF@25V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：12mΩ@50A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：STB55NF06T4
工作温度：-55℃~175℃
功率：110W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：60nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1300pF@25V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：18mΩ@27.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMNH6012SPSQ-13
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.6W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：35.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1926pF@30V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：11mΩ@50A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPB081N06L3GATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：79W
阈值电压：2.2V@34µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：29nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4900pF@30V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：8.1mΩ@50A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPB081N06L3GATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：79W
阈值电压：2.2V@34µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：29nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4900pF@30V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：8.1mΩ@50A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMFS5C673NLAFT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：46W
阈值电压：2V@35µA
栅极电荷：9.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：880pF@25V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：9.2mΩ@25A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRLR3636TRPBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：143W
阈值电压：2.5V@100µA
栅极电荷：49nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3779pF@50V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：6.8mΩ@50A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD86580-F085
工作温度：-55℃~175℃
功率：75W
阈值电压：4.2V@250µA
栅极电荷：30nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1430pF@30V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：19mΩ@50A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPB081N06L3GATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：79W
阈值电压：2.2V@34µA
栅极电荷：29nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4900pF@30V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：8.1mΩ@50A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN015-60BS，118
工作温度：-55℃~175℃
功率：86W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：20.9nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1220pF@30V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：14.8mΩ@15A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRLR3636TRPBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：143W
阈值电压：2.5V@100µA
栅极电荷：49nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3779pF@50V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：6.8mΩ@50A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD50N06S4L12ATMA2
工作温度：-55℃~175℃
功率：50W
阈值电压：2.2V@20µA
栅极电荷：40nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2890pF@25V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：12mΩ@50A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPB090N06N3GATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：71W
阈值电压：4V@34µA
栅极电荷：36nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2900pF@30V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：9mΩ@50A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS5C673NLT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.6W€46W
阈值电压：2V@35µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：880pF@25V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：9.2mΩ@25A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMNH6021SK3Q-13
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.1W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：20.1nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1143pF@25V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：23mΩ@12A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRLR3636TRPBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：143W
阈值电压：2.5V@100µA
栅极电荷：49nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3779pF@50V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：6.8mΩ@50A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMNH6021SK3Q-13
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.1W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：20.1nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1143pF@25V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：23mΩ@12A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRLR3636TRPBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：143W
阈值电压：2.5V@100µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：49nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3779pF@50V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：6.8mΩ@50A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMFS5C673NLAFT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：46W
阈值电压：2V@35µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：880pF@25V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：9.2mΩ@25A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD079N06L3GATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：79W
阈值电压：2.2V@34µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：29nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4900pF@30V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：7.9mΩ@50A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
