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    连续漏极电流
    50A
    功率
    75W
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    类型: N沟道
    工作温度: -55℃~175℃
    行业应用: 工业
    包装方式: 卷带(TR)
    连续漏极电流: 50A
    功率: 75W
    当前匹配商品:60+
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    VISHAY Mosfet场效应管 SQD50N05-11L_GE3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQD50N05-11L_GE3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQD50N05-11L_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:75W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:52nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2106pF@25V

    连续漏极电流:50A

    类型:N沟道

    导通电阻:11mΩ@45A,10V

    漏源电压:50V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDWS86380-F085 起订3个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDWS86380-F085 起订3个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDWS86380-F085

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:75W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:30nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1440pF@40V

    连续漏极电流:50A

    类型:N沟道

    导通电阻:13.4mΩ@50A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDD86580-F085 起订3个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDD86580-F085 起订3个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDD86580-F085

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:75W

    阈值电压:4.2V@250µA

    栅极电荷:30nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1430pF@30V

    连续漏极电流:50A

    类型:N沟道

    导通电阻:19mΩ@50A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDD86380-F085 起订1000个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDD86380-F085 起订1000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"22+":3698}

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDD86380-F085

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:75W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:30nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1440pF@40V

    连续漏极电流:50A

    类型:N沟道

    导通电阻:13.5mΩ@50A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQD50N05-11L_GE3 起订500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQD50N05-11L_GE3 起订500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQD50N05-11L_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:75W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:52nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2106pF@25V

    连续漏极电流:50A

    类型:N沟道

    导通电阻:11mΩ@45A,10V

    漏源电压:50V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQD50N05-11L_GE3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQD50N05-11L_GE3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQD50N05-11L_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:75W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:52nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2106pF@25V

    连续漏极电流:50A

    类型:N沟道

    导通电阻:11mΩ@45A,10V

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    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDD86580-F085 起订1000个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDD86580-F085 起订1000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDD86580-F085

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    功率:75W

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    连续漏极电流:50A

    类型:N沟道

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    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQD50N05-11L_GE3 起订1000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQD50N05-11L_GE3 起订1000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQD50N05-11L_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:75W

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    类型:N沟道

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    包装清单:商品主体 * 1

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    onsemi Mosfet场效应管 FDD86580-F085 起订10个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDD86580-F085 起订10个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDD86580-F085

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:75W

    阈值电压:4.2V@250µA

    栅极电荷:30nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1430pF@30V

    连续漏极电流:50A

    类型:N沟道

    导通电阻:19mΩ@50A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDD9410-F085 起订5000个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDD9410-F085 起订5000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDD9410-F085

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:75W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:34.5nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1715pF@25V

    连续漏极电流:50A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.1mΩ@50A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDD86380-F085 起订724个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDD86380-F085 起订724个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"22+":3698}

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDD86380-F085

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:75W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:30nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1440pF@40V

    连续漏极电流:50A

    类型:N沟道

    导通电阻:13.5mΩ@50A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDD9410-F085 起订718个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDD9410-F085 起订718个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"18+":2500,"23+":13980,"MI+":5000}

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDD9410-F085

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:75W

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    ECCN:EAR99

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    输入电容:1715pF@25V

    连续漏极电流:50A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.1mΩ@50A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

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    onsemi Mosfet场效应管 FDWS86380-F085 起订3个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDWS86380-F085 起订3个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDWS86380-F085

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:75W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:30nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1440pF@40V

    连续漏极电流:50A

    类型:N沟道

    导通电阻:13.4mΩ@50A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDD9410L-F085 起订3个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDD9410L-F085 起订3个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDD9410L-F085

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:75W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:43nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1960pF@20V

    连续漏极电流:50A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.2mΩ@50A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDWS86380-F085 起订1000个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDWS86380-F085 起订1000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDWS86380-F085

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:75W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:30nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1440pF@40V

    连续漏极电流:50A

    类型:N沟道

    导通电阻:13.4mΩ@50A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDWS86380-F085 起订10个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDWS86380-F085 起订10个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDWS86380-F085

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:75W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:30nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1440pF@40V

    连续漏极电流:50A

    类型:N沟道

    导通电阻:13.4mΩ@50A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDD9410L-F085 起订1000个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDD9410L-F085 起订1000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"20+":1161}

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDD9410L-F085

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:75W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:43nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1960pF@20V

    连续漏极电流:50A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.2mΩ@50A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDD86580-F085 起订500个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDD86580-F085 起订500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDD86580-F085

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:75W

    阈值电压:4.2V@250µA

    栅极电荷:30nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1430pF@30V

    连续漏极电流:50A

    类型:N沟道

    导通电阻:19mΩ@50A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    onsemi Mosfet场效应管 FDWS86380-F085 起订1000个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDWS86380-F085 起订1000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDWS86380-F085

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:75W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:30nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1440pF@40V

    连续漏极电流:50A

    类型:N沟道

    导通电阻:13.4mΩ@50A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    onsemi Mosfet场效应管 FDD9410-F085 起订5000个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDD9410-F085 起订5000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"18+":2500,"23+":13980,"MI+":5000}

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDD9410-F085

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:75W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:34.5nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1715pF@25V

    连续漏极电流:50A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.1mΩ@50A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDD86580-F085 起订100个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDD86580-F085 起订100个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDD86580-F085

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:75W

    阈值电压:4.2V@250µA

    栅极电荷:30nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1430pF@30V

    连续漏极电流:50A

    类型:N沟道

    导通电阻:19mΩ@50A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQD50N05-11L_GE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQD50N05-11L_GE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQD50N05-11L_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:75W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:52nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2106pF@25V

    连续漏极电流:50A

    类型:N沟道

    导通电阻:11mΩ@45A,10V

    漏源电压:50V

    包装清单:商品主体 * 1

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    VISHAY Mosfet场效应管 SQD50N05-11L_GE3 起订1000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQD50N05-11L_GE3 起订1000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQD50N05-11L_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:75W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:52nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2106pF@25V

    连续漏极电流:50A

    类型:N沟道

    导通电阻:11mΩ@45A,10V

    漏源电压:50V

    包装清单:商品主体 * 1

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    onsemi Mosfet场效应管 FDD9410-F085 起订1000个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDD9410-F085 起订1000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"18+":2500,"23+":13980,"MI+":5000}

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDD9410-F085

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:75W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:34.5nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1715pF@25V

    连续漏极电流:50A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.1mΩ@50A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    onsemi Mosfet场效应管 FDWS86380-F085 起订100个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDWS86380-F085 起订100个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDWS86380-F085

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:75W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:30nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1440pF@40V

    连续漏极电流:50A

    类型:N沟道

    导通电阻:13.4mΩ@50A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDWS86380-F085 起订100个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDWS86380-F085 起订100个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDWS86380-F085

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:75W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:30nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1440pF@40V

    连续漏极电流:50A

    类型:N沟道

    导通电阻:13.4mΩ@50A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDWS86380-F085 起订10个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDWS86380-F085 起订10个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDWS86380-F085

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:75W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:30nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1440pF@40V

    连续漏极电流:50A

    类型:N沟道

    导通电阻:13.4mΩ@50A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQD50N05-11L_GE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQD50N05-11L_GE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQD50N05-11L_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:75W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:52nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2106pF@25V

    连续漏极电流:50A

    类型:N沟道

    导通电阻:11mΩ@45A,10V

    漏源电压:50V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQD50N05-11L_GE3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQD50N05-11L_GE3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQD50N05-11L_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:75W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:52nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2106pF@25V

    连续漏极电流:50A

    类型:N沟道

    导通电阻:11mΩ@45A,10V

    漏源电压:50V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDD86580-F085 起订10个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDD86580-F085 起订10个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDD86580-F085

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:75W

    阈值电压:4.2V@250µA

    栅极电荷:30nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1430pF@30V

    连续漏极电流:50A

    类型:N沟道

    导通电阻:19mΩ@50A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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