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    类型: N沟道
    工作温度: -55℃~175℃
    行业应用: 工业
    连续漏极电流: 50A
    当前匹配商品:1500+
    商品信息
    参数
    库存/批次
    价格
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    操作
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN015-60BS,118 起订2个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN015-60BS,118 起订2个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):PSMN015-60BS,118

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:86W

    阈值电压:4V@1mA

    栅极电荷:20.9nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1220pF@30V

    连续漏极电流:50A

    类型:N沟道

    导通电阻:14.8mΩ@15A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 IRLZ44PBF 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 IRLZ44PBF 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRLZ44PBF

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:150W

    阈值电压:2V@250µA

    栅极电荷:66nC@5V

    包装方式:管件

    输入电容:3300pF@25V

    连续漏极电流:50A

    类型:N沟道

    导通电阻:28mΩ@31A,5V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD50N06S214ATMA2 起订2个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD50N06S214ATMA2 起订2个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPD50N06S214ATMA2

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:136W

    阈值电压:4V@80µA

    栅极电荷:52nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1485pF@25V

    连续漏极电流:50A

    类型:N沟道

    导通电阻:14.4mΩ@32A,10V

    漏源电压:55V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD079N06L3GATMA1 起订805个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD079N06L3GATMA1 起订805个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"23+":2104}

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPD079N06L3GATMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:79W

    阈值电压:2.2V@34µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:29nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4900pF@30V

    连续漏极电流:50A

    类型:N沟道

    导通电阻:7.9mΩ@50A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IRLR3636TRPBF 起订3个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IRLR3636TRPBF 起订3个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRLR3636TRPBF

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:143W

    阈值电压:2.5V@100µA

    栅极电荷:49nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3779pF@50V

    连续漏极电流:50A

    类型:N沟道

    导通电阻:6.8mΩ@50A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQD50N04-5M6_GE3 起订4个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQD50N04-5M6_GE3 起订4个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQD50N04-5M6_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:71W

    阈值电压:3.5V@250µA

    栅极电荷:85nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4000pF@25V

    连续漏极电流:50A

    类型:N沟道

    导通电阻:5.6mΩ@20A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN015-60BS,118 起订2个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN015-60BS,118 起订2个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):PSMN015-60BS,118

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:86W

    阈值电压:4V@1mA

    栅极电荷:20.9nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1220pF@30V

    连续漏极电流:50A

    类型:N沟道

    导通电阻:14.8mΩ@15A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMTH8012LK3-13 起订2个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMTH8012LK3-13 起订2个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMTH8012LK3-13

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:2.6W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:34nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1949pF@40V

    连续漏极电流:50A

    类型:N沟道

    导通电阻:16mΩ@12A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPP055N03LGXKSA1 起订3个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPP055N03LGXKSA1 起订3个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPP055N03LGXKSA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:68W

    阈值电压:2.2V@250µA

    栅极电荷:31nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:3200pF@15V

    连续漏极电流:50A

    类型:N沟道

    导通电阻:5.5mΩ@30A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD50N03S207ATMA1 起订459个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD50N03S207ATMA1 起订459个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"18+":1615,"20+":2451,"23+":9336,"MI+":2417}

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPD50N03S207ATMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:136W

    阈值电压:4V@85µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:68nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2000pF@25V

    连续漏极电流:50A

    类型:N沟道

    导通电阻:7.3mΩ@50A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFZ48RSPBF 起订1个装
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFZ48RSPBF 起订1个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFZ48RSPBF

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:190W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:110nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:2400pF@25V

    连续漏极电流:50A

    类型:N沟道

    导通电阻:18mΩ@43A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IRFP260NPBF 起订25个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IRFP260NPBF 起订25个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):25psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFP260NPBF

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:300W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:234nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:4057pF@25V

    连续漏极电流:50A

    类型:N沟道

    导通电阻:40mΩ@28A,10V

    漏源电压:200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFZ40PBF 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFZ40PBF 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFZ40PBF

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:150W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:67nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1900pF@25V

    连续漏极电流:50A

    类型:N沟道

    导通电阻:28mΩ@31A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD50N04S410ATMA1 起订2个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD50N04S410ATMA1 起订2个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPD50N04S410ATMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:41W

    阈值电压:4V@15µA

    栅极电荷:18.2nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1430pF@25V

    连续漏极电流:50A

    类型:N沟道

    导通电阻:9.3mΩ@50A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 RFP50N06 起订25个装
    onsemi Mosfet场效应管 RFP50N06 起订25个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):RFP50N06

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:131W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:150nC@20V

    包装方式:管件

    输入电容:2020pF@25V

    连续漏极电流:50A

    类型:N沟道

    导通电阻:22mΩ@50A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFZ44STRLPBF 起订1个装
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFZ44STRLPBF 起订1个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFZ44STRLPBF

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.7W€150W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:67nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1900pF@25V

    连续漏极电流:50A

    类型:N沟道

    导通电阻:28mΩ@31A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SUD70090E-GE3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SUD70090E-GE3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SUD70090E-GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:125W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:50nC@10V

    包装方式:散装

    输入电容:1950pF@50V

    连续漏极电流:50A

    类型:N沟道

    导通电阻:8.9mΩ@20A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQD50N05-11L_GE3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQD50N05-11L_GE3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQD50N05-11L_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:75W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:52nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2106pF@25V

    连续漏极电流:50A

    类型:N沟道

    导通电阻:11mΩ@45A,10V

    漏源电压:50V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFZ40PBF 起订50个装
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFZ40PBF 起订50个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFZ40PBF

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:150W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:67nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1900pF@25V

    连续漏极电流:50A

    类型:N沟道

    导通电阻:28mΩ@31A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD200N15N3GATMA1 起订2500个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD200N15N3GATMA1 起订2500个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPD200N15N3GATMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:150W

    阈值电压:4V@90µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:31nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1820pF@75V

    连续漏极电流:50A

    类型:N沟道

    导通电阻:20mΩ@50A,10V

    漏源电压:150V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD50N06S214ATMA2 起订2个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD50N06S214ATMA2 起订2个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPD50N06S214ATMA2

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:136W

    阈值电压:4V@80µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:52nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1485pF@25V

    连续漏极电流:50A

    类型:N沟道

    导通电阻:14.4mΩ@32A,10V

    漏源电压:55V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFZ48PBF 起订1个装
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFZ48PBF 起订1个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFZ48PBF

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:190W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:110nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:2400pF@25V

    连续漏极电流:50A

    类型:N沟道

    导通电阻:18mΩ@43A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD200N15N3GATMA1 起订2个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD200N15N3GATMA1 起订2个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPD200N15N3GATMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:150W

    阈值电压:4V@90µA

    栅极电荷:31nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1820pF@75V

    连续漏极电流:50A

    类型:N沟道

    导通电阻:20mΩ@50A,10V

    漏源电压:150V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD060N03LGATMA1 起订3个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD060N03LGATMA1 起订3个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPD060N03LGATMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:56W

    阈值电压:2.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:23nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2400pF@15V

    连续漏极电流:50A

    类型:N沟道

    导通电阻:6mΩ@30A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMNH4011SK3Q-13 起订2个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMNH4011SK3Q-13 起订2个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMNH4011SK3Q-13

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:2.6W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:25.5nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1405pF@20V

    连续漏极电流:50A

    类型:N沟道

    导通电阻:10mΩ@50A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMTH8012LK3-13 起订2个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMTH8012LK3-13 起订2个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMTH8012LK3-13

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:2.6W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:34nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1949pF@40V

    连续漏极电流:50A

    类型:N沟道

    导通电阻:16mΩ@12A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IMZA65R039M1HXKSA1 起订1个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IMZA65R039M1HXKSA1 起订1个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IMZA65R039M1HXKSA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:176W

    阈值电压:5.7V@7.5mA

    栅极电荷:41nC@18V

    包装方式:管件

    输入电容:1393pF@400V

    连续漏极电流:50A

    类型:N沟道

    导通电阻:50mΩ@25A,18V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD50N06S2L13ATMA2 起订2个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD50N06S2L13ATMA2 起订2个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPD50N06S2L13ATMA2

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:136W

    阈值电压:2V@80µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:69nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1800pF@25V

    连续漏极电流:50A

    类型:N沟道

    导通电阻:12.7mΩ@34A,10V

    漏源电压:55V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDP150N10A-F102 起订1个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDP150N10A-F102 起订1个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDP150N10A-F102

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:91W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:21nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1440pF@50V

    连续漏极电流:50A

    类型:N沟道

    导通电阻:15mΩ@50A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD50N10S3L16ATMA1 起订1个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD50N10S3L16ATMA1 起订1个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPD50N10S3L16ATMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:100W

    阈值电压:2.4V@60µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:64nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4180pF@25V

    连续漏极电流:50A

    类型:N沟道

    导通电阻:15mΩ@50A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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