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    类型: N沟道
    工作温度: -55℃~175℃
    行业应用: 工业
    连续漏极电流: 58A
    当前匹配商品:100+
    商品信息
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    INFINEON Mosfet场效应管 IPB123N10N3GATMA1 起订2个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPB123N10N3GATMA1 起订2个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPB123N10N3GATMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:94W

    阈值电压:3.5V@46µA

    栅极电荷:35nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2500pF@50V

    连续漏极电流:58A

    类型:N沟道

    导通电阻:12.3mΩ@46A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    瞻芯 Mosfet场效应管 IV1Q12050T4 起订1个装
    瞻芯 Mosfet场效应管 IV1Q12050T4 起订1个装

    品牌:瞻芯

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IV1Q12050T4

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:344W

    阈值电压:3.2V@6mA

    栅极电荷:120nC@20V

    包装方式:管件

    输入电容:2750pF@800V

    连续漏极电流:58A

    类型:N沟道

    导通电阻:65mΩ@20A,20V

    漏源电压:1200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTB6412ANG 起订246个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTB6412ANG 起订246个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"11+":7810}

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTB6412ANG

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:167W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:100nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:3500pF@25V

    连续漏极电流:58A

    类型:N沟道

    导通电阻:18.2mΩ@58A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ858AEP-T1_BE3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ858AEP-T1_BE3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJ858AEP-T1_BE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:48W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:55nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2450pF@20V

    连续漏极电流:58A

    类型:N沟道

    导通电阻:6.3mΩ@14A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IRF60R217 起订2000个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IRF60R217 起订2000个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRF60R217

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:83W

    阈值电压:3.7V@50µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:66nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2170pF@25V

    连续漏极电流:58A

    类型:N沟道

    导通电阻:9.9mΩ@35A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTB6412ANT4G 起订246个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTB6412ANT4G 起订246个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"10+":2369}

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTB6412ANT4G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:167W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:100nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3500pF@25V

    连续漏极电流:58A

    类型:N沟道

    导通电阻:18.2mΩ@58A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ858AEP-T1_GE3 起订3000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ858AEP-T1_GE3 起订3000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJ858AEP-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:48W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:55nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2450pF@20V

    连续漏极电流:58A

    类型:N沟道

    导通电阻:6.3mΩ@14A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ868EP-T1_BE3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ868EP-T1_BE3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJ868EP-T1_BE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:48W

    阈值电压:3.5V@250µA

    栅极电荷:55nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2450pF@20V

    连续漏极电流:58A

    类型:N沟道

    导通电阻:7.35mΩ@14A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NVH4L040N120SC1 起订1个装
    onsemi Mosfet场效应管 NVH4L040N120SC1 起订1个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVH4L040N120SC1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:319W

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:106nC@20V

    包装方式:管件

    输入电容:1762pF@800V

    连续漏极电流:58A

    类型:N沟道

    导通电阻:56mΩ@35A,20V

    漏源电压:1200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ868EP-T1_BE3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ868EP-T1_BE3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJ868EP-T1_BE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:48W

    阈值电压:3.5V@250µA

    栅极电荷:55nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2450pF@20V

    连续漏极电流:58A

    类型:N沟道

    导通电阻:7.35mΩ@14A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK7Y13-40B,115 起订2个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK7Y13-40B,115 起订2个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BUK7Y13-40B,115

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:85W

    阈值电压:4V@1mA

    栅极电荷:19nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1311pF@25V

    连续漏极电流:58A

    类型:N沟道

    导通电阻:13mΩ@25A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ868EP-T1_GE3 起订5个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ868EP-T1_GE3 起订5个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJ868EP-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:48W

    阈值电压:3.5V@250µA

    栅极电荷:55nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2450pF@20V

    连续漏极电流:58A

    类型:N沟道

    导通电阻:7.35mΩ@14A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ868EP-T1_GE3 起订6个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ868EP-T1_GE3 起订6个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJ868EP-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:48W

    阈值电压:3.5V@250µA

    栅极电荷:55nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2450pF@20V

    连续漏极电流:58A

    类型:N沟道

    导通电阻:7.35mΩ@14A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ858AEP-T1_BE3 起订500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ858AEP-T1_BE3 起订500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJ858AEP-T1_BE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:48W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:55nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2450pF@20V

    连续漏极电流:58A

    类型:N沟道

    导通电阻:6.3mΩ@14A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTP6412ANG 起订10个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTP6412ANG 起订10个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTP6412ANG

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:167W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:100nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:3500pF@25V

    连续漏极电流:58A

    类型:N沟道

    导通电阻:18.2mΩ@58A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTH4L040N120SC1 起订1个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTH4L040N120SC1 起订1个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTH4L040N120SC1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:319W

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:106nC@20V

    包装方式:管件

    输入电容:1762pF@800V

    连续漏极电流:58A

    类型:N沟道

    导通电阻:56mΩ@35A,20V

    漏源电压:1200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTP6412ANG 起订100个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTP6412ANG 起订100个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTP6412ANG

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:167W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:100nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:3500pF@25V

    连续漏极电流:58A

    类型:N沟道

    导通电阻:18.2mΩ@58A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 AUIRFN7110TR 起订5000个装
    INFINEON Mosfet场效应管 AUIRFN7110TR 起订5000个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"17+":44000}

    销售单位:

    规格型号(MPN):AUIRFN7110TR

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:4.3W€125W

    阈值电压:4V@100µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:74nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3050pF@25V

    连续漏极电流:58A

    类型:N沟道

    导通电阻:14.5mΩ@35A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ858AEP-T1_BE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ858AEP-T1_BE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJ858AEP-T1_BE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:48W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:55nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2450pF@20V

    连续漏极电流:58A

    类型:N沟道

    导通电阻:6.3mΩ@14A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 AUIRFN7110TR 起订300个装
    INFINEON Mosfet场效应管 AUIRFN7110TR 起订300个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"17+":44000}

    销售单位:

    规格型号(MPN):AUIRFN7110TR

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:4.3W€125W

    阈值电压:4V@100µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:74nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3050pF@25V

    连续漏极电流:58A

    类型:N沟道

    导通电阻:14.5mΩ@35A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 AUIRFN7110TR 起订500个装
    INFINEON Mosfet场效应管 AUIRFN7110TR 起订500个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"17+":44000}

    销售单位:

    规格型号(MPN):AUIRFN7110TR

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:4.3W€125W

    阈值电压:4V@100µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:74nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3050pF@25V

    连续漏极电流:58A

    类型:N沟道

    导通电阻:14.5mΩ@35A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IRF60R217 起订500个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IRF60R217 起订500个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRF60R217

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:83W

    阈值电压:3.7V@50µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:66nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2170pF@25V

    连续漏极电流:58A

    类型:N沟道

    导通电阻:9.9mΩ@35A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ858AEP-T1_BE3 起订1000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ858AEP-T1_BE3 起订1000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJ858AEP-T1_BE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:48W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:55nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2450pF@20V

    连续漏极电流:58A

    类型:N沟道

    导通电阻:6.3mΩ@14A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ858AEP-T1_GE3 起订1000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ858AEP-T1_GE3 起订1000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJ858AEP-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:48W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:55nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2450pF@20V

    连续漏极电流:58A

    类型:N沟道

    导通电阻:6.3mΩ@14A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTB6412ANG 起订500个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTB6412ANG 起订500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"11+":7810}

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTB6412ANG

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:167W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:100nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:3500pF@25V

    连续漏极电流:58A

    类型:N沟道

    导通电阻:18.2mΩ@58A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ868EP-T1_GE3 起订1000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ868EP-T1_GE3 起订1000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJ868EP-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:48W

    阈值电压:3.5V@250µA

    栅极电荷:55nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2450pF@20V

    连续漏极电流:58A

    类型:N沟道

    导通电阻:7.35mΩ@14A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    INFINEON Mosfet场效应管 IRF60R217 起订1000个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IRF60R217 起订1000个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRF60R217

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:83W

    阈值电压:3.7V@50µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:66nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2170pF@25V

    连续漏极电流:58A

    类型:N沟道

    导通电阻:9.9mΩ@35A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    INFINEON Mosfet场效应管 IRF60R217 起订100个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IRF60R217 起订100个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRF60R217

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:83W

    阈值电压:3.7V@50µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:66nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2170pF@25V

    连续漏极电流:58A

    类型:N沟道

    导通电阻:9.9mΩ@35A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    onsemi Mosfet场效应管 NTH4L040N120SC1 起订50个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTH4L040N120SC1 起订50个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTH4L040N120SC1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:319W

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:106nC@20V

    包装方式:管件

    输入电容:1762pF@800V

    连续漏极电流:58A

    类型:N沟道

    导通电阻:56mΩ@35A,20V

    漏源电压:1200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ858AEP-T1_GE3 起订500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ858AEP-T1_GE3 起订500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJ858AEP-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:48W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:55nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2450pF@20V

    连续漏极电流:58A

    类型:N沟道

    导通电阻:6.3mΩ@14A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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