采购热线 400-661-9010
品牌：GeneSiC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：G2R1000MT17J
工作温度：-55℃~175℃
功率：54W
阈值电压：4V@2mA
包装方式：管件
输入电容：139pF@1000V
连续漏极电流：3A
类型：N沟道
导通电阻：1.2Ω@2A，20V
漏源电压：1700V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：77000，"MI+"：4000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPB47N10S33ATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：175W
阈值电压：4V@2mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：105nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2500pF@25V
连续漏极电流：47A
类型：N沟道
导通电阻：33mΩ@33A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：GeneSiC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：G2R1000MT17J
工作温度：-55℃~175℃
功率：54W
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包装方式：管件
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连续漏极电流：3A
类型：N沟道
导通电阻：1.2Ω@2A，20V
漏源电压：1700V
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品牌：GeneSiC
分类：Mosfet场效应管
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规格型号(MPN)：G2R1000MT17J
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连续漏极电流：3A
类型：N沟道
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漏源电压：1700V
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品牌：GeneSiC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：G2R1000MT17J
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分类：Mosfet场效应管
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品牌：GeneSiC
分类：Mosfet场效应管
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规格型号(MPN)：G2R1000MT17J
工作温度：-55℃~175℃
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ECCN：EAR99
包装方式：管件
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连续漏极电流：3A
类型：N沟道
导通电阻：1.2Ω@2A，20V
漏源电压：1700V
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规格型号(MPN)：G2R1000MT17J
工作温度：-55℃~175℃
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包装方式：管件
输入电容：139pF@1000V
连续漏极电流：3A
类型：N沟道
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品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：77000，"MI+"：4000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPB47N10S33ATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：175W
阈值电压：4V@2mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：105nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2500pF@25V
连续漏极电流：47A
类型：N沟道
导通电阻：33mΩ@33A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：GeneSiC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：G2R1000MT17J
工作温度：-55℃~175℃
功率：54W
阈值电压：4V@2mA
ECCN：EAR99
包装方式：管件
输入电容：139pF@1000V
连续漏极电流：3A
类型：N沟道
导通电阻：1.2Ω@2A，20V
漏源电压：1700V
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功率：54W
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ECCN：EAR99
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连续漏极电流：3A
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漏源电压：1700V
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工作温度：-55℃~175℃
功率：54W
阈值电压：4V@2mA
包装方式：管件
输入电容：139pF@1000V
连续漏极电流：3A
类型：N沟道
导通电阻：1.2Ω@2A，20V
漏源电压：1700V
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品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
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生产批次：{"22+"：77000，"MI+"：4000}
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工作温度：-55℃~175℃
功率：175W
阈值电压：4V@2mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：105nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2500pF@25V
连续漏极电流：47A
类型：N沟道
导通电阻：33mΩ@33A，10V
漏源电压：100V
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品牌：GeneSiC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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工作温度：-55℃~175℃
功率：54W
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ECCN：EAR99
包装方式：管件
输入电容：139pF@1000V
连续漏极电流：3A
类型：N沟道
导通电阻：1.2Ω@2A，20V
漏源电压：1700V
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工作温度：-55℃~175℃
功率：54W
阈值电压：4V@2mA
ECCN：EAR99
包装方式：管件
输入电容：139pF@1000V
连续漏极电流：3A
类型：N沟道
导通电阻：1.2Ω@2A，20V
漏源电压：1700V
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品牌：GeneSiC
分类：Mosfet场效应管
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输入电容：139pF@1000V
类型：N沟道
连续漏极电流：3A
漏源电压：1700V
工作温度：-55℃~175℃
包装方式：管件
阈值电压：4V@2mA
功率：54W
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库存：
品牌：GeneSiC
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行业应用：工业,汽车
销售单位：个
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规格型号(MPN)：G2R1000MT17J
输入电容：139pF@1000V
类型：N沟道
连续漏极电流：3A
漏源电压：1700V
工作温度：-55℃~175℃
包装方式：管件
阈值电压：4V@2mA
功率：54W
导通电阻：1.2Ω@2A，20V
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库存：
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行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：77000，"MI+"：4000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPB47N10S33ATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：175W
阈值电压：4V@2mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：105nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2500pF@25V
连续漏极电流：47A
类型：N沟道
导通电阻：33mΩ@33A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：GeneSiC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：G2R1000MT17J
工作温度：-55℃~175℃
功率：54W
阈值电压：4V@2mA
包装方式：管件
输入电容：139pF@1000V
连续漏极电流：3A
类型：N沟道
导通电阻：1.2Ω@2A，20V
漏源电压：1700V
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行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：G2R1000MT17J
工作温度：-55℃~175℃
功率：54W
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包装方式：管件
输入电容：139pF@1000V
连续漏极电流：3A
类型：N沟道
导通电阻：1.2Ω@2A，20V
漏源电压：1700V
包装清单：商品主体 * 1
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