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    类型: N沟道
    工作温度: -55℃~175℃
    阈值电压: 3V@250µA
    行业应用: 汽车
    当前匹配商品:1300+
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    AOS Mosfet场效应管 AOD4132 起订6个装
    AOS Mosfet场效应管 AOD4132 起订6个装

    品牌:AOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AOD4132

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:2.5W€100W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:76nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4400pF@15V

    连续漏极电流:85A

    类型:N沟道

    导通电阻:4mΩ@20A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMTH6010LPSQ-13 起订2个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMTH6010LPSQ-13 起订2个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMTH6010LPSQ-13

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:2.6W€136W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:41.3nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2090pF@30V

    连续漏极电流:13.5A€100A

    类型:N沟道

    导通电阻:8mΩ@20A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDD8444L-F085 起订373个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDD8444L-F085 起订373个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"22+":4213}

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDD8444L-F085

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:153W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:60nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5530pF@25V

    连续漏极电流:16A€50A

    类型:N沟道

    导通电阻:5.2mΩ@50A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDBL9403L-F085 起订1个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDBL9403L-F085 起订1个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDBL9403L-F085

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.5W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:203nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:14100pF@20V

    连续漏极电流:53.3A

    类型:N沟道

    导通电阻:0.72mΩ@80A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMTH8012LK3-13 起订2个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMTH8012LK3-13 起订2个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMTH8012LK3-13

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:2.6W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:34nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1949pF@40V

    连续漏极电流:50A

    类型:N沟道

    导通电阻:16mΩ@12A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    UMW Mosfet场效应管 15N10 起订18个装
    UMW Mosfet场效应管 15N10 起订18个装

    品牌:UMW

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):15N10

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:55W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:19.2nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:632pF@50V

    连续漏极电流:15A

    类型:N沟道

    导通电阻:110mΩ@10A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IRL3705ZSTRLPBF 起订8个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IRL3705ZSTRLPBF 起订8个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRL3705ZSTRLPBF

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:130W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:60nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2880pF@25V

    连续漏极电流:75A

    类型:N沟道

    导通电阻:8mΩ@52A,10V

    漏源电压:55V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    FAIRCHILD Mosfet场效应管 FDS6294 起订1158个装
    FAIRCHILD Mosfet场效应管 FDS6294 起订1158个装

    品牌:FAIRCHILD

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"05+":55,"06+":1394,"07+":5579,"08+":632817,"11+":2190,"14+":5000,"16+":4400,"17+":900,"MI+":20000}

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDS6294

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:14nC@5V

    输入电容:1205pF@15V

    连续漏极电流:13A

    类型:N沟道

    导通电阻:11.3mΩ@13A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMTH4008LPSQ-13 起订5个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMTH4008LPSQ-13 起订5个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMTH4008LPSQ-13

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:2.99W€55.5W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:15.3nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1088pF@20V

    连续漏极电流:14.4A€64.8A

    类型:N沟道

    导通电阻:8.8mΩ@10A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    FAIRCHILD Mosfet场效应管 FDS6294 起订962个装
    FAIRCHILD Mosfet场效应管 FDS6294 起订962个装

    品牌:FAIRCHILD

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDS6294

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:14nC@5V

    输入电容:1205pF@15V

    连续漏极电流:13A

    类型:N沟道

    导通电阻:11.3mΩ@13A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMTH6004LPSQ-13 起订2个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMTH6004LPSQ-13 起订2个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMTH6004LPSQ-13

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:2.6W€138W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:47.4nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4515pF@30V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.1mΩ@25A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMTH6002LPSWQ-13 起订1个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMTH6002LPSWQ-13 起订1个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMTH6002LPSWQ-13

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3W€167W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:131nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:8289pF@30V

    连续漏极电流:205A

    类型:N沟道

    导通电阻:2mΩ@30A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IRLR3105TRPBF 起订2个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IRLR3105TRPBF 起订2个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRLR3105TRPBF

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:57W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:20nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:710pF@25V

    连续漏极电流:25A

    类型:N沟道

    导通电阻:37mΩ@15A,10V

    漏源电压:55V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMTH8012LK3-13 起订2个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMTH8012LK3-13 起订2个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMTH8012LK3-13

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:2.6W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:34nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1949pF@40V

    连续漏极电流:50A

    类型:N沟道

    导通电阻:16mΩ@12A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMTH4014LFVWQ-7 起订3个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMTH4014LFVWQ-7 起订3个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMTH4014LFVWQ-7

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.1W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:11.2nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:750pF@20V

    连续漏极电流:11.5A€49.8A

    类型:N沟道

    导通电阻:13.7mΩ@20A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMTH4008LFDFWQ-13 起订3个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMTH4008LFDFWQ-13 起订3个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMTH4008LFDFWQ-13

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:990mW

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:14.2nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1030pF@20V

    连续漏极电流:11.6A

    类型:N沟道

    导通电阻:11.5mΩ@10A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 HUF76429S3ST 起订2个装
    onsemi Mosfet场效应管 HUF76429S3ST 起订2个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):HUF76429S3ST

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:110W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:46nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1480pF@25V

    连续漏极电流:47A

    类型:N沟道

    导通电阻:22mΩ@47A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMTH6016LFDFWQ-7R 起订6个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMTH6016LFDFWQ-7R 起订6个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMTH6016LFDFWQ-7R

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:1.06W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:15.3nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:925pF@30V

    连续漏极电流:9.4A

    类型:N沟道

    导通电阻:18mΩ@10A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IRL3705ZPBF 起订2个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IRL3705ZPBF 起订2个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRL3705ZPBF

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:130W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:60nC@5V

    包装方式:管件

    输入电容:2880pF@25V

    连续漏极电流:75A

    类型:N沟道

    导通电阻:8mΩ@52A,10V

    漏源电压:55V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    AOS Mosfet场效应管 AOD4132 起订2个装
    AOS Mosfet场效应管 AOD4132 起订2个装

    品牌:AOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AOD4132

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:2.5W€100W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:76nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4400pF@15V

    连续漏极电流:85A

    类型:N沟道

    导通电阻:4mΩ@20A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMTH6005LK3Q-13 起订4个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMTH6005LK3Q-13 起订4个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMTH6005LK3Q-13

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:2.1W€100W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:47.1nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2962pF@30V

    连续漏极电流:90A

    类型:N沟道

    导通电阻:5.6mΩ@50A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDMC86570LET60 起订3000个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDMC86570LET60 起订3000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMC86570LET60

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:2.8W€65W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:88nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4790pF@30V

    连续漏极电流:18A€87A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.3mΩ@18A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDD9411L-F085 起订785个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDD9411L-F085 起订785个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"18+":7500,"21+":1315}

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDD9411L-F085

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:48.4W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:27nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1210pF@20V

    连续漏极电流:25A

    类型:N沟道

    导通电阻:7mΩ@20A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    UMW Mosfet场效应管 15N10 起订504个装
    UMW Mosfet场效应管 15N10 起订504个装

    品牌:UMW

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):15N10

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:55W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:19.2nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:632pF@50V

    连续漏极电流:15A

    类型:N沟道

    导通电阻:110mΩ@10A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDMC86570LET60 起订1个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDMC86570LET60 起订1个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMC86570LET60

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:2.8W€65W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:88nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4790pF@30V

    连续漏极电流:18A€87A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.3mΩ@18A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMNH6012LK3Q-13 起订2个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMNH6012LK3Q-13 起订2个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMNH6012LK3Q-13

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:2W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:35.2nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1926pF@30V

    连续漏极电流:80A

    类型:N沟道

    导通电阻:12mΩ@25A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDD8453LZ-F085 起订2个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDD8453LZ-F085 起订2个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDD8453LZ-F085

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:118W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:64nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3515pF@20V

    连续漏极电流:50A

    类型:N沟道

    导通电阻:6.7mΩ@15A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMTH6016LK3Q-13 起订2500个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMTH6016LK3Q-13 起订2500个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMTH6016LK3Q-13

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.2W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:17nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:864pF@30V

    连续漏极电流:10.8A€46.9A

    类型:N沟道

    导通电阻:17mΩ@10A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IRLR2905ZTRPBF 起订2000个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IRLR2905ZTRPBF 起订2000个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRLR2905ZTRPBF

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:110W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:35nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1570pF@25V

    连续漏极电流:42A

    类型:N沟道

    导通电阻:13.5mΩ@36A,10V

    漏源电压:55V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMTH8012LK3Q-13 起订2500个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMTH8012LK3Q-13 起订2500个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMTH8012LK3Q-13

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:2.6W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:46.8nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2051pF@40V

    连续漏极电流:50A

    类型:N沟道

    导通电阻:16mΩ@12A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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