销售单位:个
规格型号(MPN):AOD4132
工作温度:-55℃~175℃
功率:2.5W€100W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:76nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4400pF@15V
连续漏极电流:85A
类型:N沟道
导通电阻:4mΩ@20A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMTH6010LPSQ-13
工作温度:-55℃~175℃
功率:2.6W€136W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:41.3nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2090pF@30V
连续漏极电流:13.5A€100A
类型:N沟道
导通电阻:8mΩ@20A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":4213}
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD8444L-F085
工作温度:-55℃~175℃
功率:153W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:60nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5530pF@25V
连续漏极电流:16A€50A
类型:N沟道
导通电阻:5.2mΩ@50A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDBL9403L-F085
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.5W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:203nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:14100pF@20V
连续漏极电流:53.3A
类型:N沟道
导通电阻:0.72mΩ@80A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMTH8012LK3-13
工作温度:-55℃~175℃
功率:2.6W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:34nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1949pF@40V
连续漏极电流:50A
类型:N沟道
导通电阻:16mΩ@12A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):15N10
工作温度:-55℃~175℃
功率:55W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:19.2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:632pF@50V
连续漏极电流:15A
类型:N沟道
导通电阻:110mΩ@10A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRL3705ZSTRLPBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:130W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:60nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2880pF@25V
连续漏极电流:75A
类型:N沟道
导通电阻:8mΩ@52A,10V
漏源电压:55V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:FAIRCHILD
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"05+":55,"06+":1394,"07+":5579,"08+":632817,"11+":2190,"14+":5000,"16+":4400,"17+":900,"MI+":20000}
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS6294
工作温度:-55℃~175℃
功率:3W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:14nC@5V
输入电容:1205pF@15V
连续漏极电流:13A
类型:N沟道
导通电阻:11.3mΩ@13A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMTH4008LPSQ-13
工作温度:-55℃~175℃
功率:2.99W€55.5W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:15.3nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1088pF@20V
连续漏极电流:14.4A€64.8A
类型:N沟道
导通电阻:8.8mΩ@10A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:FAIRCHILD
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS6294
工作温度:-55℃~175℃
功率:3W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:14nC@5V
输入电容:1205pF@15V
连续漏极电流:13A
类型:N沟道
导通电阻:11.3mΩ@13A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMTH6004LPSQ-13
工作温度:-55℃~175℃
功率:2.6W€138W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:47.4nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4515pF@30V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:3.1mΩ@25A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMTH6002LPSWQ-13
工作温度:-55℃~175℃
功率:3W€167W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:131nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:8289pF@30V
连续漏极电流:205A
类型:N沟道
导通电阻:2mΩ@30A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRLR3105TRPBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:57W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:20nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:710pF@25V
连续漏极电流:25A
类型:N沟道
导通电阻:37mΩ@15A,10V
漏源电压:55V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMTH8012LK3-13
工作温度:-55℃~175℃
功率:2.6W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:34nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1949pF@40V
连续漏极电流:50A
类型:N沟道
导通电阻:16mΩ@12A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMTH4014LFVWQ-7
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.1W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:11.2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:750pF@20V
连续漏极电流:11.5A€49.8A
类型:N沟道
导通电阻:13.7mΩ@20A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMTH4008LFDFWQ-13
工作温度:-55℃~175℃
功率:990mW
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:14.2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1030pF@20V
连续漏极电流:11.6A
类型:N沟道
导通电阻:11.5mΩ@10A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):HUF76429S3ST
工作温度:-55℃~175℃
功率:110W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:46nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1480pF@25V
连续漏极电流:47A
类型:N沟道
导通电阻:22mΩ@47A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMTH6016LFDFWQ-7R
工作温度:-55℃~175℃
功率:1.06W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:15.3nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:925pF@30V
连续漏极电流:9.4A
类型:N沟道
导通电阻:18mΩ@10A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRL3705ZPBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:130W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:60nC@5V
包装方式:管件
输入电容:2880pF@25V
连续漏极电流:75A
类型:N沟道
导通电阻:8mΩ@52A,10V
漏源电压:55V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):AOD4132
工作温度:-55℃~175℃
功率:2.5W€100W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:76nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4400pF@15V
连续漏极电流:85A
类型:N沟道
导通电阻:4mΩ@20A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMTH6005LK3Q-13
工作温度:-55℃~175℃
功率:2.1W€100W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:47.1nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2962pF@30V
连续漏极电流:90A
类型:N沟道
导通电阻:5.6mΩ@50A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMC86570LET60
工作温度:-55℃~175℃
功率:2.8W€65W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:88nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4790pF@30V
连续漏极电流:18A€87A
类型:N沟道
导通电阻:4.3mΩ@18A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"18+":7500,"21+":1315}
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD9411L-F085
工作温度:-55℃~175℃
功率:48.4W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:27nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1210pF@20V
连续漏极电流:25A
类型:N沟道
导通电阻:7mΩ@20A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):15N10
工作温度:-55℃~175℃
功率:55W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:19.2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:632pF@50V
连续漏极电流:15A
类型:N沟道
导通电阻:110mΩ@10A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMC86570LET60
工作温度:-55℃~175℃
功率:2.8W€65W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:88nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4790pF@30V
连续漏极电流:18A€87A
类型:N沟道
导通电阻:4.3mΩ@18A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMNH6012LK3Q-13
工作温度:-55℃~175℃
功率:2W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:35.2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1926pF@30V
连续漏极电流:80A
类型:N沟道
导通电阻:12mΩ@25A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD8453LZ-F085
工作温度:-55℃~175℃
功率:118W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:64nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3515pF@20V
连续漏极电流:50A
类型:N沟道
导通电阻:6.7mΩ@15A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMTH6016LK3Q-13
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.2W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:17nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:864pF@30V
连续漏极电流:10.8A€46.9A
类型:N沟道
导通电阻:17mΩ@10A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRLR2905ZTRPBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:110W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:35nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1570pF@25V
连续漏极电流:42A
类型:N沟道
导通电阻:13.5mΩ@36A,10V
漏源电压:55V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMTH8012LK3Q-13
工作温度:-55℃~175℃
功率:2.6W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:46.8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2051pF@40V
连续漏极电流:50A
类型:N沟道
导通电阻:16mΩ@12A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存: