采购热线 400-661-9010
销售单位：个
规格型号(MPN)：15N10
工作温度：-55℃~175℃
功率：55W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：19.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：632pF@50V
连续漏极电流：15A
类型：N沟道
导通电阻：110mΩ@10A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：15N10
工作温度：-55℃~175℃
功率：55W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：19.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：632pF@50V
连续漏极电流：15A
类型：N沟道
导通电阻：110mΩ@10A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SUP85N10-10-E3
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.75W€250W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：160nC@10V
包装方式：管件
输入电容：6550pF@25V
连续漏极电流：85A
类型：N沟道
导通电阻：10.5mΩ@30A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SUD40N10-25-E3
工作温度：-55℃~175℃
功率：3W€136W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：60nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2400pF@25V
连续漏极电流：40A
类型：N沟道
导通电阻：25mΩ@40A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STL8N10LF3
工作温度：-55℃~175℃
功率：4.3W€70W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：20.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：970pF@25V
连续漏极电流：20A
类型：N沟道
导通电阻：35mΩ@4A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SUD40N10-25-E3
工作温度：-55℃~175℃
功率：3W€136W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：60nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2400pF@25V
连续漏极电流：40A
类型：N沟道
导通电阻：25mΩ@40A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMTH10H015LPS-13
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.3W€46W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：33.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1871pF@50V
连续漏极电流：7.3A€44A
类型：N沟道
导通电阻：16mΩ@20A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SUD40N10-25-E3
工作温度：-55℃~175℃
功率：3W€136W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：60nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2400pF@25V
连续漏极电流：40A
类型：N沟道
导通电阻：25mΩ@40A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MCC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MCU15N10A-TP
工作温度：-55℃~175℃
功率：34W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：16nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：800pF@50V
连续漏极电流：15A
类型：N沟道
导通电阻：110mΩ@8A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STL8N10LF3
工作温度：-55℃~175℃
功率：4.3W€70W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：20.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：970pF@25V
连续漏极电流：20A
类型：N沟道
导通电阻：35mΩ@4A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：STL8N10LF3
工作温度：-55℃~175℃
功率：4.3W€70W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：20.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：970pF@25V
连续漏极电流：20A
类型：N沟道
导通电阻：35mΩ@4A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMTH10H015LPS-13
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.3W€46W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：33.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1871pF@50V
连续漏极电流：7.3A€44A
类型：N沟道
导通电阻：16mΩ@20A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMTH10H015LPS-13
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.3W€46W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：33.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1871pF@50V
连续漏极电流：7.3A€44A
类型：N沟道
导通电阻：16mΩ@20A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：STL8N10LF3
工作温度：-55℃~175℃
功率：4.3W€70W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：20.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：970pF@25V
连续漏极电流：20A
类型：N沟道
导通电阻：35mΩ@4A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMTH10H015LPS-13
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.3W€46W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：33.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1871pF@50V
连续漏极电流：7.3A€44A
类型：N沟道
导通电阻：16mΩ@20A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：HUF76629D3ST
工作温度：-55℃~175℃
功率：110W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：46nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1285pF@25V
连续漏极电流：20A
类型：N沟道
导通电阻：52mΩ@20A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"17+"：1200}
销售单位：个
规格型号(MPN)：HUF76633P3-F085
工作温度：-55℃~175℃
功率：145W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：67nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1820pF@25V
连续漏极电流：39A
类型：N沟道
导通电阻：35mΩ@39A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SUD40N10-25-E3
工作温度：-55℃~175℃
功率：3W€136W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：60nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2400pF@25V
连续漏极电流：40A
类型：N沟道
导通电阻：25mΩ@40A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMTH10H025LK3-13
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.1W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：21nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1477pF@50V
连续漏极电流：51.7A
类型：N沟道
导通电阻：22mΩ@20A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MCC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MCU15N10A-TP
工作温度：-55℃~175℃
功率：34W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：16nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：800pF@50V
连续漏极电流：15A
类型：N沟道
导通电阻：110mΩ@8A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：HUF76629D3ST
工作温度：-55℃~175℃
功率：110W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：46nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1285pF@25V
连续漏极电流：20A
类型：N沟道
导通电阻：52mΩ@20A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STL8N10LF3
工作温度：-55℃~175℃
功率：4.3W€70W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：20.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：970pF@25V
连续漏极电流：20A
类型：N沟道
导通电阻：35mΩ@4A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STL8N10LF3
工作温度：-55℃~175℃
功率：4.3W€70W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：20.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：970pF@25V
连续漏极电流：20A
类型：N沟道
导通电阻：35mΩ@4A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SUP85N10-10-GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.75W€250W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：160nC@10V
包装方式：管件
输入电容：6550pF@25V
连续漏极电流：85A
类型：N沟道
导通电阻：10.5mΩ@30A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMTH10H025LK3Q-13
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.1W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：21nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1477pF@50V
连续漏极电流：51.7A
类型：N沟道
导通电阻：22mΩ@20A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMTH10H025LK3Q-13
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.1W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：21nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1477pF@50V
连续漏极电流：51.7A
类型：N沟道
导通电阻：22mΩ@20A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SUP85N10-10-GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.75W€250W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：160nC@10V
包装方式：管件
输入电容：6550pF@25V
连续漏极电流：85A
类型：N沟道
导通电阻：10.5mΩ@30A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MCC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MCU15N10A-TP
工作温度：-55℃~175℃
功率：34W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：16nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：800pF@50V
连续漏极电流：15A
类型：N沟道
导通电阻：110mΩ@8A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：HUF76629D3ST
工作温度：-55℃~175℃
功率：110W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：46nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1285pF@25V
连续漏极电流：20A
类型：N沟道
导通电阻：52mΩ@20A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：HUF76629D3ST
工作温度：-55℃~175℃
功率：110W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：46nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1285pF@25V
连续漏极电流：20A
类型：N沟道
导通电阻：52mΩ@20A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
