品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMC8360LET40
包装方式:卷带(TR)
栅极电荷:80nC@10V
连续漏极电流:27A€141A
漏源电压:40V
类型:N沟道
导通电阻:2.1mΩ@27A,10V
工作温度:-55℃~175℃
功率:2.8W€75W
输入电容:5300pF@20V
ECCN:EAR99
阈值电压:3V@250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
生产批次:{"22+":1277}
规格型号(MPN):FDB8832
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
连续漏极电流:34A€80A
栅极电荷:265nC@10V
类型:N沟道
工作温度:-55℃~175℃
导通电阻:1.9mΩ@80A,10V
功率:300W
输入电容:11400pF@15V
ECCN:EAR99
阈值电压:3V@250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
生产批次:{"22+":4213}
规格型号(MPN):FDD8444L-F085
输入电容:5530pF@25V
连续漏极电流:16A€50A
包装方式:卷带(TR)
功率:153W
漏源电压:40V
类型:N沟道
栅极电荷:60nC@5V
工作温度:-55℃~175℃
ECCN:EAR99
阈值电压:3V@250µA
导通电阻:5.2mΩ@50A,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":5000,"MI+":10000}
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD6612A
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
功率:2.8W€36W
连续漏极电流:9.5A€30A
类型:N沟道
栅极电荷:9.4nC@5V
工作温度:-55℃~175℃
导通电阻:20mΩ@9.5A,10V
ECCN:EAR99
输入电容:660pF@15V
阈值电压:3V@250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD9407L-F085
功率:227W
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:40V
栅极电荷:125nC@10V
类型:N沟道
工作温度:-55℃~175℃
导通电阻:2.4mΩ@80A,4.5V
连续漏极电流:100A
输入电容:6700pF@25V
阈值电压:3V@250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD6670A
功率:3.2W€63W
栅极电荷:22nC@5V
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
类型:N沟道
工作温度:-55℃~175℃
连续漏极电流:15A€66A
输入电容:1755pF@15V
导通电阻:8mΩ@15A,10V
阈值电压:3V@250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS6294
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
输入电容:1205pF@15V
类型:N沟道
栅极电荷:14nC@5V
工作温度:-55℃~175℃
连续漏极电流:13A
功率:3W
导通电阻:11.3mΩ@13A,10V
阈值电压:3V@250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMC8360LET40
包装方式:卷带(TR)
栅极电荷:80nC@10V
连续漏极电流:27A€141A
漏源电压:40V
类型:N沟道
导通电阻:2.1mΩ@27A,10V
工作温度:-55℃~175℃
功率:2.8W€75W
输入电容:5300pF@20V
ECCN:EAR99
阈值电压:3V@250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD6670A
功率:3.2W€63W
栅极电荷:22nC@5V
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
类型:N沟道
工作温度:-55℃~175℃
连续漏极电流:15A€66A
输入电容:1755pF@15V
导通电阻:8mΩ@15A,10V
阈值电压:3V@250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":302396,"MI+":24922}
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD9409L-F085
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:40V
类型:N沟道
连续漏极电流:90A
栅极电荷:68nC@10V
工作温度:-55℃~175℃
功率:150W
导通电阻:2.6mΩ@80A,10V
ECCN:EAR99
阈值电压:3V@250µA
输入电容:3360pF@20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):HUF76629D3ST
连续漏极电流:20A
功率:110W
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1285pF@25V
类型:N沟道
工作温度:-55℃~175℃
导通电阻:52mΩ@20A,10V
栅极电荷:46nC@10V
ECCN:EAR99
阈值电压:3V@250µA
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
生产批次:{"23+":2960}
规格型号(MPN):FDMS8350LET40
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:49A€300A
漏源电压:40V
类型:N沟道
工作温度:-55℃~175℃
输入电容:16590pF@20V
功率:3.33W€125W
栅极电荷:219nC@10V
导通电阻:0.85mΩ@47A,10V
ECCN:EAR99
阈值电压:3V@250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDP8440
输入电容:24740pF@25V
漏源电压:40V
类型:N沟道
栅极电荷:450nC@10V
工作温度:-55℃~175℃
功率:306W
包装方式:管件
连续漏极电流:100A
导通电阻:2.2mΩ@80A,10V
阈值电压:3V@250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS6294
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
输入电容:1205pF@15V
类型:N沟道
栅极电荷:14nC@5V
工作温度:-55℃~175℃
连续漏极电流:13A
功率:3W
导通电阻:11.3mΩ@13A,10V
阈值电压:3V@250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD6670A
功率:3.2W€63W
栅极电荷:22nC@5V
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
类型:N沟道
工作温度:-55℃~175℃
连续漏极电流:15A€66A
输入电容:1755pF@15V
导通电阻:8mΩ@15A,10V
阈值电压:3V@250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD6670A
功率:3.2W€63W
栅极电荷:22nC@5V
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
类型:N沟道
工作温度:-55℃~175℃
连续漏极电流:15A€66A
输入电容:1755pF@15V
导通电阻:8mΩ@15A,10V
ECCN:EAR99
阈值电压:3V@250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":4213}
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD8444L-F085
工作温度:-55℃~175℃
功率:153W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:60nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5530pF@25V
连续漏极电流:16A€50A
类型:N沟道
导通电阻:5.2mΩ@50A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDBL9403L-F085
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.5W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:203nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:14100pF@20V
连续漏极电流:53.3A
类型:N沟道
导通电阻:0.72mΩ@80A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):HUF76429S3ST
工作温度:-55℃~175℃
功率:110W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:46nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1480pF@25V
连续漏极电流:47A
类型:N沟道
导通电阻:22mΩ@47A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMC86570LET60
工作温度:-55℃~175℃
功率:2.8W€65W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:88nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4790pF@30V
连续漏极电流:18A€87A
类型:N沟道
导通电阻:4.3mΩ@18A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"18+":7500,"21+":1315}
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD9411L-F085
工作温度:-55℃~175℃
功率:48.4W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:27nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1210pF@20V
连续漏极电流:25A
类型:N沟道
导通电阻:7mΩ@20A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMC86570LET60
工作温度:-55℃~175℃
功率:2.8W€65W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:88nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4790pF@30V
连续漏极电流:18A€87A
类型:N沟道
导通电阻:4.3mΩ@18A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD8453LZ-F085
工作温度:-55℃~175℃
功率:118W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:64nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3515pF@20V
连续漏极电流:50A
类型:N沟道
导通电阻:6.7mΩ@15A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"06+":379064,"07+":16200,"08+":2662,"09+":4200}
包装规格(MPQ):75psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NTD78N03-35G
工作温度:-55℃~175℃
功率:1.4W€64W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:35nC@4.5V
包装方式:管件
输入电容:2250pF@12V
连续漏极电流:11.4A€78A
类型:N沟道
导通电阻:6mΩ@78A,10V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):HUF76407D3ST
工作温度:-55℃~175℃
功率:38W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:11.3nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:350pF@25V
连续漏极电流:12A
类型:N沟道
导通电阻:92mΩ@13A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":1277}
销售单位:个
规格型号(MPN):FDB8832
工作温度:-55℃~175℃
功率:300W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:265nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:11400pF@15V
连续漏极电流:34A€80A
类型:N沟道
导通电阻:1.9mΩ@80A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"23+":2960}
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS8350LET40
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.33W€125W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:219nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:16590pF@20V
连续漏极电流:49A€300A
类型:N沟道
导通电阻:0.85mΩ@47A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"21+":520,"22+":3759,"23+":3000,"MI+":3255}
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMC8360LET40
工作温度:-55℃~175℃
功率:2.8W€75W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:80nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5300pF@20V
连续漏极电流:27A€141A
类型:N沟道
导通电阻:2.1mΩ@27A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"23+":2960}
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS8350LET40
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.33W€125W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:219nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:16590pF@20V
连续漏极电流:49A€300A
类型:N沟道
导通电阻:0.85mΩ@47A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):HUF76439S3ST
工作温度:-55℃~175℃
功率:180W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:84nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2745pF@25V
连续漏极电流:75A
类型:N沟道
导通电阻:12mΩ@75A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存: