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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJA00EP-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：48W
阈值电压：3.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：35nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1700pF@25V
连续漏极电流：30A
类型：N沟道
导通电阻：13mΩ@10A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJ868EP-T1_BE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：48W
阈值电压：3.5V@250µA
栅极电荷：55nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2450pF@20V
连续漏极电流：58A
类型：N沟道
导通电阻：7.35mΩ@14A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SQJ868EP-T1_BE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：48W
阈值电压：3.5V@250µA
栅极电荷：55nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2450pF@20V
连续漏极电流：58A
类型：N沟道
导通电阻：7.35mΩ@14A，10V
漏源电压：40V
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功率：48W
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栅极电荷：55nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2450pF@20V
连续漏极电流：58A
类型：N沟道
导通电阻：7.35mΩ@14A，10V
漏源电压：40V
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分类：Mosfet场效应管
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规格型号(MPN)：SQJ868EP-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：48W
阈值电压：3.5V@250µA
栅极电荷：55nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2450pF@20V
连续漏极电流：58A
类型：N沟道
导通电阻：7.35mΩ@14A，10V
漏源电压：40V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SQJA00EP-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：48W
阈值电压：3.5V@250µA
栅极电荷：35nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1700pF@25V
连续漏极电流：30A
类型：N沟道
导通电阻：13mΩ@10A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJA96EP-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：48W
阈值电压：3.5V@250µA
栅极电荷：25nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1200pF@25V
连续漏极电流：30A
类型：N沟道
导通电阻：21.5mΩ@10A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJA00EP-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：48W
阈值电压：3.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：35nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1700pF@25V
连续漏极电流：30A
类型：N沟道
导通电阻：13mΩ@10A，10V
漏源电压：60V
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SQJA00EP-T1_GE3
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功率：48W
阈值电压：3.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：35nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1700pF@25V
连续漏极电流：30A
类型：N沟道
导通电阻：13mΩ@10A，10V
漏源电压：60V
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SQJ868EP-T1_GE3
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功率：48W
阈值电压：3.5V@250µA
栅极电荷：55nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2450pF@20V
连续漏极电流：58A
类型：N沟道
导通电阻：7.35mΩ@14A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SQJA96EP-T1_GE3
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功率：48W
阈值电压：3.5V@250µA
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输入电容：1200pF@25V
连续漏极电流：30A
类型：N沟道
导通电阻：21.5mΩ@10A，10V
漏源电压：80V
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输入电容：2450pF@20V
连续漏极电流：58A
类型：N沟道
导通电阻：7.35mΩ@14A，10V
漏源电压：40V
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导通电阻：7.35mΩ@14A，10V
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功率：48W
阈值电压：3.5V@250µA
栅极电荷：25nC@10V
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输入电容：1200pF@25V
连续漏极电流：30A
类型：N沟道
导通电阻：21.5mΩ@10A，10V
漏源电压：80V
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阈值电压：3.5V@250µA
栅极电荷：55nC@10V
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输入电容：2450pF@20V
连续漏极电流：58A
类型：N沟道
导通电阻：7.35mΩ@14A，10V
漏源电压：40V
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连续漏极电流：58A
类型：N沟道
导通电阻：7.35mΩ@14A，10V
漏源电压：40V
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功率：48W
阈值电压：3.5V@250µA
栅极电荷：25nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1200pF@25V
连续漏极电流：30A
类型：N沟道
导通电阻：21.5mΩ@10A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJ868EP-T1_BE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：48W
阈值电压：3.5V@250µA
栅极电荷：55nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2450pF@20V
连续漏极电流：58A
类型：N沟道
导通电阻：7.35mΩ@14A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJA00EP-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：48W
阈值电压：3.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：35nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1700pF@25V
连续漏极电流：30A
类型：N沟道
导通电阻：13mΩ@10A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SQJA96EP-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：48W
阈值电压：3.5V@250µA
栅极电荷：25nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1200pF@25V
连续漏极电流：30A
类型：N沟道
导通电阻：21.5mΩ@10A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJ868EP-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：48W
阈值电压：3.5V@250µA
栅极电荷：55nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2450pF@20V
连续漏极电流：58A
类型：N沟道
导通电阻：7.35mΩ@14A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SQJA00EP-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：48W
阈值电压：3.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：35nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1700pF@25V
连续漏极电流：30A
类型：N沟道
导通电阻：13mΩ@10A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJA00EP-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：48W
阈值电压：3.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：35nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1700pF@25V
连续漏极电流：30A
类型：N沟道
导通电阻：13mΩ@10A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJA00EP-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：48W
阈值电压：3.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：35nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1700pF@25V
连续漏极电流：30A
类型：N沟道
导通电阻：13mΩ@10A，10V
漏源电压：60V
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功率：48W
阈值电压：3.5V@250µA
栅极电荷：25nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1200pF@25V
连续漏极电流：30A
类型：N沟道
导通电阻：21.5mΩ@10A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
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销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJA00EP-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：48W
阈值电压：3.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：35nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1700pF@25V
连续漏极电流：30A
类型：N沟道
导通电阻：13mΩ@10A，10V
漏源电压：60V
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销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJ868EP-T1_BE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：48W
阈值电压：3.5V@250µA
栅极电荷：55nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2450pF@20V
连续漏极电流：58A
类型：N沟道
导通电阻：7.35mΩ@14A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJA00EP-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：48W
阈值电压：3.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：35nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1700pF@25V
连续漏极电流：30A
类型：N沟道
导通电阻：13mΩ@10A，10V
漏源电压：60V
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品牌：VISHAY
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行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJA00EP-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
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包装方式：卷带（TR）
输入电容：1700pF@25V
连续漏极电流：30A
类型：N沟道
导通电阻：13mΩ@10A，10V
漏源电压：60V
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SQJA96EP-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
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阈值电压：3.5V@250µA
栅极电荷：25nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1200pF@25V
连续漏极电流：30A
类型：N沟道
导通电阻：21.5mΩ@10A，10V
漏源电压：80V
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