采购热线 400-661-9010
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"93+"：455}
销售单位：个
规格型号(MPN)：AUIRLS8409-7TRL
工作温度：-55℃~175℃
功率：375W
阈值电压：2.4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：266nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：16488pF@25V
连续漏极电流：240A
类型：N沟道
导通电阻：0.75mΩ@100A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRL40SC209
工作温度：-55℃~175℃
功率：375W
阈值电压：2.4V@250µA
栅极电荷：267nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：15270pF@25V
连续漏极电流：478A
类型：N沟道
导通电阻：0.8mΩ@100A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRL40SC228
工作温度：-55℃~175℃
功率：416W
阈值电压：2.4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：307nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：19680pF@25V
连续漏极电流：557A
类型：N沟道
导通电阻：0.65mΩ@100A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJA38EP-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：68W
阈值电压：2.4V@250µA
栅极电荷：75nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3900pF@25V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：3.9mΩ@10A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMFS5832NLWFT3G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.7W€127W
阈值电压：2.4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：51nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2700pF@25V
连续漏极电流：21A
类型：N沟道
导通电阻：4.2mΩ@20A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRL40SC228
工作温度：-55℃~175℃
功率：416W
阈值电压：2.4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：307nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：19680pF@25V
连续漏极电流：557A
类型：N沟道
导通电阻：0.65mΩ@100A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD18511KCS
工作温度：-55℃~175℃
功率：188W
阈值电压：2.4V@250µA
栅极电荷：64nC@10V
包装方式：管件
输入电容：5940pF@20V
连续漏极电流：194A
类型：N沟道
导通电阻：2.6mΩ@100A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD18511KTTT
工作温度：-55℃~175℃
功率：188W
阈值电压：2.4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：64nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5940pF@20V
连续漏极电流：110A€194A
类型：N沟道
导通电阻：2.6mΩ@100A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD18511KCS
工作温度：-55℃~175℃
功率：188W
阈值电压：2.4V@250µA
栅极电荷：64nC@10V
包装方式：管件
输入电容：5940pF@20V
连续漏极电流：194A
类型：N沟道
导通电阻：2.6mΩ@100A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRL40SC228
工作温度：-55℃~175℃
功率：416W
阈值电压：2.4V@250µA
栅极电荷：307nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：19680pF@25V
连续漏极电流：557A
类型：N沟道
导通电阻：0.65mΩ@100A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOD558
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.5W€50W
阈值电压：2.4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：18nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1187pF@15V
连续漏极电流：17A€50A
类型：N沟道
导通电阻：5.4mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD18535KCS
工作温度：-55℃~175℃
功率：300W
阈值电压：2.4V@250µA
栅极电荷：81nC@10V
包装方式：管件
输入电容：6620pF@30V
连续漏极电流：200A
类型：N沟道
导通电阻：2mΩ@100A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：500psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD18511KTT
工作温度：-55℃~175℃
功率：188W
阈值电压：2.4V@250µA
栅极电荷：64nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5940pF@20V
连续漏极电流：194A
类型：N沟道
导通电阻：2.6mΩ@100A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：500psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD18511KTT
工作温度：-55℃~175℃
功率：188W
阈值电压：2.4V@250µA
栅极电荷：64nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5940pF@20V
连续漏极电流：194A
类型：N沟道
导通电阻：2.6mΩ@100A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD18511KCS
工作温度：-55℃~175℃
功率：188W
阈值电压：2.4V@250µA
栅极电荷：64nC@10V
包装方式：管件
输入电容：5940pF@20V
连续漏极电流：194A
类型：N沟道
导通电阻：2.6mΩ@100A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD18535KTTT
工作温度：-55℃~175℃
功率：300W
阈值电压：2.4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：81nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6620pF@30V
连续漏极电流：200A€279A
类型：N沟道
导通电阻：2mΩ@100A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOD558
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.5W€50W
阈值电压：2.4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：18nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1187pF@15V
连续漏极电流：17A€50A
类型：N沟道
导通电阻：5.4mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOD558
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.5W€50W
阈值电压：2.4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：18nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1187pF@15V
连续漏极电流：17A€50A
类型：N沟道
导通电阻：5.4mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD18535KCS
工作温度：-55℃~175℃
功率：300W
阈值电压：2.4V@250µA
栅极电荷：81nC@10V
包装方式：管件
输入电容：6620pF@30V
连续漏极电流：200A
类型：N沟道
导通电阻：2mΩ@100A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD18511KTTT
工作温度：-55℃~175℃
功率：188W
阈值电压：2.4V@250µA
栅极电荷：64nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5940pF@20V
连续漏极电流：110A€194A
类型：N沟道
导通电阻：2.6mΩ@100A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJA38EP-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：68W
阈值电压：2.4V@250µA
栅极电荷：75nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3900pF@25V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：3.9mΩ@10A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：500psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD18535KTT
工作温度：-55℃~175℃
功率：300W
阈值电压：2.4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：81nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6620pF@30V
连续漏极电流：200A
类型：N沟道
导通电阻：2mΩ@100A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"23+"：1390}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRL60B216
工作温度：-55℃~175℃
功率：375W
阈值电压：2.4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：258nC@4.5V
包装方式：管件
输入电容：15570pF@25V
连续漏极电流：195A
类型：N沟道
导通电阻：1.9mΩ@100A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SUD50N03-06AP-E3
工作温度：-55℃~175℃
功率：10W€83W
阈值电压：2.4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：95nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3800pF@15V
连续漏极电流：90A
类型：N沟道
导通电阻：5.7mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"16+"：764，"18+"：1000，"20+"：892}
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRL60SL216
工作温度：-55℃~175℃
功率：375W
阈值电压：2.4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：255nC@4.5V
包装方式：管件
输入电容：15330pF@25V
连续漏极电流：195A
类型：N沟道
导通电阻：1.95mΩ@100A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：4836}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRL40T209ATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：500W
阈值电压：2.4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：269nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：16000pF@20V
连续漏极电流：300A
类型：N沟道
导通电阻：0.72mΩ@100A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJA38EP-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：68W
阈值电压：2.4V@250µA
栅极电荷：75nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3900pF@25V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：3.9mΩ@10A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：500psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD18511KTT
工作温度：-55℃~175℃
功率：188W
阈值电压：2.4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：64nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5940pF@20V
连续漏极电流：194A
类型：N沟道
导通电阻：2.6mΩ@100A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD18535KTTT
工作温度：-55℃~175℃
功率：300W
阈值电压：2.4V@250µA
栅极电荷：81nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6620pF@30V
连续漏极电流：200A€279A
类型：N沟道
导通电阻：2mΩ@100A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD18535KTTT
工作温度：-55℃~175℃
功率：300W
阈值电压：2.4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：81nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6620pF@30V
连续漏极电流：200A€279A
类型：N沟道
导通电阻：2mΩ@100A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
