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品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJQ4448P-AU_R2_000A1
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.4W€42W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：10nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1040pF@20V
连续漏极电流：10A€42A
类型：N沟道
导通电阻：11mΩ@8A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJQ4448P-AU_R2_000A1
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.4W€42W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：10nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1040pF@20V
连续漏极电流：10A€42A
类型：N沟道
导通电阻：11mΩ@8A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM110NB04LCR RLG
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.1W€68W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：23nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1269pF@20V
连续漏极电流：12A€54A
类型：N沟道
导通电阻：11mΩ@12A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM110NB04LCR RLG
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.1W€68W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：23nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1269pF@20V
连续漏极电流：12A€54A
类型：N沟道
导通电阻：11mΩ@12A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM150NB04LCR RLG
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.1W€56W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：18nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：966pF@20V
连续漏极电流：10A€41A
类型：N沟道
导通电阻：15mΩ@10A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJQ4448P-AU_R2_000A1
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.4W€42W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：10nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1040pF@20V
连续漏极电流：10A€42A
类型：N沟道
导通电阻：11mΩ@8A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM110NB04LCR RLG
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.1W€68W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：23nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1269pF@20V
连续漏极电流：12A€54A
类型：N沟道
导通电阻：11mΩ@12A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM070NB04LCR RLG
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.1W€83W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：39nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2151pF@20V
连续漏极电流：15A€75A
类型：N沟道
导通电阻：7mΩ@15A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJQ4448P-AU_R2_000A1
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.4W€42W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：10nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1040pF@20V
连续漏极电流：10A€42A
类型：N沟道
导通电阻：11mΩ@8A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJQ4448P-AU_R2_000A1
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.4W€42W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：10nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1040pF@20V
连续漏极电流：10A€42A
类型：N沟道
导通电阻：11mΩ@8A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJQ4448P-AU_R2_000A1
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.4W€42W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：10nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1040pF@20V
连续漏极电流：10A€42A
类型：N沟道
导通电阻：11mΩ@8A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM070NB04LCR RLG
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.1W€83W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：39nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2151pF@20V
连续漏极电流：15A€75A
类型：N沟道
导通电阻：7mΩ@15A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM110NB04LCR RLG
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.1W€68W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：23nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1269pF@20V
连续漏极电流：12A€54A
类型：N沟道
导通电阻：11mΩ@12A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJQ4448P-AU_R2_000A1
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.4W€42W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：10nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1040pF@20V
连续漏极电流：10A€42A
类型：N沟道
导通电阻：11mΩ@8A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM110NB04LCR RLG
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.1W€68W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：23nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1269pF@20V
连续漏极电流：12A€54A
类型：N沟道
导通电阻：11mΩ@12A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM110NB04LCR RLG
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.1W€68W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：23nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1269pF@20V
连续漏极电流：12A€54A
类型：N沟道
导通电阻：11mΩ@12A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJQ4448P-AU_R2_000A1
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.4W€42W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：10nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1040pF@20V
连续漏极电流：10A€42A
类型：N沟道
导通电阻：11mΩ@8A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM150NB04LCR RLG
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.1W€56W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：18nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：966pF@20V
连续漏极电流：10A€41A
类型：N沟道
导通电阻：15mΩ@10A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJQ4446P-AU_R2_000A1
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.4W€50W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：22nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1258pF@25V
连续漏极电流：10.5A€48A
类型：N沟道
导通电阻：9mΩ@8A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJQ4446P-AU_R2_000A1
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.4W€50W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：22nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1258pF@25V
连续漏极电流：10.5A€48A
类型：N沟道
导通电阻：9mΩ@8A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJQ4448P-AU_R2_000A1
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.4W€42W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：10nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1040pF@20V
连续漏极电流：10A€42A
类型：N沟道
导通电阻：11mΩ@8A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM110NB04LCR RLG
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.1W€68W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：23nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1269pF@20V
连续漏极电流：12A€54A
类型：N沟道
导通电阻：11mΩ@12A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJQ4446P-AU_R2_000A1
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.4W€50W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：22nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1258pF@25V
连续漏极电流：10.5A€48A
类型：N沟道
导通电阻：9mΩ@8A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJQ4444P-AU_R2_000A1
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.4W€60W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：25nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1258pF@25V
连续漏极电流：14A€70A
类型：N沟道
导通电阻：5.5mΩ@20A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJQ4446P-AU_R2_000A1
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.4W€50W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：22nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1258pF@25V
连续漏极电流：10.5A€48A
类型：N沟道
导通电阻：9mΩ@8A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJQ4444P-AU_R2_000A1
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.4W€60W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：25nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1258pF@25V
连续漏极电流：14A€70A
类型：N沟道
导通电阻：5.5mΩ@20A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM110NB04LCR RLG
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.1W€68W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：23nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1269pF@20V
连续漏极电流：12A€54A
类型：N沟道
导通电阻：11mΩ@12A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM150NB04LCR RLG
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.1W€56W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：18nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：966pF@20V
连续漏极电流：10A€41A
类型：N沟道
导通电阻：15mΩ@10A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM110NB04LCR RLG
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.1W€68W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：23nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1269pF@20V
连续漏极电流：12A€54A
类型：N沟道
导通电阻：11mΩ@12A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM110NB04LCR RLG
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.1W€68W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：23nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1269pF@20V
连续漏极电流：12A€54A
类型：N沟道
导通电阻：11mΩ@12A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
