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品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMN120ENEAX
工作温度：-55℃~175℃
功率：670mW€7.5W
阈值电压：2.7V@250µA
栅极电荷：6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：196pF@30V
连续漏极电流：2.5A
类型：N沟道
导通电阻：123mΩ@2.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVTFS5C680NLWFTAG
工作温度：-55℃~175℃
功率：3W€20W
阈值电压：2.2V@250µA
栅极电荷：6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：327pF@25V
连续漏极电流：7.82A€20A
类型：N沟道
导通电阻：26.5mΩ@10A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUK6D125-60EX
工作温度：-55℃~175℃
功率：2W€15W
阈值电压：2.7V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：196pF@30V
连续漏极电流：2.7A€7.4A
类型：N沟道
导通电阻：125mΩ@2.7A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMV88ENEAR
工作温度：-55℃~175℃
功率：615mW€7.5W
阈值电压：2.7V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：196pF@30V
连续漏极电流：2.2A
类型：N沟道
导通电阻：117mΩ@2.2A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMV88ENER
工作温度：-55℃~175℃
功率：615mW€7.5W
阈值电压：2.7V@250µA
栅极电荷：6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：196pF@30V
连续漏极电流：2.2A
类型：N沟道
导通电阻：117mΩ@2.2A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVTFS6H888NLTAG
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.9W€23W
阈值电压：2V@15µA
栅极电荷：6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：258pF@40V
类型：N沟道
导通电阻：50mΩ@5A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUK6D125-60EX
工作温度：-55℃~175℃
功率：2W€15W
阈值电压：2.7V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：196pF@30V
连续漏极电流：2.7A€7.4A
类型：N沟道
导通电阻：125mΩ@2.7A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMV88ENEAR
工作温度：-55℃~175℃
功率：615mW€7.5W
阈值电压：2.7V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：196pF@30V
连续漏极电流：2.2A
类型：N沟道
导通电阻：117mΩ@2.2A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVTFS5C680NLTAG
工作温度：-55℃~175℃
功率：3W€20W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：327pF@25V
连续漏极电流：7.82A€20A
类型：N沟道
导通电阻：26.5mΩ@10A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVTFS6H888NLTAG
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.9W€23W
阈值电压：2V@15µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：258pF@40V
类型：N沟道
导通电阻：50mΩ@5A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMV88ENER
工作温度：-55℃~175℃
功率：615mW€7.5W
阈值电压：2.7V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：196pF@30V
连续漏极电流：2.2A
类型：N沟道
导通电阻：117mΩ@2.2A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMV88ENER
工作温度：-55℃~175℃
功率：615mW€7.5W
阈值电压：2.7V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：196pF@30V
连续漏极电流：2.2A
类型：N沟道
导通电阻：117mΩ@2.2A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMV88ENER
工作温度：-55℃~175℃
功率：615mW€7.5W
阈值电压：2.7V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：196pF@30V
连续漏极电流：2.2A
类型：N沟道
导通电阻：117mΩ@2.2A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVTFS6H888NLTAG
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.9W€23W
阈值电压：2V@15µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：258pF@40V
类型：N沟道
导通电阻：50mΩ@5A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVTFS5C680NLTAG
工作温度：-55℃~175℃
功率：3W€20W
阈值电压：2.2V@250µA
栅极电荷：6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：327pF@25V
连续漏极电流：7.82A€20A
类型：N沟道
导通电阻：26.5mΩ@10A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUK6D125-60EX
工作温度：-55℃~175℃
功率：2W€15W
阈值电压：2.7V@250µA
栅极电荷：6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：196pF@30V
连续漏极电流：2.7A€7.4A
类型：N沟道
导通电阻：125mΩ@2.7A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMV88ENEAR
工作温度：-55℃~175℃
功率：615mW€7.5W
阈值电压：2.7V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：196pF@30V
连续漏极电流：2.2A
类型：N沟道
导通电阻：117mΩ@2.2A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMV88ENER
工作温度：-55℃~175℃
功率：615mW€7.5W
阈值电压：2.7V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：196pF@30V
连续漏极电流：2.2A
类型：N沟道
导通电阻：117mΩ@2.2A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUK6D125-60EX
工作温度：-55℃~175℃
功率：2W€15W
阈值电压：2.7V@250µA
栅极电荷：6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：196pF@30V
连续漏极电流：2.7A€7.4A
类型：N沟道
导通电阻：125mΩ@2.7A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUK6D125-60EX
工作温度：-55℃~175℃
功率：2W€15W
阈值电压：2.7V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：196pF@30V
连续漏极电流：2.7A€7.4A
类型：N沟道
导通电阻：125mΩ@2.7A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMV88ENER
工作温度：-55℃~175℃
功率：615mW€7.5W
阈值电压：2.7V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：196pF@30V
连续漏极电流：2.2A
类型：N沟道
导通电阻：117mΩ@2.2A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVTFS5C680NLTAG
工作温度：-55℃~175℃
功率：3W€20W
阈值电压：2.2V@250µA
栅极电荷：6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：327pF@25V
连续漏极电流：7.82A€20A
类型：N沟道
导通电阻：26.5mΩ@10A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVTFS6H888NLTAG
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.9W€23W
阈值电压：2V@15µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：258pF@40V
类型：N沟道
导通电阻：50mΩ@5A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMN120ENEAX
工作温度：-55℃~175℃
功率：670mW€7.5W
阈值电压：2.7V@250µA
栅极电荷：6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：196pF@30V
连续漏极电流：2.5A
类型：N沟道
导通电阻：123mΩ@2.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVTFS5C680NLTAG
工作温度：-55℃~175℃
功率：3W€20W
阈值电压：2.2V@250µA
栅极电荷：6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：327pF@25V
连续漏极电流：7.82A€20A
类型：N沟道
导通电阻：26.5mΩ@10A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMN120ENEAX
工作温度：-55℃~175℃
功率：670mW€7.5W
阈值电压：2.7V@250µA
栅极电荷：6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：196pF@30V
连续漏极电流：2.5A
类型：N沟道
导通电阻：123mΩ@2.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMV88ENEAR
工作温度：-55℃~175℃
功率：615mW€7.5W
阈值电压：2.7V@250µA
栅极电荷：6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：196pF@30V
连续漏极电流：2.2A
类型：N沟道
导通电阻：117mΩ@2.2A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMV88ENER
工作温度：-55℃~175℃
功率：615mW€7.5W
阈值电压：2.7V@250µA
栅极电荷：6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：196pF@30V
连续漏极电流：2.2A
类型：N沟道
导通电阻：117mΩ@2.2A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUK6D125-60EX
工作温度：-55℃~175℃
功率：2W€15W
阈值电压：2.7V@250µA
栅极电荷：6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：196pF@30V
连续漏极电流：2.7A€7.4A
类型：N沟道
导通电阻：125mΩ@2.7A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUK6D125-60EX
工作温度：-55℃~175℃
功率：2W€15W
阈值电压：2.7V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：196pF@30V
连续漏极电流：2.7A€7.4A
类型：N沟道
导通电阻：125mΩ@2.7A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
