采购热线 400-661-9010
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOD210
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.7W€150W
阈值电压：2.2V@250µA
栅极电荷：58nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4300pF@15V
连续漏极电流：23A€70A
类型：N沟道
导通电阻：3mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN1R8-30MLHX
工作温度：-55℃~175℃
功率：106W
阈值电压：2.2V@1mA
栅极电荷：58nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3125pF@15V
连续漏极电流：150A
类型：N沟道
导通电阻：2.1mΩ@25A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：PSMN1R8-30MLHX
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功率：106W
阈值电压：2.2V@1mA
栅极电荷：58nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3125pF@15V
连续漏极电流：150A
类型：N沟道
导通电阻：2.1mΩ@25A，10V
漏源电压：30V
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阈值电压：2.2V@1mA
栅极电荷：58nC@10V
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连续漏极电流：150A
类型：N沟道
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漏源电压：30V
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功率：106W
阈值电压：2.2V@1mA
栅极电荷：58nC@10V
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类型：N沟道
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类型：N沟道
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漏源电压：30V
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功率：2.7W€150W
阈值电压：2.2V@250µA
栅极电荷：58nC@10V
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输入电容：4300pF@15V
连续漏极电流：23A€70A
类型：N沟道
导通电阻：3mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
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连续漏极电流：150A
类型：N沟道
导通电阻：2.1mΩ@25A，10V
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