采购热线 400-661-9010
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMFS4C01NWFT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.84W€161W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：139nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：10144pF@15V
连续漏极电流：49A€319A
类型：N沟道
导通电阻：0.9mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN3R5-80PS，127
工作温度：-55℃~175℃
功率：338W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：139nC@10V
包装方式：管件
输入电容：9961pF@40V
连续漏极电流：120A
类型：N沟道
导通电阻：3.5mΩ@25A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMFS4C01NWFT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.84W€161W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：139nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：10144pF@15V
连续漏极电流：49A€319A
类型：N沟道
导通电阻：0.9mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：2000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN3R3-80PS，127
工作温度：-55℃~175℃
功率：338W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：139nC@10V
包装方式：管件
输入电容：9961pF@40V
连续漏极电流：120A
类型：N沟道
导通电阻：3.3mΩ@25A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"17+"：68706，"18+"：608，"21+"：59039，"22+"：4000，"MI+"：12000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN3R5-80PS，127
工作温度：-55℃~175℃
功率：338W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：139nC@10V
包装方式：管件
输入电容：9961pF@40V
连续漏极电流：120A
类型：N沟道
导通电阻：3.5mΩ@25A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMFS4C01NWFT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.84W€161W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：139nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：10144pF@15V
连续漏极电流：49A€319A
类型：N沟道
导通电阻：0.9mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN2R8-80BS，118
工作温度：-55℃~175℃
功率：306W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：139nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：9961pF@40V
连续漏极电流：120A
类型：N沟道
导通电阻：3mΩ@25A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"12+"：450}
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN3R3-80ES，127
工作温度：-55℃~175℃
功率：338W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：139nC@10V
包装方式：管件
输入电容：9961pF@40V
连续漏极电流：120A
类型：N沟道
导通电阻：3.3mΩ@25A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMFS4C01NT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.84W€161W
阈值电压：2.2V@250µA
栅极电荷：139nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：10144pF@15V
连续漏极电流：49A€319A
类型：N沟道
导通电阻：0.9mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPB027N10N5ATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：250W
阈值电压：3.8V@184µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：139nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：10300pF@50V
连续漏极电流：120A
类型：N沟道
导通电阻：2.7mΩ@100A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"17+"：68706，"18+"：608，"21+"：59039，"22+"：4000，"MI+"：12000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN3R5-80PS，127
工作温度：-55℃~175℃
功率：338W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：139nC@10V
包装方式：管件
输入电容：9961pF@40V
连续漏极电流：120A
类型：N沟道
导通电阻：3.5mΩ@25A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPB027N10N5ATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：250W
阈值电压：3.8V@184µA
栅极电荷：139nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：10300pF@50V
连续漏极电流：120A
类型：N沟道
导通电阻：2.7mΩ@100A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMFS4C01NT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.84W€161W
阈值电压：2.2V@250µA
栅极电荷：139nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：10144pF@15V
连续漏极电流：49A€319A
类型：N沟道
导通电阻：0.9mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"12+"：450}
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN3R3-80ES，127
工作温度：-55℃~175℃
功率：338W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：139nC@10V
包装方式：管件
输入电容：9961pF@40V
连续漏极电流：120A
类型：N沟道
导通电阻：3.3mΩ@25A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"12+"：487}
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN3R5-80ES，127
工作温度：-55℃~175℃
功率：338W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：139nC@10V
包装方式：管件
输入电容：9800pF@30V
连续漏极电流：120A
类型：N沟道
导通电阻：3.5mΩ@25A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPP030N10N5AKSA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：250W
阈值电压：3.8V@184µA
栅极电荷：139nC@10V
包装方式：管件
输入电容：10300pF@50V
连续漏极电流：120A
类型：N沟道
导通电阻：3mΩ@100A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMFS4C01NT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.84W€161W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：139nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：10144pF@15V
连续漏极电流：49A€319A
类型：N沟道
导通电阻：0.9mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN2R8-80BS，118
工作温度：-55℃~175℃
功率：306W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：139nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：9961pF@40V
连续漏极电流：120A
类型：N沟道
导通电阻：3mΩ@25A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMFS4C01NWFT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.84W€161W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：139nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：10144pF@15V
连续漏极电流：49A€319A
类型：N沟道
导通电阻：0.9mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMFS4C01NT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.84W€161W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：139nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：10144pF@15V
连续漏极电流：49A€319A
类型：N沟道
导通电阻：0.9mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPB027N10N5ATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：250W
阈值电压：3.8V@184µA
栅极电荷：139nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：10300pF@50V
连续漏极电流：120A
类型：N沟道
导通电阻：2.7mΩ@100A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMFS4C01NT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.84W€161W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：139nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：10144pF@15V
连续漏极电流：49A€319A
类型：N沟道
导通电阻：0.9mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMFS4C01NWFT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.84W€161W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：139nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：10144pF@15V
连续漏极电流：49A€319A
类型：N沟道
导通电阻：0.9mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN2R8-80BS，118
工作温度：-55℃~175℃
功率：306W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：139nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：9961pF@40V
连续漏极电流：120A
类型：N沟道
导通电阻：3mΩ@25A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN2R8-80BS，118
工作温度：-55℃~175℃
功率：306W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：139nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：9961pF@40V
连续漏极电流：120A
类型：N沟道
导通电阻：3mΩ@25A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPP030N10N5AKSA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：250W
阈值电压：3.8V@184µA
栅极电荷：139nC@10V
包装方式：管件
输入电容：10300pF@50V
连续漏极电流：120A
类型：N沟道
导通电阻：3mΩ@100A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMFS4C01NT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.84W€161W
阈值电压：2.2V@250µA
栅极电荷：139nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：10144pF@15V
连续漏极电流：49A€319A
类型：N沟道
导通电阻：0.9mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMFS4C01NT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.84W€161W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：139nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：10144pF@15V
连续漏极电流：49A€319A
类型：N沟道
导通电阻：0.9mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPB027N10N5ATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：250W
阈值电压：3.8V@184µA
栅极电荷：139nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：10300pF@50V
连续漏极电流：120A
类型：N沟道
导通电阻：2.7mΩ@100A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMFS4C01NT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.84W€161W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：139nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：10144pF@15V
连续漏极电流：49A€319A
类型：N沟道
导通电阻：0.9mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
