品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMFS5C420NLWFT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.8W€146W
阈值电压:2.2V@200µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:100nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:7020pF@20V
连续漏极电流:45A€277A
类型:N沟道
导通电阻:1mΩ@50A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SQM70060EL_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:166W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:100nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5500pF@25V
连续漏极电流:75A
类型:N沟道
导通电阻:5.9mΩ@30A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPB048N15N5ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:300W
阈值电压:4.6V@264µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:100nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:7800pF@75V
连续漏极电流:120A
类型:N沟道
导通电阻:4.8mΩ@60A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPB048N15N5ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:300W
阈值电压:4.6V@264µA
栅极电荷:100nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:7800pF@75V
连续漏极电流:120A
类型:N沟道
导通电阻:4.8mΩ@60A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDB075N15A
工作温度:-55℃~175℃
功率:333W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:100nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:7350pF@75V
连续漏极电流:130A
类型:N沟道
导通电阻:7.5mΩ@100A,10V
漏源电压:150V
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库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
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包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NTB6412ANT4G
工作温度:-55℃~175℃
功率:167W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:100nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3500pF@25V
连续漏极电流:58A
类型:N沟道
导通电阻:18.2mΩ@58A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPB044N15N5ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:300W
阈值电压:4.6V@264µA
栅极电荷:100nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:8000pF@75V
连续漏极电流:174A
类型:N沟道
导通电阻:4.4mΩ@87A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPB044N15N5ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:300W
阈值电压:4.6V@264µA
栅极电荷:100nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:8000pF@75V
连续漏极电流:174A
类型:N沟道
导通电阻:4.4mΩ@87A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFR3710ZTRPBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:140W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:100nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2930pF@25V
连续漏极电流:42A
类型:N沟道
导通电阻:18mΩ@33A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDB075N15A
工作温度:-55℃~175℃
功率:333W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:100nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:7350pF@75V
连续漏极电流:130A
类型:N沟道
导通电阻:7.5mΩ@100A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFR3710ZTRPBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:140W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:100nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2930pF@25V
连续漏极电流:42A
类型:N沟道
导通电阻:18mΩ@33A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTD5802NT4G
工作温度:-55℃~175℃
功率:2.5W€93.75W
阈值电压:3.5V@250µA
栅极电荷:100nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5025pF@25V
连续漏极电流:16.4A€101A
类型:N沟道
导通电阻:4.4mΩ@50A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPB048N15N5ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:300W
阈值电压:4.6V@264µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:100nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:7800pF@75V
连续漏极电流:120A
类型:N沟道
导通电阻:4.8mΩ@60A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPB048N15N5ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:300W
阈值电压:4.6V@264µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:100nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:7800pF@75V
连续漏极电流:120A
类型:N沟道
导通电阻:4.8mΩ@60A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJ422EP-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:83W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:100nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4660pF@20V
连续漏极电流:74A
类型:N沟道
导通电阻:3.4mΩ@18A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFR3710ZTRPBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:140W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:100nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2930pF@25V
连续漏极电流:42A
类型:N沟道
导通电阻:18mΩ@33A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPB048N15N5ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:300W
阈值电压:4.6V@264µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:100nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:7800pF@75V
连续漏极电流:120A
类型:N沟道
导通电阻:4.8mΩ@60A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJ422EP-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:83W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:100nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4660pF@20V
连续漏极电流:74A
类型:N沟道
导通电阻:3.4mΩ@18A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFR3710ZTRLPBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:140W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:100nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2930pF@25V
连续漏极电流:42A
类型:N沟道
导通电阻:18mΩ@33A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFR3710ZTRLPBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:140W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:100nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2930pF@25V
连续漏极电流:42A
类型:N沟道
导通电阻:18mΩ@33A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJ422EP-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:83W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:100nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4660pF@20V
连续漏极电流:74A
类型:N沟道
导通电阻:3.4mΩ@18A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMFS5C420NLWFT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.8W€146W
阈值电压:2.2V@200µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:100nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:7020pF@20V
连续漏极电流:45A€277A
类型:N沟道
导通电阻:1mΩ@50A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMFS5C420NLT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.8W€146W
阈值电压:2.2V@200µA
栅极电荷:100nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:7020pF@20V
连续漏极电流:45A€277A
类型:N沟道
导通电阻:1mΩ@50A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMFS5C420NLWFT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.8W€146W
阈值电压:2.2V@200µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:100nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:7020pF@20V
连续漏极电流:45A€277A
类型:N沟道
导通电阻:1mΩ@50A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFR3710ZTRLPBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:140W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:100nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2930pF@25V
连续漏极电流:42A
类型:N沟道
导通电阻:18mΩ@33A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDB075N15A
工作温度:-55℃~175℃
功率:333W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:100nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:7350pF@75V
连续漏极电流:130A
类型:N沟道
导通电阻:7.5mΩ@100A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMFS5C420NLT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.8W€146W
阈值电压:2.2V@200µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:100nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:7020pF@20V
连续漏极电流:45A€277A
类型:N沟道
导通电阻:1mΩ@50A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMFS5C420NLT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.8W€146W
阈值电压:2.2V@200µA
栅极电荷:100nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:7020pF@20V
连续漏极电流:45A€277A
类型:N沟道
导通电阻:1mΩ@50A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFR3710ZTRPBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:140W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:100nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2930pF@25V
连续漏极电流:42A
类型:N沟道
导通电阻:18mΩ@33A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPB044N15N5ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:300W
阈值电压:4.6V@264µA
栅极电荷:100nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:8000pF@75V
连续漏极电流:174A
类型:N沟道
导通电阻:4.4mΩ@87A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存: