采购热线 400-661-9010
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB2532
工作温度：-55℃~175℃
功率：310W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：107nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5870pF@25V
连续漏极电流：8A€79A
类型：N沟道
导通电阻：16mΩ@33A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJA36EP-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：500W
阈值电压：3.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：107nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6636pF@25V
连续漏极电流：350A
类型：N沟道
导通电阻：1.24mΩ@15A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：FAIRCHILD
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB2532
工作温度：-55℃~175℃
功率：310W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：107nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5870pF@25V
连续漏极电流：8A€79A
类型：N沟道
导通电阻：16mΩ@33A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：25psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF300P227
工作温度：-55℃~175℃
功率：313W
阈值电压：4V@270µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：107nC@10V
包装方式：管件
输入电容：4893pF@50V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：40mΩ@30A，10V
漏源电压：300V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFB31N20DPBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.1W€200W
阈值电压：5.5V@250µA
栅极电荷：107nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2370pF@25V
连续漏极电流：31A
类型：N沟道
导通电阻：82mΩ@18A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB2532
工作温度：-55℃~175℃
功率：310W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：107nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5870pF@25V
连续漏极电流：8A€79A
类型：N沟道
导通电阻：16mΩ@33A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB2532
工作温度：-55℃~175℃
功率：310W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：107nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5870pF@25V
连续漏极电流：8A€79A
类型：N沟道
导通电阻：16mΩ@33A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFB31N20DPBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.1W€200W
阈值电压：5.5V@250µA
栅极电荷：107nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2370pF@25V
连续漏极电流：31A
类型：N沟道
导通电阻：82mΩ@18A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDP2532
工作温度：-55℃~175℃
功率：310W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：107nC@10V
包装方式：管件
输入电容：5870pF@25V
连续漏极电流：8A€79A
类型：N沟道
导通电阻：16mΩ@33A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFB31N20DPBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.1W€200W
阈值电压：5.5V@250µA
栅极电荷：107nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2370pF@25V
连续漏极电流：31A
类型：N沟道
导通电阻：82mΩ@18A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"20+"：1825，"21+"：5598，"22+"：34608，"MI+"：1237}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDBL9406-F085
工作温度：-55℃~175℃
功率：300W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：107nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7735pF@25V
连续漏极电流：240A
类型：N沟道
导通电阻：1.2mΩ@80A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"20+"：1825，"21+"：5598，"22+"：34608，"MI+"：1237}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDBL9406-F085
工作温度：-55℃~175℃
功率：300W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：107nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7735pF@25V
连续漏极电流：240A
类型：N沟道
导通电阻：1.2mΩ@80A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJA36EP-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：500W
阈值电压：3.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：107nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6636pF@25V
连续漏极电流：350A
类型：N沟道
导通电阻：1.24mΩ@15A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"20+"：1825，"21+"：5598，"22+"：34608，"MI+"：1237}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDBL9406-F085
工作温度：-55℃~175℃
功率：300W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：107nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7735pF@25V
连续漏极电流：240A
类型：N沟道
导通电阻：1.2mΩ@80A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB2532
工作温度：-55℃~175℃
功率：310W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：107nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5870pF@25V
连续漏极电流：8A€79A
类型：N沟道
导通电阻：16mΩ@33A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"19+"：192，"20+"：284}
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB2532-F085
工作温度：-55℃~175℃
功率：310W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：107nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5870pF@25V
连续漏极电流：79A
类型：N沟道
导通电阻：16mΩ@33A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：IXYS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IXFH74N20P
工作温度：-55℃~175℃
功率：480W
阈值电压：5V@4mA
栅极电荷：107nC@10V
包装方式：盒
输入电容：3300pF@25V
连续漏极电流：74A
类型：N沟道
导通电阻：34mΩ@37A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"21+"：14032，"23+"：3700}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFS31N20DTRLP
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.1W€200W
阈值电压：5.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：107nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2370pF@25V
连续漏极电流：31A
类型：N沟道
导通电阻：82mΩ@18A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：IXYS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IXFH74N20P
工作温度：-55℃~175℃
功率：480W
阈值电压：5V@4mA
栅极电荷：107nC@10V
包装方式：盒
输入电容：3300pF@25V
连续漏极电流：74A
类型：N沟道
导通电阻：34mΩ@37A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：FAIRCHILD
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB2532
工作温度：-55℃~175℃
功率：310W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：107nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5870pF@25V
连续漏极电流：8A€79A
类型：N沟道
导通电阻：16mΩ@33A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"21+"：14032，"23+"：3700}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFS31N20DTRLP
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.1W€200W
阈值电压：5.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：107nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2370pF@25V
连续漏极电流：31A
类型：N沟道
导通电阻：82mΩ@18A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDP2532
工作温度：-55℃~175℃
功率：310W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：107nC@10V
包装方式：管件
输入电容：5870pF@25V
连续漏极电流：8A€79A
类型：N沟道
导通电阻：16mΩ@33A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJA36EP-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：500W
阈值电压：3.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：107nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6636pF@25V
连续漏极电流：350A
类型：N沟道
导通电阻：1.24mΩ@15A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB2532
工作温度：-55℃~175℃
功率：310W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：107nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5870pF@25V
连续漏极电流：8A€79A
类型：N沟道
导通电阻：16mΩ@33A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDBL0120N40
工作温度：-55℃~175℃
功率：300W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：107nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7735pF@25V
连续漏极电流：240A
类型：N沟道
导通电阻：1.2mΩ@80A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDBL0120N40
工作温度：-55℃~175℃
功率：300W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：107nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7735pF@25V
连续漏极电流：240A
类型：N沟道
导通电阻：1.2mΩ@80A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDBL0120N40
工作温度：-55℃~175℃
功率：300W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：107nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7735pF@25V
连续漏极电流：240A
类型：N沟道
导通电阻：1.2mΩ@80A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB2532-F085
工作温度：-55℃~175℃
功率：310W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：107nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5870pF@25V
连续漏极电流：79A
类型：N沟道
导通电阻：16mΩ@33A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDBL0120N40
工作温度：-55℃~175℃
功率：300W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：107nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7735pF@25V
连续漏极电流：240A
类型：N沟道
导通电阻：1.2mΩ@80A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDP2532
工作温度：-55℃~175℃
功率：310W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：107nC@10V
包装方式：管件
输入电容：5870pF@25V
连续漏极电流：8A€79A
类型：N沟道
导通电阻：16mΩ@33A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
