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品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOD2816
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.5W€53.5W
阈值电压：3.5V@250µA
栅极电荷：22nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1109pF@40V
连续漏极电流：8.5A€35A
类型：N沟道
导通电阻：15mΩ@20A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJ872EP-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：55W
阈值电压：3.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：22nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1045pF@25V
连续漏极电流：24.5A
类型：N沟道
导通电阻：35.5mΩ@10A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
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功率：55W
阈值电压：3.5V@250µA
ECCN：EAR99
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输入电容：1045pF@25V
连续漏极电流：24.5A
类型：N沟道
导通电阻：35.5mΩ@10A，10V
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类型：N沟道
导通电阻：35.5mΩ@10A，10V
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功率：55W
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栅极电荷：22nC@10V
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导通电阻：35.5mΩ@10A，10V
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规格型号(MPN)：AOD2816
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.5W€53.5W
阈值电压：3.5V@250µA
栅极电荷：22nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1109pF@40V
连续漏极电流：8.5A€35A
类型：N沟道
导通电阻：15mΩ@20A，10V
漏源电压：80V
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连续漏极电流：24.5A
类型：N沟道
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阈值电压：3.5V@250µA
栅极电荷：22nC@10V
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输入电容：1109pF@40V
连续漏极电流：8.5A€35A
类型：N沟道
导通电阻：15mΩ@20A，10V
漏源电压：80V
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功率：55W
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ECCN：EAR99
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连续漏极电流：24.5A
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SQJ872EP-T1_GE3
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功率：55W
阈值电压：3.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：22nC@10V
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输入电容：1045pF@25V
连续漏极电流：24.5A
类型：N沟道
导通电阻：35.5mΩ@10A，10V
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连续漏极电流：24.5A
类型：N沟道
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栅极电荷：22nC@10V
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输入电容：1045pF@25V
连续漏极电流：24.5A
类型：N沟道
导通电阻：35.5mΩ@10A，10V
漏源电压：150V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SQJ872EP-T1_GE3
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功率：55W
阈值电压：3.5V@250µA
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栅极电荷：22nC@10V
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连续漏极电流：24.5A
类型：N沟道
导通电阻：35.5mΩ@10A，10V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：AOD2816
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.5W€53.5W
阈值电压：3.5V@250µA
栅极电荷：22nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1109pF@40V
连续漏极电流：8.5A€35A
类型：N沟道
导通电阻：15mΩ@20A，10V
漏源电压：80V
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包装方式：卷带（TR）
导通电阻：35.5mΩ@10A，10V
类型：N沟道
输入电容：1045pF@25V
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功率：55W
栅极电荷：22nC@10V
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SQJ872EP-T1_GE3
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功率：55W
阈值电压：3.5V@250µA
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输入电容：1045pF@25V
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类型：N沟道
导通电阻：35.5mΩ@10A，10V
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规格型号(MPN)：SQJ872EP-T1_GE3
连续漏极电流：24.5A
包装方式：卷带（TR）
导通电阻：35.5mΩ@10A，10V
类型：N沟道
输入电容：1045pF@25V
漏源电压：150V
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ECCN：EAR99
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行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOD2816
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.5W€53.5W
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栅极电荷：22nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1109pF@40V
连续漏极电流：8.5A€35A
类型：N沟道
导通电阻：15mΩ@20A，10V
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SQJ872EP-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：55W
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栅极电荷：22nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1045pF@25V
连续漏极电流：24.5A
类型：N沟道
导通电阻：35.5mΩ@10A，10V
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