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    VISHAY Mosfet场效应管 SQJQ100E-T1_GE3 起订1个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJQ100E-T1_GE3 起订1个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJQ100E-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:150W

    阈值电压:3.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:165nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:14780pF@25V

    连续漏极电流:200A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.5mΩ@20A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTMFS5C426NT1G 起订1500个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTMFS5C426NT1G 起订1500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTMFS5C426NT1G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.8W€128W

    阈值电压:3.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:65nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4300pF@25V

    连续漏极电流:41A€235A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.3mΩ@50A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQM40014EM_GE3 起订1个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQM40014EM_GE3 起订1个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQM40014EM_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:375W

    阈值电压:3.5V@250µA

    栅极电荷:250nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:15525pF@25V

    连续漏极电流:200A

    类型:N沟道

    导通电阻:1mΩ@35A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ146EP-T1_GE3 起订3000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ146EP-T1_GE3 起订3000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJ146EP-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:75W

    阈值电压:3.5V@250µA

    栅极电荷:27nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1500pF@25V

    连续漏极电流:75A

    类型:N沟道

    导通电阻:7mΩ@15A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NVMFS5C456NT1G 起订2个装
    onsemi Mosfet场效应管 NVMFS5C456NT1G 起订2个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVMFS5C456NT1G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.6W€55W

    阈值电压:3.5V@250µA

    栅极电荷:18nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1150pF@25V

    连续漏极电流:20A€80A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.5mΩ@35A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQD50N04-5M6_GE3 起订4个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQD50N04-5M6_GE3 起订4个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQD50N04-5M6_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:71W

    阈值电压:3.5V@250µA

    栅极电荷:85nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4000pF@25V

    连续漏极电流:50A

    类型:N沟道

    导通电阻:5.6mΩ@20A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTMFS5C410NT1G 起订1个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTMFS5C410NT1G 起订1个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTMFS5C410NT1G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.9W€166W

    阈值电压:3.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:86nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:6100pF@25V

    连续漏极电流:46A€300A

    类型:N沟道

    导通电阻:0.92mΩ@50A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJQ142E-T1_GE3 起订1个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJQ142E-T1_GE3 起订1个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJQ142E-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:500W

    阈值电压:3.5V@250µA

    栅极电荷:130nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:6975pF@25V

    连续漏极电流:460A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.24mΩ@20A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQS140ENW-T1_GE3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQS140ENW-T1_GE3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQS140ENW-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:197W

    阈值电压:3.5V@250µA

    栅极电荷:57nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3111pF@25V

    连续漏极电流:214A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.53mΩ@10A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTMFS5C410NT3G 起订1个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTMFS5C410NT3G 起订1个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTMFS5C410NT3G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.9W€166W

    阈值电压:3.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:86nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:6100pF@25V

    连续漏极电流:46A€300A

    类型:N沟道

    导通电阻:0.92mΩ@50A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ146EP-T1_GE3 起订3个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ146EP-T1_GE3 起订3个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJ146EP-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:75W

    阈值电压:3.5V@250µA

    栅极电荷:27nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1500pF@25V

    连续漏极电流:75A

    类型:N沟道

    导通电阻:7mΩ@15A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NVMFS5C466NWFT1G 起订2个装
    onsemi Mosfet场效应管 NVMFS5C466NWFT1G 起订2个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVMFS5C466NWFT1G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.5W€37W

    阈值电压:3.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:10nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:625pF@25V

    连续漏极电流:15A€49A

    类型:N沟道

    导通电阻:8.1mΩ@15A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQS140ENW-T1_GE3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQS140ENW-T1_GE3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQS140ENW-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:197W

    阈值电压:3.5V@250µA

    栅极电荷:57nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3111pF@25V

    连续漏极电流:214A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.53mΩ@10A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJQ142E-T1_GE3 起订1个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJQ142E-T1_GE3 起订1个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJQ142E-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:500W

    阈值电压:3.5V@250µA

    栅极电荷:130nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:6975pF@25V

    连续漏极电流:460A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.24mΩ@20A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQD50N04-5M6_T4GE3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQD50N04-5M6_T4GE3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQD50N04-5M6_T4GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:71W

    阈值电压:3.5V@250µA

    栅极电荷:85nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4000pF@25V

    连续漏极电流:50A

    类型:N沟道

    导通电阻:5.6mΩ@20A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NVMFS5C456NT1G 起订2个装
    onsemi Mosfet场效应管 NVMFS5C456NT1G 起订2个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVMFS5C456NT1G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.6W€55W

    阈值电压:3.5V@250µA

    栅极电荷:18nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1150pF@25V

    连续漏极电流:20A€80A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.5mΩ@35A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJA36EP-T1_GE3 起订1个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJA36EP-T1_GE3 起订1个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJA36EP-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:500W

    阈值电压:3.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:107nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:6636pF@25V

    连续漏极电流:350A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.24mΩ@15A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ140EP-T1_GE3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ140EP-T1_GE3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJ140EP-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:263W

    阈值电压:3.5V@250µA

    栅极电荷:64nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3855pF@25V

    连续漏极电流:266A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.1mΩ@15A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NVMFSC0D9N04CL 起订1个装
    onsemi Mosfet场效应管 NVMFSC0D9N04CL 起订1个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVMFSC0D9N04CL

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:4.1W€166W

    阈值电压:3.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:86nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:6100pF@25V

    连续漏极电流:50A€316A

    类型:N沟道

    导通电阻:0.87mΩ@50A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NVMFS5C456NT1G 起订3个装
    onsemi Mosfet场效应管 NVMFS5C456NT1G 起订3个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVMFS5C456NT1G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.6W€55W

    阈值电压:3.5V@250µA

    栅极电荷:18nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1150pF@25V

    连续漏极电流:20A€80A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.5mΩ@35A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTMFS5C426NT1G 起订1500个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTMFS5C426NT1G 起订1500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTMFS5C426NT1G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.8W€128W

    阈值电压:3.5V@250µA

    栅极电荷:65nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4300pF@25V

    连续漏极电流:41A€235A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.3mΩ@50A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJQ100E-T1_GE3 起订1个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJQ100E-T1_GE3 起订1个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJQ100E-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:150W

    阈值电压:3.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:165nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:14780pF@25V

    连续漏极电流:200A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.5mΩ@20A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ868EP-T1_BE3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ868EP-T1_BE3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJ868EP-T1_BE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:48W

    阈值电压:3.5V@250µA

    栅极电荷:55nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2450pF@20V

    连续漏极电流:58A

    类型:N沟道

    导通电阻:7.35mΩ@14A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ868EP-T1_BE3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ868EP-T1_BE3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJ868EP-T1_BE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:48W

    阈值电压:3.5V@250µA

    栅极电荷:55nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2450pF@20V

    连续漏极电流:58A

    类型:N沟道

    导通电阻:7.35mΩ@14A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ142EP-T1_GE3 起订4个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ142EP-T1_GE3 起订4个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJ142EP-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:191W

    阈值电压:3.5V@250µA

    栅极电荷:45nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2650pF@25V

    连续漏极电流:167A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.6mΩ@15A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ868EP-T1_GE3 起订5个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ868EP-T1_GE3 起订5个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJ868EP-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:48W

    阈值电压:3.5V@250µA

    栅极电荷:55nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2450pF@20V

    连续漏极电流:58A

    类型:N沟道

    导通电阻:7.35mΩ@14A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJQ144AER-T1_GE3 起订1个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJQ144AER-T1_GE3 起订1个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJQ144AER-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:600W

    阈值电压:3.5V@250µA

    栅极电荷:145nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:9020pF@25V

    连续漏极电流:575A

    类型:N沟道

    导通电阻:0.9mΩ@20A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ868EP-T1_GE3 起订6个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ868EP-T1_GE3 起订6个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJ868EP-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:48W

    阈值电压:3.5V@250µA

    栅极电荷:55nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2450pF@20V

    连续漏极电流:58A

    类型:N沟道

    导通电阻:7.35mΩ@14A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ146EP-T1_GE3 起订3个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ146EP-T1_GE3 起订3个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJ146EP-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:75W

    阈值电压:3.5V@250µA

    栅极电荷:27nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1500pF@25V

    连续漏极电流:75A

    类型:N沟道

    导通电阻:7mΩ@15A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQS140ENW-T1_GE3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQS140ENW-T1_GE3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQS140ENW-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:197W

    阈值电压:3.5V@250µA

    栅极电荷:57nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3111pF@25V

    连续漏极电流:214A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.53mΩ@10A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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