采购热线 400-661-9010
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVTFS5C680NLWFTAG
工作温度：-55℃~175℃
功率：3W€20W
阈值电压：2.2V@250µA
栅极电荷：6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：327pF@25V
连续漏极电流：7.82A€20A
类型：N沟道
导通电阻：26.5mΩ@10A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVTFS5C658NLWFTAG
工作温度：-55℃~175℃
功率：114W
阈值电压：2.2V@250µA
栅极电荷：12nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1935pF@25V
连续漏极电流：109A
类型：N沟道
导通电阻：5mΩ@50A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MCC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MCU80N06A-TP
工作温度：-55℃~175℃
功率：68W
阈值电压：2.2V@250µA
栅极电荷：31nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1990pF@30V
连续漏极电流：80A
类型：N沟道
导通电阻：8mΩ@30A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVTFS5C658NLWFTAG
工作温度：-55℃~175℃
功率：114W
阈值电压：2.2V@250µA
栅极电荷：12nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1935pF@25V
连续漏极电流：109A
类型：N沟道
导通电阻：5mΩ@50A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：500psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD18536KTT
工作温度：-55℃~175℃
功率：375W
阈值电压：2.2V@250µA
栅极电荷：140nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：11430pF@30V
连续漏极电流：200A
类型：N沟道
导通电阻：1.6mΩ@100A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AONS62614T
工作温度：-55℃~175℃
功率：7.5W€142W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：90nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3660pF@30V
连续漏极电流：39A€100A
类型：N沟道
导通电阻：2.5mΩ@20A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVTFS5C680NLTAG
工作温度：-55℃~175℃
功率：3W€20W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：327pF@25V
连续漏极电流：7.82A€20A
类型：N沟道
导通电阻：26.5mΩ@10A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD18542KTTT
工作温度：-55℃~175℃
功率：250W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：57nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5070pF@30V
连续漏极电流：200A€170A
类型：N沟道
导通电阻：4mΩ@100A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD18542KTTT
工作温度：-55℃~175℃
功率：250W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：57nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5070pF@30V
连续漏极电流：200A€170A
类型：N沟道
导通电阻：4mΩ@100A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD18542KTTT
工作温度：-55℃~175℃
功率：250W
阈值电压：2.2V@250µA
栅极电荷：57nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5070pF@30V
连续漏极电流：200A€170A
类型：N沟道
导通电阻：4mΩ@100A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVTFS5C658NLWFTAG
工作温度：-55℃~175℃
功率：114W
阈值电压：2.2V@250µA
栅极电荷：12nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1935pF@25V
连续漏极电流：109A
类型：N沟道
导通电阻：5mΩ@50A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVTFS5C658NLWFTAG
工作温度：-55℃~175℃
功率：114W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：12nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1935pF@25V
连续漏极电流：109A
类型：N沟道
导通电阻：5mΩ@50A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：500psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD18536KTT
工作温度：-55℃~175℃
功率：375W
阈值电压：2.2V@250µA
栅极电荷：140nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：11430pF@30V
连续漏极电流：200A
类型：N沟道
导通电阻：1.6mΩ@100A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVTFS5C680NLTAG
工作温度：-55℃~175℃
功率：3W€20W
阈值电压：2.2V@250µA
栅极电荷：6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：327pF@25V
连续漏极电流：7.82A€20A
类型：N沟道
导通电阻：26.5mΩ@10A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：500psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD18542KTT
工作温度：-55℃~175℃
功率：250W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：57nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5070pF@30V
连续漏极电流：200A
类型：N沟道
导通电阻：4mΩ@100A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD18542KTTT
工作温度：-55℃~175℃
功率：250W
阈值电压：2.2V@250µA
栅极电荷：57nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5070pF@30V
连续漏极电流：200A€170A
类型：N沟道
导通电阻：4mΩ@100A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD18536KTTT
工作温度：-55℃~175℃
功率：375W
阈值电压：2.2V@250µA
栅极电荷：140nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：11430pF@30V
连续漏极电流：200A€349A
类型：N沟道
导通电阻：1.6mΩ@100A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMTS001N06CLTXG
工作温度：-55℃~175℃
功率：5W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：165nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：12300pF@25V
连续漏极电流：398.2A
类型：N沟道
导通电阻：0.81mΩ@50A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：500psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD18542KTT
工作温度：-55℃~175℃
功率：250W
阈值电压：2.2V@250µA
栅极电荷：57nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5070pF@30V
连续漏极电流：200A
类型：N沟道
导通电阻：4mΩ@100A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AONS62614T
工作温度：-55℃~175℃
功率：7.5W€142W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：90nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3660pF@30V
连续漏极电流：39A€100A
类型：N沟道
导通电阻：2.5mΩ@20A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVTFS5C680NLTAG
工作温度：-55℃~175℃
功率：3W€20W
阈值电压：2.2V@250µA
栅极电荷：6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：327pF@25V
连续漏极电流：7.82A€20A
类型：N沟道
导通电阻：26.5mΩ@10A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD18536KTTT
工作温度：-55℃~175℃
功率：375W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：140nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：11430pF@30V
连续漏极电流：200A€349A
类型：N沟道
导通电阻：1.6mΩ@100A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVTFS5C680NLTAG
工作温度：-55℃~175℃
功率：3W€20W
阈值电压：2.2V@250µA
栅极电荷：6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：327pF@25V
连续漏极电流：7.82A€20A
类型：N沟道
导通电阻：26.5mΩ@10A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MCC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MCU80N06A-TP
工作温度：-55℃~175℃
功率：68W
阈值电压：2.2V@250µA
栅极电荷：31nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1990pF@30V
连续漏极电流：80A
类型：N沟道
导通电阻：8mΩ@30A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMTS001N06CLTXG
工作温度：-55℃~175℃
功率：5W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：165nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：12300pF@25V
连续漏极电流：398.2A
类型：N沟道
导通电阻：0.81mΩ@50A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMTS001N06CLTXG
工作温度：-55℃~175℃
功率：5W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：165nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：12300pF@25V
连续漏极电流：398.2A
类型：N沟道
导通电阻：0.81mΩ@50A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMTS001N06CLTXG
工作温度：-55℃~175℃
功率：5W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：165nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：12300pF@25V
连续漏极电流：398.2A
类型：N沟道
导通电阻：0.81mΩ@50A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVTFS5C680NLTAG
工作温度：-55℃~175℃
功率：3W€20W
阈值电压：2.2V@250µA
栅极电荷：6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：327pF@25V
连续漏极电流：7.82A€20A
类型：N沟道
导通电阻：26.5mΩ@10A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：500psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD18536KTT
工作温度：-55℃~175℃
功率：375W
阈值电压：2.2V@250µA
栅极电荷：140nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：11430pF@30V
连续漏极电流：200A
类型：N沟道
导通电阻：1.6mΩ@100A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD18542KTTT
工作温度：-55℃~175℃
功率：250W
阈值电压：2.2V@250µA
栅极电荷：57nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5070pF@30V
连续漏极电流：200A€170A
类型：N沟道
导通电阻：4mΩ@100A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
