采购热线 400-661-9010
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：500psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD18536KTT
工作温度：-55℃~175℃
功率：375W
阈值电压：2.2V@250µA
栅极电荷：140nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：11430pF@30V
连续漏极电流：200A
类型：N沟道
导通电阻：1.6mΩ@100A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：500psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD18536KTT
工作温度：-55℃~175℃
功率：375W
阈值电压：2.2V@250µA
栅极电荷：140nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：11430pF@30V
连续漏极电流：200A
类型：N沟道
导通电阻：1.6mΩ@100A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：500psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD18542KTT
工作温度：-55℃~175℃
功率：250W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：57nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5070pF@30V
连续漏极电流：200A
类型：N沟道
导通电阻：4mΩ@100A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：500psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD18542KTT
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包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：CSD18536KTT
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品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：500psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD18542KTT
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类型：N沟道
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漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：500psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD18542KTT
工作温度：-55℃~175℃
功率：250W
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类型：N沟道
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包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：500psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD18536KTT
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输入电容：11430pF@30V
连续漏极电流：200A
类型：N沟道
导通电阻：1.6mΩ@100A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：500psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD18536KTT
工作温度：-55℃~175℃
功率：375W
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ECCN：EAR99
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类型：N沟道
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包装清单：商品主体 * 1
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品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：500psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD18542KTT
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功率：250W
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ECCN：EAR99
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类型：N沟道
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库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：500psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD18542KTT
工作温度：-55℃~175℃
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类型：N沟道
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包装清单：商品主体 * 1
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品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：CSD18536KTT
工作温度：-55℃~175℃
功率：375W
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ECCN：EAR99
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连续漏极电流：200A
类型：N沟道
导通电阻：1.6mΩ@100A，10V
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包装清单：商品主体 * 1
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品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD18542KTT
工作温度：-55℃~175℃
功率：250W
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类型：N沟道
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品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：500psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD18536KTT
工作温度：-55℃~175℃
功率：375W
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ECCN：EAR99
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连续漏极电流：200A
类型：N沟道
导通电阻：1.6mΩ@100A，10V
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包装清单：商品主体 * 1
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品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：500psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD18542KTT
工作温度：-55℃~175℃
功率：250W
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类型：N沟道
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包装清单：商品主体 * 1
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品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：500psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD18542KTT
工作温度：-55℃~175℃
功率：250W
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类型：N沟道
导通电阻：4mΩ@100A，10V
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包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：500psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD18536KTT
工作温度：-55℃~175℃
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类型：N沟道
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包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：500psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD18536KTT
工作温度：-55℃~175℃
功率：375W
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类型：N沟道
导通电阻：1.6mΩ@100A，10V
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包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：500psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD18536KTT
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类型：N沟道
导通电阻：1.6mΩ@100A，10V
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库存：
包装规格(MPQ)：500psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD18542KTT
工作温度：-55℃~175℃
功率：250W
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类型：N沟道
导通电阻：4mΩ@100A，10V
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包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：500psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD18536KTT
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类型：N沟道
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包装清单：商品主体 * 1
库存：
生产批次：16+
包装规格(MPQ)：500psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD18536KTT
工作温度：-55℃~175℃
功率：375W
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输入电容：11430pF@30V
连续漏极电流：200A
类型：N沟道
导通电阻：1.6mΩ@100A，10V
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库存：
包装规格(MPQ)：500psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD18542KTT
工作温度：-55℃~175℃
功率：250W
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栅极电荷：57nC@10V
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输入电容：5070pF@30V
连续漏极电流：200A
类型：N沟道
导通电阻：4mΩ@100A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：500psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD18536KTT
工作温度：-55℃~175℃
功率：375W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：140nC@10V
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类型：N沟道
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库存：
包装规格(MPQ)：500psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD18542KTT
工作温度：-55℃~175℃
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栅极电荷：57nC@10V
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类型：N沟道
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包装规格(MPQ)：500psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD18536KTT
工作温度：-55℃~175℃
功率：375W
阈值电压：2.2V@250µA
栅极电荷：140nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：11430pF@30V
连续漏极电流：200A
类型：N沟道
导通电阻：1.6mΩ@100A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：500psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD18542KTT
工作温度：-55℃~175℃
功率：250W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：57nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5070pF@30V
连续漏极电流：200A
类型：N沟道
导通电阻：4mΩ@100A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：500psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD18542KTT
工作温度：-55℃~175℃
功率：250W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：57nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5070pF@30V
连续漏极电流：200A
类型：N沟道
导通电阻：4mΩ@100A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：500psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD18542KTT
工作温度：-55℃~175℃
功率：250W
阈值电压：2.2V@250µA
栅极电荷：57nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5070pF@30V
连续漏极电流：200A
类型：N沟道
导通电阻：4mΩ@100A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：500psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD18542KTT
工作温度：-55℃~175℃
功率：250W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：57nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5070pF@30V
连续漏极电流：200A
类型：N沟道
导通电阻：4mΩ@100A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
