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    类型: N沟道
    工作温度: -55℃~175℃
    包装方式: 卷带(TR)
    栅极电荷: 9.5nC@10V
    行业应用: 工业
    当前匹配商品:100+
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    onsemi Mosfet场效应管 NVTFS5C673NLTAG 起订4个装
    onsemi Mosfet场效应管 NVTFS5C673NLTAG 起订4个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVTFS5C673NLTAG

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.1W€46W

    阈值电压:2V@250µA

    栅极电荷:9.5nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:880pF@25V

    连续漏极电流:13A€50A

    类型:N沟道

    导通电阻:9.8mΩ@25A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NVMFS5C673NLWFAFT1G 起订2个装
    onsemi Mosfet场效应管 NVMFS5C673NLWFAFT1G 起订2个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVMFS5C673NLWFAFT1G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:46W

    阈值电压:2V@35µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:9.5nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:880pF@25V

    连续漏极电流:50A

    类型:N沟道

    导通电阻:9.2mΩ@25A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN020-30MLCX 起订2778个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN020-30MLCX 起订2778个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"20+":6000}

    销售单位:

    规格型号(MPN):PSMN020-30MLCX

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:33W

    阈值电压:1.95V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:9.5nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:430pF@15V

    连续漏极电流:31.8A

    类型:N沟道

    导通电阻:18.1mΩ@5A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NVMFS5C673NLAFT1G 起订3个装
    onsemi Mosfet场效应管 NVMFS5C673NLAFT1G 起订3个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVMFS5C673NLAFT1G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:46W

    阈值电压:2V@35µA

    栅极电荷:9.5nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:880pF@25V

    连续漏极电流:50A

    类型:N沟道

    导通电阻:9.2mΩ@25A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 BSZ063N04LS6ATMA1 起订3个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSZ063N04LS6ATMA1 起订3个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSZ063N04LS6ATMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:2.5W€38W

    阈值电压:2.3V@250µA

    栅极电荷:9.5nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:650pF@20V

    连续漏极电流:15A€40A

    类型:N沟道

    导通电阻:6.3mΩ@20A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQA700CEJW-T1_GE3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQA700CEJW-T1_GE3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQA700CEJW-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:13.6W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:9.5nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:380pF@25V

    连续漏极电流:9A

    类型:N沟道

    导通电阻:79mΩ@3A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQA700CEJW-T1_GE3 起订1000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQA700CEJW-T1_GE3 起订1000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQA700CEJW-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:13.6W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:9.5nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:380pF@25V

    连续漏极电流:9A

    类型:N沟道

    导通电阻:79mΩ@3A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NVMFS5C673NLAFT1G 起订500个装
    onsemi Mosfet场效应管 NVMFS5C673NLAFT1G 起订500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVMFS5C673NLAFT1G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:46W

    阈值电压:2V@35µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:9.5nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:880pF@25V

    连续漏极电流:50A

    类型:N沟道

    导通电阻:9.2mΩ@25A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQA700CEJW-T1_GE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQA700CEJW-T1_GE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQA700CEJW-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:13.6W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:9.5nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:380pF@25V

    连续漏极电流:9A

    类型:N沟道

    导通电阻:79mΩ@3A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQA700CEJW-T1_GE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQA700CEJW-T1_GE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQA700CEJW-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:13.6W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:9.5nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:380pF@25V

    连续漏极电流:9A

    类型:N沟道

    导通电阻:79mΩ@3A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQA700CEJW-T1_GE3 起订1000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQA700CEJW-T1_GE3 起订1000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQA700CEJW-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:13.6W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:9.5nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:380pF@25V

    连续漏极电流:9A

    类型:N沟道

    导通电阻:79mΩ@3A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    onsemi Mosfet场效应管 NTTFS5C673NLTAG 起订100个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTTFS5C673NLTAG 起订100个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTTFS5C673NLTAG

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.1W€46W

    阈值电压:2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:9.5nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:880pF@25V

    连续漏极电流:13A€50A

    类型:N沟道

    导通电阻:9.3mΩ@25A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

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    onsemi Mosfet场效应管 NTTFS5C673NLTAG 起订250个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTTFS5C673NLTAG 起订250个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTTFS5C673NLTAG

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.1W€46W

    阈值电压:2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:9.5nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:880pF@25V

    连续漏极电流:13A€50A

    类型:N沟道

    导通电阻:9.3mΩ@25A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN020-30MLCX 起订100个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN020-30MLCX 起订100个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PSMN020-30MLCX

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:33W

    阈值电压:1.95V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:9.5nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:430pF@15V

    连续漏极电流:31.8A

    类型:N沟道

    导通电阻:18.1mΩ@5A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 BSZ063N04LS6ATMA1 起订500个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSZ063N04LS6ATMA1 起订500个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSZ063N04LS6ATMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:2.5W€38W

    阈值电压:2.3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:9.5nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:650pF@20V

    连续漏极电流:15A€40A

    类型:N沟道

    导通电阻:6.3mΩ@20A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTTFS5C673NLTAG 起订250个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTTFS5C673NLTAG 起订250个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTTFS5C673NLTAG

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.1W€46W

    阈值电压:2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:9.5nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:880pF@25V

    连续漏极电流:13A€50A

    类型:N沟道

    导通电阻:9.3mΩ@25A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

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    VISHAY Mosfet场效应管 SQA700CEJW-T1_GE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQA700CEJW-T1_GE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQA700CEJW-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:13.6W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:9.5nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:380pF@25V

    连续漏极电流:9A

    类型:N沟道

    导通电阻:79mΩ@3A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    INFINEON Mosfet场效应管 BSZ063N04LS6ATMA1 起订25个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSZ063N04LS6ATMA1 起订25个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSZ063N04LS6ATMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:2.5W€38W

    阈值电压:2.3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:9.5nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:650pF@20V

    连续漏极电流:15A€40A

    类型:N沟道

    导通电阻:6.3mΩ@20A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 BSZ063N04LS6ATMA1 起订250个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSZ063N04LS6ATMA1 起订250个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSZ063N04LS6ATMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:2.5W€38W

    阈值电压:2.3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:9.5nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:650pF@20V

    连续漏极电流:15A€40A

    类型:N沟道

    导通电阻:6.3mΩ@20A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN020-30MLCX 起订10个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN020-30MLCX 起订10个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PSMN020-30MLCX

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:33W

    阈值电压:1.95V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:9.5nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:430pF@15V

    连续漏极电流:31.8A

    类型:N沟道

    导通电阻:18.1mΩ@5A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTTFS5C673NLTAG 起订10个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTTFS5C673NLTAG 起订10个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTTFS5C673NLTAG

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.1W€46W

    阈值电压:2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:9.5nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:880pF@25V

    连续漏极电流:13A€50A

    类型:N沟道

    导通电阻:9.3mΩ@25A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQA700CEJW-T1_GE3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQA700CEJW-T1_GE3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQA700CEJW-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:13.6W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:9.5nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:380pF@25V

    连续漏极电流:9A

    类型:N沟道

    导通电阻:79mΩ@3A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 BSZ063N04LS6ATMA1 起订10个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSZ063N04LS6ATMA1 起订10个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSZ063N04LS6ATMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:2.5W€38W

    阈值电压:2.3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:9.5nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:650pF@20V

    连续漏极电流:15A€40A

    类型:N沟道

    导通电阻:6.3mΩ@20A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

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    onsemi Mosfet场效应管 NTMFS5C673NLT3G 起订5000个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTMFS5C673NLT3G 起订5000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTMFS5C673NLT3G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.6W€46W

    阈值电压:2V@35µA

    栅极电荷:9.5nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:880pF@25V

    连续漏极电流:50A

    类型:N沟道

    导通电阻:9.2mΩ@25A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NVTFS5C673NLWFTAG 起订2个装
    onsemi Mosfet场效应管 NVTFS5C673NLWFTAG 起订2个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVTFS5C673NLWFTAG

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.1W€46W

    阈值电压:2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:9.5nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:880pF@25V

    连续漏极电流:13A€50A

    类型:N沟道

    导通电阻:9.8mΩ@25A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTTFS5C673NLTAG 起订100个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTTFS5C673NLTAG 起订100个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTTFS5C673NLTAG

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.1W€46W

    阈值电压:2V@250µA

    栅极电荷:9.5nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:880pF@25V

    连续漏极电流:13A€50A

    类型:N沟道

    导通电阻:9.3mΩ@25A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTTFS5C673NLTAG 起订30个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTTFS5C673NLTAG 起订30个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTTFS5C673NLTAG

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.1W€46W

    阈值电压:2V@250µA

    栅极电荷:9.5nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:880pF@25V

    连续漏极电流:13A€50A

    类型:N沟道

    导通电阻:9.3mΩ@25A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

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    onsemi Mosfet场效应管 NVTFS5C673NLWFTAG 起订500个装
    onsemi Mosfet场效应管 NVTFS5C673NLWFTAG 起订500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVTFS5C673NLWFTAG

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.1W€46W

    阈值电压:2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:9.5nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:880pF@25V

    连续漏极电流:13A€50A

    类型:N沟道

    导通电阻:9.8mΩ@25A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

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    onsemi Mosfet场效应管 NTTFS5C673NLTAG 起订500个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTTFS5C673NLTAG 起订500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTTFS5C673NLTAG

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.1W€46W

    阈值电压:2V@250µA

    栅极电荷:9.5nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:880pF@25V

    连续漏极电流:13A€50A

    类型:N沟道

    导通电阻:9.3mΩ@25A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

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    onsemi Mosfet场效应管 NTTFS5C673NLTAG 起订10个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTTFS5C673NLTAG 起订10个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTTFS5C673NLTAG

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.1W€46W

    阈值电压:2V@250µA

    栅极电荷:9.5nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:880pF@25V

    连续漏极电流:13A€50A

    类型:N沟道

    导通电阻:9.3mΩ@25A,10V

    漏源电压:60V

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