采购热线 400-661-9010
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD86367-F085
工作温度：-55℃~175℃
功率：227W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：88nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4840pF@40V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：4.2mΩ@80A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMC86570LET60
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.8W€65W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：88nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4790pF@30V
连续漏极电流：18A€87A
类型：N沟道
导通电阻：4.3mΩ@18A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMC86570LET60
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.8W€65W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：88nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4790pF@30V
连续漏极电流：18A€87A
类型：N沟道
导通电阻：4.3mΩ@18A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SUM10250E-GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：375W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：88nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3002pF@125V
连续漏极电流：63.5A
类型：N沟道
导通电阻：31mΩ@30A，10V
漏源电压：250V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMC86570LET60
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.8W€65W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：88nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4790pF@30V
连续漏极电流：18A€87A
类型：N沟道
导通电阻：4.3mΩ@18A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMC86570LET60
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.8W€65W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：88nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4790pF@30V
连续漏极电流：18A€87A
类型：N沟道
导通电阻：4.3mΩ@18A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：10246}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMC86570LET60
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.8W€65W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：88nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4790pF@30V
连续漏极电流：18A€87A
类型：N沟道
导通电阻：4.3mΩ@18A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：10246}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMC86570LET60
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.8W€65W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：88nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4790pF@30V
连续漏极电流：18A€87A
类型：N沟道
导通电阻：4.3mΩ@18A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD86367
工作温度：-55℃~175℃
功率：227W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：88nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4840pF@40V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：4.2mΩ@80A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"20+"：14400}
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTB5405NT4G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3W€150W
阈值电压：3.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：88nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4000pF@32V
连续漏极电流：116A
类型：N沟道
导通电阻：5.8mΩ@40A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SUM10250E-GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：375W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：88nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3002pF@125V
连续漏极电流：63.5A
类型：N沟道
导通电阻：31mΩ@30A，10V
漏源电压：250V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMC86570LET60
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.8W€65W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：88nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4790pF@30V
连续漏极电流：18A€87A
类型：N沟道
导通电阻：4.3mΩ@18A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD86367
工作温度：-55℃~175℃
功率：227W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：88nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4840pF@40V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：4.2mΩ@80A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"20+"：14400}
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTB5405NT4G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3W€150W
阈值电压：3.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：88nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4000pF@32V
连续漏极电流：116A
类型：N沟道
导通电阻：5.8mΩ@40A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：808}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD86367-F085
工作温度：-55℃~175℃
功率：227W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：88nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4840pF@40V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：4.2mΩ@80A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMC86570LET60
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.8W€65W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：88nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4790pF@30V
连续漏极电流：18A€87A
类型：N沟道
导通电阻：4.3mΩ@18A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"18+"：4795，"9999"：386}
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUK664R6-40C，118
工作温度：-55℃~175℃
功率：158W
阈值电压：2.8V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：88nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5200pF@25V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：4.6mΩ@25A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMC86570LET60
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.8W€65W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：88nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4790pF@30V
连续漏极电流：18A€87A
类型：N沟道
导通电阻：4.3mΩ@18A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMC86570LET60
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.8W€65W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：88nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4790pF@30V
连续漏极电流：18A€87A
类型：N沟道
导通电阻：4.3mΩ@18A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD86367
工作温度：-55℃~175℃
功率：227W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：88nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4840pF@40V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：4.2mΩ@80A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVB5405NT4G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3W€150W
阈值电压：3.5V@250µA
栅极电荷：88nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4000pF@32V
连续漏极电流：16.5A€116A
类型：N沟道
导通电阻：5.8mΩ@40A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：10246}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMC86570LET60
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.8W€65W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：88nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4790pF@30V
连续漏极电流：18A€87A
类型：N沟道
导通电阻：4.3mΩ@18A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD86367
工作温度：-55℃~175℃
功率：227W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：88nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4840pF@40V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：4.2mΩ@80A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC030N10NS5SCATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：188W
阈值电压：3.8V@115µA
栅极电荷：88nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6500pF@50V
连续漏极电流：171A
类型：N沟道
导通电阻：3mΩ@50A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"20+"：14400}
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTB5405NT4G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3W€150W
阈值电压：3.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：88nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4000pF@32V
连续漏极电流：116A
类型：N沟道
导通电阻：5.8mΩ@40A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMC86570LET60
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.8W€65W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：88nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4790pF@30V
连续漏极电流：18A€87A
类型：N沟道
导通电阻：4.3mΩ@18A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD86367-F085
工作温度：-55℃~175℃
功率：227W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：88nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4840pF@40V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：4.2mΩ@80A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SUM10250E-GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：375W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：88nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3002pF@125V
连续漏极电流：63.5A
类型：N沟道
导通电阻：31mΩ@30A，10V
漏源电压：250V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD86367-F085
工作温度：-55℃~175℃
功率：227W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：88nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4840pF@40V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：4.2mΩ@80A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD86367-F085
工作温度：-55℃~175℃
功率：227W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：88nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4840pF@40V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：4.2mΩ@80A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
