采购热线 400-661-9010
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMFS5C426NLT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.8W€128W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：93nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5600pF@25V
连续漏极电流：41A€237A
类型：N沟道
导通电阻：1.2mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUK7S1R5-40HJ
工作温度：-55℃~175℃
功率：242W
阈值电压：3.6V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：93nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6712pF@25V
连续漏极电流：260A
类型：N沟道
导通电阻：1.5mΩ@25A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUK7S1R5-40HJ
工作温度：-55℃~175℃
功率：242W
阈值电压：3.6V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：93nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6712pF@25V
连续漏极电流：260A
类型：N沟道
导通电阻：1.5mΩ@25A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUK7S1R5-40HJ
工作温度：-55℃~175℃
功率：242W
阈值电压：3.6V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：93nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6712pF@25V
连续漏极电流：260A
类型：N沟道
导通电阻：1.5mΩ@25A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMFS5C426NLWFT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.8W€128W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：93nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5600pF@25V
连续漏极电流：41A€237A
类型：N沟道
导通电阻：1.2mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUK7S1R5-40HJ
工作温度：-55℃~175℃
功率：242W
阈值电压：3.6V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：93nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6712pF@25V
连续漏极电流：260A
类型：N沟道
导通电阻：1.5mΩ@25A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS5C426NLT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.8W€128W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：93nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5600pF@25V
连续漏极电流：41A€237A
类型：N沟道
导通电阻：1.2mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMFS5C426NLWFT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.8W€128W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：93nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5600pF@25V
连续漏极电流：41A€237A
类型：N沟道
导通电阻：1.2mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMFS5C426NLT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.8W€128W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：93nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5600pF@25V
连续漏极电流：41A€237A
类型：N沟道
导通电阻：1.2mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMFS5C426NLT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.8W€128W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：93nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5600pF@25V
连续漏极电流：41A€237A
类型：N沟道
导通电阻：1.2mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS5C426NLT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.8W€128W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：93nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5600pF@25V
连续漏极电流：41A€237A
类型：N沟道
导通电阻：1.2mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUK7S1R5-40HJ
工作温度：-55℃~175℃
功率：242W
阈值电压：3.6V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：93nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6712pF@25V
连续漏极电流：260A
类型：N沟道
导通电阻：1.5mΩ@25A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMFS5C426NLT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.8W€128W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：93nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5600pF@25V
连续漏极电流：41A€237A
类型：N沟道
导通电阻：1.2mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMFS5C426NLWFT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.8W€128W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：93nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5600pF@25V
连续漏极电流：41A€237A
类型：N沟道
导通电阻：1.2mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS5C426NLT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.8W€128W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：93nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5600pF@25V
连续漏极电流：41A€237A
类型：N沟道
导通电阻：1.2mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUK7S1R5-40HJ
工作温度：-55℃~175℃
功率：242W
阈值电压：3.6V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：93nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6712pF@25V
连续漏极电流：260A
类型：N沟道
导通电阻：1.5mΩ@25A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMFS5C426NLWFT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.8W€128W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：93nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5600pF@25V
连续漏极电流：41A€237A
类型：N沟道
导通电阻：1.2mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"17+"：800}
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：AUIRFS8403TRL
工作温度：-55℃~175℃
功率：99W
阈值电压：3.9V@100µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：93nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3183pF@25V
连续漏极电流：123A
类型：N沟道
导通电阻：3.3mΩ@70A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMFS5C426NLWFT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.8W€128W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：93nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5600pF@25V
连续漏极电流：41A€237A
类型：N沟道
导通电阻：1.2mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS5C426NLT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.8W€128W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：93nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5600pF@25V
连续漏极电流：41A€237A
类型：N沟道
导通电阻：1.2mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"17+"：800}
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：AUIRFS8403TRL
工作温度：-55℃~175℃
功率：99W
阈值电压：3.9V@100µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：93nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3183pF@25V
连续漏极电流：123A
类型：N沟道
导通电阻：3.3mΩ@70A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：6095}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMJS1D2N04CLTWG
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.8W€128W
阈值电压：2V@170µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：93nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5600pF@25V
连续漏极电流：41A€237A
类型：N沟道
导通电阻：1.2mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMFS5C426NLT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.8W€128W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：93nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5600pF@25V
连续漏极电流：41A€237A
类型：N沟道
导通电阻：1.2mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMFS5C426NLWFT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.8W€128W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：93nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5600pF@25V
连续漏极电流：41A€237A
类型：N沟道
导通电阻：1.2mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMFS5C426NLT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.8W€128W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：93nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5600pF@25V
连续漏极电流：41A€237A
类型：N沟道
导通电阻：1.2mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMFS5C426NLT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.8W€128W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：93nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5600pF@25V
连续漏极电流：41A€237A
类型：N沟道
导通电阻：1.2mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMFS5C426NLT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.8W€128W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：93nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5600pF@25V
连续漏极电流：41A€237A
类型：N沟道
导通电阻：1.2mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMFS5C426NLT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.8W€128W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：93nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5600pF@25V
连续漏极电流：41A€237A
类型：N沟道
导通电阻：1.2mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMFS5C426NLWFT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.8W€128W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：93nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5600pF@25V
连续漏极电流：41A€237A
类型：N沟道
导通电阻：1.2mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMFS5C426NLT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.8W€128W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：93nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5600pF@25V
连续漏极电流：41A€237A
类型：N沟道
导通电阻：1.2mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
