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    包装方式: 卷带(TR)
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    行业应用: 工业
    栅极电荷: 63nC@10V
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    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN2R2-40YSDX 起订100个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN2R2-40YSDX 起订100个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PSMN2R2-40YSDX

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:166W

    阈值电压:3.6V@1mA

    栅极电荷:63nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5130pF@20V

    连续漏极电流:180A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.2mΩ@25A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN2R6-40YS,115 起订100个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN2R6-40YS,115 起订100个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PSMN2R6-40YS,115

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:131W

    阈值电压:4V@1mA

    栅极电荷:63nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3776pF@12V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.8mΩ@25A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    强茂 Mosfet场效应管 PJQ5540V-AU_R2_002A1 起订500个装
    强茂 Mosfet场效应管 PJQ5540V-AU_R2_002A1 起订500个装

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PJQ5540V-AU_R2_002A1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.3W€115.4W

    阈值电压:3.5V@50µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:63nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4690pF@25V

    连续漏极电流:29.7A€174A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.1mΩ@20A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN2R2-40YSDX 起订100个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN2R2-40YSDX 起订100个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PSMN2R2-40YSDX

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:166W

    阈值电压:3.6V@1mA

    栅极电荷:63nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5130pF@20V

    连续漏极电流:180A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.2mΩ@25A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN2R6-40YS,115 起订10个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN2R6-40YS,115 起订10个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PSMN2R6-40YS,115

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:131W

    阈值电压:4V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:63nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3776pF@12V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.8mΩ@25A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

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    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN2R2-40YSDX 起订10个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN2R2-40YSDX 起订10个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PSMN2R2-40YSDX

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:166W

    阈值电压:3.6V@1mA

    栅极电荷:63nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5130pF@20V

    连续漏极电流:180A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.2mΩ@25A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

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    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN2R2-40YSDX 起订10个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN2R2-40YSDX 起订10个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PSMN2R2-40YSDX

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:166W

    阈值电压:3.6V@1mA

    栅极电荷:63nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5130pF@20V

    连续漏极电流:180A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.2mΩ@25A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    强茂 Mosfet场效应管 PJQ5540V-AU_R2_002A1 起订10个装
    强茂 Mosfet场效应管 PJQ5540V-AU_R2_002A1 起订10个装

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PJQ5540V-AU_R2_002A1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.3W€115.4W

    阈值电压:3.5V@50µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:63nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4690pF@25V

    连续漏极电流:29.7A€174A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.1mΩ@20A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN2R6-40YS,115 起订500个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN2R6-40YS,115 起订500个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PSMN2R6-40YS,115

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:131W

    阈值电压:4V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:63nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3776pF@12V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.8mΩ@25A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 AUIRFR8401TRL 起订345个装
    INFINEON Mosfet场效应管 AUIRFR8401TRL 起订345个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"22+":1441,"23+":3786}

    销售单位:

    规格型号(MPN):AUIRFR8401TRL

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:79W

    阈值电压:3.9V@50µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:63nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2200pF@25V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.25mΩ@60A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    强茂 Mosfet场效应管 PJQ5540V-AU_R2_002A1 起订1个装
    强茂 Mosfet场效应管 PJQ5540V-AU_R2_002A1 起订1个装

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PJQ5540V-AU_R2_002A1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.3W€115.4W

    阈值电压:3.5V@50µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:63nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4690pF@25V

    连续漏极电流:29.7A€174A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.1mΩ@20A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN2R6-40YS,115 起订4个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN2R6-40YS,115 起订4个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PSMN2R6-40YS,115

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:131W

    阈值电压:4V@1mA

    栅极电荷:63nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3776pF@12V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.8mΩ@25A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

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    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN2R6-40YS,115 起订1500个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN2R6-40YS,115 起订1500个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PSMN2R6-40YS,115

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:131W

    阈值电压:4V@1mA

    栅极电荷:63nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3776pF@12V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.8mΩ@25A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

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    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN2R6-40YS,115 起订13500个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN2R6-40YS,115 起订13500个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PSMN2R6-40YS,115

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:131W

    阈值电压:4V@1mA

    栅极电荷:63nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3776pF@12V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.8mΩ@25A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN2R6-40YS,115 起订10个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN2R6-40YS,115 起订10个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PSMN2R6-40YS,115

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:131W

    阈值电压:4V@1mA

    栅极电荷:63nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3776pF@12V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.8mΩ@25A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

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    - +
    强茂 Mosfet场效应管 PJQ5540V-AU_R2_002A1 起订100个装
    强茂 Mosfet场效应管 PJQ5540V-AU_R2_002A1 起订100个装

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PJQ5540V-AU_R2_002A1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.3W€115.4W

    阈值电压:3.5V@50µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:63nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4690pF@25V

    连续漏极电流:29.7A€174A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.1mΩ@20A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    强茂 Mosfet场效应管 PJQ5540V-AU_R2_002A1 起订1000个装
    强茂 Mosfet场效应管 PJQ5540V-AU_R2_002A1 起订1000个装

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PJQ5540V-AU_R2_002A1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.3W€115.4W

    阈值电压:3.5V@50µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:63nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4690pF@25V

    连续漏极电流:29.7A€174A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.1mΩ@20A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN2R6-40YS,115 起订3000个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN2R6-40YS,115 起订3000个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PSMN2R6-40YS,115

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:131W

    阈值电压:4V@1mA

    栅极电荷:63nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3776pF@12V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.8mΩ@25A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

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    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN2R6-40YS,115 起订1000个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN2R6-40YS,115 起订1000个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PSMN2R6-40YS,115

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:131W

    阈值电压:4V@1mA

    栅极电荷:63nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3776pF@12V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.8mΩ@25A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

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    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN2R2-40YSDX 起订500个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN2R2-40YSDX 起订500个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PSMN2R2-40YSDX

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:166W

    阈值电压:3.6V@1mA

    栅极电荷:63nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5130pF@20V

    连续漏极电流:180A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.2mΩ@25A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN2R6-40YS,115 起订4500个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN2R6-40YS,115 起订4500个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PSMN2R6-40YS,115

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:131W

    阈值电压:4V@1mA

    栅极电荷:63nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3776pF@12V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.8mΩ@25A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN2R6-40YS,115 起订500个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN2R6-40YS,115 起订500个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PSMN2R6-40YS,115

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:131W

    阈值电压:4V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:63nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3776pF@12V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.8mΩ@25A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 AUIRFR8401TRL 起订5000个装
    INFINEON Mosfet场效应管 AUIRFR8401TRL 起订5000个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"22+":1441,"23+":3786}

    销售单位:

    规格型号(MPN):AUIRFR8401TRL

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:79W

    阈值电压:3.9V@50µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:63nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2200pF@25V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.25mΩ@60A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

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    强茂 Mosfet场效应管 PJQ5540V-AU_R2_002A1 起订500个装
    强茂 Mosfet场效应管 PJQ5540V-AU_R2_002A1 起订500个装

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PJQ5540V-AU_R2_002A1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.3W€115.4W

    阈值电压:3.5V@50µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:63nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4690pF@25V

    连续漏极电流:29.7A€174A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.1mΩ@20A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    强茂 Mosfet场效应管 PJQ5540V-AU_R2_002A1 起订1000个装
    强茂 Mosfet场效应管 PJQ5540V-AU_R2_002A1 起订1000个装

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PJQ5540V-AU_R2_002A1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.3W€115.4W

    阈值电压:3.5V@50µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:63nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4690pF@25V

    连续漏极电流:29.7A€174A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.1mΩ@20A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN2R6-40YS,115 起订13500个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN2R6-40YS,115 起订13500个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PSMN2R6-40YS,115

    包装方式:卷带(TR)

    功率:131W

    输入电容:3776pF@12V

    漏源电压:40V

    类型:N沟道

    工作温度:-55℃~175℃

    连续漏极电流:100A

    栅极电荷:63nC@10V

    阈值电压:4V@1mA

    导通电阻:2.8mΩ@25A,10V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN2R6-40YS,115 起订1000个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN2R6-40YS,115 起订1000个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PSMN2R6-40YS,115

    包装方式:卷带(TR)

    功率:131W

    输入电容:3776pF@12V

    漏源电压:40V

    类型:N沟道

    工作温度:-55℃~175℃

    连续漏极电流:100A

    栅极电荷:63nC@10V

    阈值电压:4V@1mA

    导通电阻:2.8mΩ@25A,10V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    强茂 Mosfet场效应管 PJQ5540V-AU_R2_002A1 起订1000个装
    强茂 Mosfet场效应管 PJQ5540V-AU_R2_002A1 起订1000个装

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PJQ5540V-AU_R2_002A1

    包装方式:卷带(TR)

    漏源电压:40V

    连续漏极电流:29.7A€174A

    类型:N沟道

    工作温度:-55℃~175℃

    阈值电压:3.5V@50µA

    栅极电荷:63nC@10V

    功率:3.3W€115.4W

    ECCN:EAR99

    输入电容:4690pF@25V

    导通电阻:2.1mΩ@20A,10V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    强茂 Mosfet场效应管 PJQ5540V-AU_R2_002A1 起订10个装
    强茂 Mosfet场效应管 PJQ5540V-AU_R2_002A1 起订10个装

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PJQ5540V-AU_R2_002A1

    包装方式:卷带(TR)

    漏源电压:40V

    连续漏极电流:29.7A€174A

    类型:N沟道

    工作温度:-55℃~175℃

    阈值电压:3.5V@50µA

    栅极电荷:63nC@10V

    功率:3.3W€115.4W

    ECCN:EAR99

    输入电容:4690pF@25V

    导通电阻:2.1mΩ@20A,10V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN2R2-40YSDX 起订500个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN2R2-40YSDX 起订500个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PSMN2R2-40YSDX

    功率:166W

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5130pF@20V

    漏源电压:40V

    类型:N沟道

    连续漏极电流:180A

    工作温度:-55℃~175℃

    导通电阻:2.2mΩ@25A,10V

    阈值电压:3.6V@1mA

    栅极电荷:63nC@10V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
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