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品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPB180N04S401ATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：188W
阈值电压：4V@140µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：176nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：14000pF@25V
连续漏极电流：180A
类型：N沟道
导通电阻：1.3mΩ@100A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC007N04LS6ATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：188W
阈值电压：2.3V@250µA
栅极电荷：94nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：8400pF@20V
连续漏极电流：381A
类型：N沟道
导通电阻：0.7mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC007N04LS6ATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：188W
阈值电压：2.3V@250µA
栅极电荷：94nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：8400pF@20V
连续漏极电流：381A
类型：N沟道
导通电阻：0.7mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPB180N04S401ATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：188W
阈值电压：4V@140µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：176nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：14000pF@25V
连续漏极电流：180A
类型：N沟道
导通电阻：1.3mΩ@100A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：1000，"MI+"：1000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPB180N04S401ATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：188W
阈值电压：4V@140µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：176nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：14000pF@25V
连续漏极电流：180A
类型：N沟道
导通电阻：1.3mΩ@100A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：STL260N4F7
工作温度：-55℃~175℃
功率：188W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：72nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5000pF@25V
连续漏极电流：120A
类型：N沟道
导通电阻：1.1mΩ@24A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD18511KTTT
工作温度：-55℃~175℃
功率：188W
阈值电压：2.4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：64nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5940pF@20V
连续漏极电流：110A€194A
类型：N沟道
导通电阻：2.6mΩ@100A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"20+"：2400，"MI+"：1600}
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB8443
工作温度：-55℃~175℃
功率：188W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：185nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：9310pF@25V
连续漏极电流：25A€120A
类型：N沟道
导通电阻：3mΩ@80A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：500psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD18511KTT
工作温度：-55℃~175℃
功率：188W
阈值电压：2.4V@250µA
栅极电荷：64nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5940pF@20V
连续漏极电流：194A
类型：N沟道
导通电阻：2.6mΩ@100A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：500psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD18511KTT
工作温度：-55℃~175℃
功率：188W
阈值电压：2.4V@250µA
栅极电荷：64nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5940pF@20V
连续漏极电流：194A
类型：N沟道
导通电阻：2.6mΩ@100A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STL325N4LF8AG
工作温度：-55℃~175℃
功率：188W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：95nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7657pF@25V
连续漏极电流：373A
类型：N沟道
导通电阻：0.75mΩ@60A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STL325N4LF8AG
工作温度：-55℃~175℃
功率：188W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：95nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7657pF@25V
连续漏极电流：373A
类型：N沟道
导通电阻：0.75mΩ@60A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STL325N4LF8AG
工作温度：-55℃~175℃
功率：188W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：95nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7657pF@25V
连续漏极电流：373A
类型：N沟道
导通电阻：0.75mΩ@60A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD18511KTTT
工作温度：-55℃~175℃
功率：188W
阈值电压：2.4V@250µA
栅极电荷：64nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5940pF@20V
连续漏极电流：110A€194A
类型：N沟道
导通电阻：2.6mΩ@100A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：STL260N4F7
工作温度：-55℃~175℃
功率：188W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：72nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5000pF@25V
连续漏极电流：120A
类型：N沟道
导通电阻：1.1mΩ@24A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：1000，"MI+"：1000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPB180N04S401ATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：188W
阈值电压：4V@140µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：176nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：14000pF@25V
连续漏极电流：180A
类型：N沟道
导通电阻：1.3mΩ@100A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"20+"：2400，"MI+"：1600}
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB8443
工作温度：-55℃~175℃
功率：188W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：185nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：9310pF@25V
连续漏极电流：25A€120A
类型：N沟道
导通电阻：3mΩ@80A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：1000，"MI+"：1000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPB180N04S401ATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：188W
阈值电压：4V@140µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：176nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：14000pF@25V
连续漏极电流：180A
类型：N沟道
导通电阻：1.3mΩ@100A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPB180N04S401ATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：188W
阈值电压：4V@140µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：176nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：14000pF@25V
连续漏极电流：180A
类型：N沟道
导通电阻：1.3mΩ@100A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：500psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD18511KTT
工作温度：-55℃~175℃
功率：188W
阈值电压：2.4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：64nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5940pF@20V
连续漏极电流：194A
类型：N沟道
导通电阻：2.6mΩ@100A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC007N04LS6ATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：188W
阈值电压：2.3V@250µA
栅极电荷：94nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：8400pF@20V
连续漏极电流：381A
类型：N沟道
导通电阻：0.7mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC007N04LS6ATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：188W
阈值电压：2.3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：94nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：8400pF@20V
连续漏极电流：381A
类型：N沟道
导通电阻：0.7mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC007N04LS6ATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：188W
阈值电压：2.3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：94nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：8400pF@20V
连续漏极电流：381A
类型：N沟道
导通电阻：0.7mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC007N04LS6ATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：188W
阈值电压：2.3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：94nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：8400pF@20V
连续漏极电流：381A
类型：N沟道
导通电阻：0.7mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPB120N04S401ATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：188W
阈值电压：4V@140µA
栅极电荷：176nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：14000pF@25V
连续漏极电流：120A
类型：N沟道
导通电阻：1.5mΩ@100A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：1000，"MI+"：1000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPB180N04S401ATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：188W
阈值电压：4V@140µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：176nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：14000pF@25V
连续漏极电流：180A
类型：N沟道
导通电阻：1.3mΩ@100A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPB120N04S401ATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：188W
阈值电压：4V@140µA
栅极电荷：176nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：14000pF@25V
连续漏极电流：120A
类型：N沟道
导通电阻：1.5mΩ@100A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STL260N4F7
工作温度：-55℃~175℃
功率：188W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：72nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5000pF@25V
连续漏极电流：120A
类型：N沟道
导通电阻：1.1mΩ@24A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：500psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD18511KTT
工作温度：-55℃~175℃
功率：188W
阈值电压：2.4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：64nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5940pF@20V
连续漏极电流：194A
类型：N沟道
导通电阻：2.6mΩ@100A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"18+"：970，"22+"：18000，"MI+"：1000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPB80N04S303ATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：188W
阈值电压：4V@120µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：110nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7300pF@25V
连续漏极电流：80A
类型：N沟道
导通电阻：3.2mΩ@80A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
