品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVD5C454NT4G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.1W€56W
阈值电压:4V@70µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:32nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1900pF@25V
连续漏极电流:19A€82A
类型:N沟道
导通电阻:4.2mΩ@40A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"20+":1500,"22+":1900}
销售单位:个
规格型号(MPN):IPB100N04S4H2ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:115W
阈值电压:4V@70µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:90nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:7180pF@25V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:2.4mΩ@100A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPB100N04S4H2ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:115W
阈值电压:4V@70µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:90nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:7180pF@25V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:2.4mΩ@100A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPB100N04S4H2ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:115W
阈值电压:4V@70µA
栅极电荷:90nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:7180pF@25V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:2.4mΩ@100A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPB100N04S4H2ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:115W
阈值电压:4V@70µA
栅极电荷:90nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:7180pF@25V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:2.4mΩ@100A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVD5C454NT4G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.1W€56W
阈值电压:4V@70µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:32nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1900pF@25V
连续漏极电流:19A€82A
类型:N沟道
导通电阻:4.2mΩ@40A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPB100N04S4H2ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:115W
阈值电压:4V@70µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:90nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:7180pF@25V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:2.4mΩ@100A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVD5C454NT4G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.1W€56W
阈值电压:4V@70µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:32nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1900pF@25V
连续漏极电流:19A€82A
类型:N沟道
导通电阻:4.2mΩ@40A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPB100N04S4H2ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:115W
阈值电压:4V@70µA
栅极电荷:90nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:7180pF@25V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:2.4mΩ@100A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"20+":1500,"22+":1900}
销售单位:个
规格型号(MPN):IPB100N04S4H2ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:115W
阈值电压:4V@70µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:90nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:7180pF@25V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:2.4mΩ@100A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVD5C454NT4G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.1W€56W
阈值电压:4V@70µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:32nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1900pF@25V
连续漏极电流:19A€82A
类型:N沟道
导通电阻:4.2mΩ@40A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPB100N04S4H2ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:115W
阈值电压:4V@70µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:90nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:7180pF@25V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:2.4mΩ@100A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPB100N04S4H2ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:115W
阈值电压:4V@70µA
栅极电荷:90nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:7180pF@25V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:2.4mΩ@100A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPB100N04S4H2ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:115W
阈值电压:4V@70µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:90nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:7180pF@25V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:2.4mΩ@100A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
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行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPB100N04S4H2ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:115W
阈值电压:4V@70µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:90nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:7180pF@25V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:2.4mΩ@100A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVD5C454NT4G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.1W€56W
阈值电压:4V@70µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:32nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1900pF@25V
连续漏极电流:19A€82A
类型:N沟道
导通电阻:4.2mΩ@40A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
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行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVD5C454NT4G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.1W€56W
阈值电压:4V@70µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:32nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1900pF@25V
连续漏极电流:19A€82A
类型:N沟道
导通电阻:4.2mΩ@40A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVD5C454NT4G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.1W€56W
阈值电压:4V@70µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:32nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1900pF@25V
连续漏极电流:19A€82A
类型:N沟道
导通电阻:4.2mΩ@40A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"20+":1500,"22+":1900}
销售单位:个
规格型号(MPN):IPB100N04S4H2ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:115W
阈值电压:4V@70µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:90nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:7180pF@25V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:2.4mΩ@100A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPB100N04S4H2ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:115W
阈值电压:4V@70µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:90nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:7180pF@25V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:2.4mΩ@100A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPB100N04S4H2ATMA1
包装方式:卷带(TR)
输入电容:7180pF@25V
漏源电压:40V
类型:N沟道
功率:115W
工作温度:-55℃~175℃
导通电阻:2.4mΩ@100A,10V
连续漏极电流:100A
栅极电荷:90nC@10V
ECCN:EAR99
阈值电压:4V@70µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVD5C454NT4G
导通电阻:4.2mΩ@40A,10V
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:40V
类型:N沟道
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.1W€56W
栅极电荷:32nC@10V
输入电容:1900pF@25V
ECCN:EAR99
阈值电压:4V@70µA
连续漏极电流:19A€82A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPB100N04S4H2ATMA1
包装方式:卷带(TR)
输入电容:7180pF@25V
漏源电压:40V
类型:N沟道
功率:115W
工作温度:-55℃~175℃
导通电阻:2.4mΩ@100A,10V
连续漏极电流:100A
栅极电荷:90nC@10V
ECCN:EAR99
阈值电压:4V@70µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPB100N04S4H2ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:115W
阈值电压:4V@70µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:90nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:7180pF@25V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:2.4mΩ@100A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPB100N04S4H2ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:115W
阈值电压:4V@70µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:90nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:7180pF@25V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:2.4mΩ@100A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPB100N04S4H2ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:115W
阈值电压:4V@70µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:90nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:7180pF@25V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:2.4mΩ@100A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPB100N04S4H2ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:115W
阈值电压:4V@70µA
栅极电荷:90nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:7180pF@25V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:2.4mΩ@100A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPB100N04S4H2ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:115W
阈值电压:4V@70µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:90nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:7180pF@25V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:2.4mΩ@100A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPB100N04S4H2ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:115W
阈值电压:4V@70µA
栅极电荷:90nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:7180pF@25V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:2.4mΩ@100A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPB100N04S4H2ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:115W
阈值电压:4V@70µA
栅极电荷:90nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:7180pF@25V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:2.4mΩ@100A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存: